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正文內(nèi)容

tft組件的結(jié)構(gòu)與原理-資料下載頁

2025-01-15 00:31本頁面
  

【正文】 對(duì)於信號(hào)線的中心電壓 VC 低一偏移值 △ V,便可以使加在 畫素電極上的電壓成為正負(fù)對(duì)稱 的波形,使直流位準(zhǔn)的電壓降誤 差到最小值。 14儲(chǔ)存電容AA’A A’VgVSV目的:降低 TFT關(guān)閉時(shí),因 Cgs所引 起的 畫素電壓變化 (Voltage Offset)。畫素電壓Source 線GD SGate 線Cst CLCComVgVsCgs151. 臨界電壓: Vth2. 電子遷移率 (Mobility): un Vp=unE3. Ion/Ioff4. 開口率 (Aperture Ratio) (1)TFT; (2)GateSource 線; (3)Cst; (4)上下基板對(duì)位誤差; (5)Disclination of LC5. 因 Cgs產(chǎn)生之 DC Voltage Offset6. 訊號(hào)傳輸時(shí)的時(shí)間延遲 (Time Delay)及 失真 (Distortion)TFTLCD關(guān)於 Array之重要參數(shù)16演講完畢,謝謝觀
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