【正文】 正電子與非晶中微孔洞的湮沒成分 τ2值為 397 ps，其強度 I2= 11. 9%. 2. 200 ℃ /30 min 的退火處理后，原子的短程擴散導致空位型缺陷遷移與湮沒，使 τ1及其強度 I1均顯著下降 。俄歇電子在樣品表面具有 2π 角發(fā)射，為減小其角分布以提高探測效率，在樣品背后放置一個釹鐵硼 (NdFeB)磁鐵，其在樣品表面產(chǎn)生 T磁場，在強弱磁場梯度的絕熱近似下，俄歇電子被平行化，經(jīng)法拉第筒的能量調制后，在 E B 板的作用下偏離軸心運動，飛出法拉第筒后被微通道板光電倍增管 (Microchannelplate Photo Multiply Tube， MCPPMT)探測。當退火溫度升高至500 ℃ ， Fe43Co43Hf7B6Cu1非晶發(fā)生晶化，基體金屬相 αFe(Co) 析出 (體積分數(shù)約為 24%). 由于出現(xiàn)了相界面，產(chǎn)生新的正電子俘獲中心，導致正電子與空位團的湮沒成分 I2急劇增加 (26. 7%). Co 摻雜納米 ZnO 微結構的正電子湮沒研究 τ1 200 到 600 ℃ 退火后 τ1基本不變，穩(wěn)定在 201 ps 左右，隨著退火溫度繼續(xù)升高， τ1開始減少， 到 900 ℃ 時降至約 185 ps，其后退火溫度再升高， τ1保持穩(wěn)定． 由此可以推斷 VZn在退火溫度達到 700 ℃ 后才開始恢復，直到 900 ℃至 1000 ℃ 時 VZn才基本消失． τ2第二壽命成分， 在 100 到 700 ℃ 退火后，隨退火溫度升高逐漸降低，但降低的幅度不大，這說明空位團的平均尺寸開始縮小，大的 空位團開始塌縮 ． 與此對應的強度 I2如圖 2 ( b) 所示。 τ3是正電子與源湮沒的貢獻，其強度 ≤2% 200℃ /30 min 的退火 :τ1值及其強度均顯著下降 .其原因可能是在 200 ℃ 退火過程中非晶合金發(fā)生了不可逆的結構弛豫，原子的短程擴散導致 Bernal 空位遷移和湮沒，有些 原子進入空位，減小了空位體積 ，從而使正電子在其中的湮沒壽命 τ1降低 . 200℃ Ta≤400 ℃ 區(qū)間，試樣的正電子湮沒情況變化較小， 空位型缺陷的結構變化不大 . 500 ℃ 退火時， τ1值較 200 ℃ 退火的變化不大，但其強度 I1卻顯著降低，從 85. 2%— 70. 9%。 600 ℃ 左右迅速降低，進一步證明了空位團正在恢復． 退火溫度達到 900 ℃ 時， τ2迅速減少至 185ps，且此時從壽命譜中只能分解出單壽命分量，并且隨著退火溫度進一步升高不再發(fā)生變化，充分說明了樣品中的空位團已經(jīng)被退火消除了． 正電子壽命 τ1及 τ2隨退火溫度的變化也有可能是晶粒增大的結果． 考慮到正電子在 ZnO 晶體中擴散長度大約為 50 nm［ 21，22］． 在低溫退火時， ZnO樣品中晶粒直