半導(dǎo)體集成電路原理教材-資料下載頁
2024-12-30 06:22本頁面
【正文】 PSub MOS IC主要工藝流程 6. 柵氧化 ,淀積多晶硅，多晶硅 N+摻雜，反刻多晶 （ polysilicon— poly) 40 MOS IC主要工藝流程 7. P+ active注入 （ Pplus） （ 硅柵自對(duì)準(zhǔn)） PSub 41 MOS IC主要工藝流程 8. N+ active注入 （ Nplus — Pplus反版） （ 硅柵自對(duì)準(zhǔn)） PSub 42 MOS IC主要工藝流程 9. 淀積 BPSG，光刻接觸孔 (contact)， 回流 PSub 43 MOS IC主要工藝流程 10. 蒸鍍金屬 1，反刻金屬 1（ metal1) PSub 44 MOS IC主要工藝流程 11. 絕緣介質(zhì)淀積，平整化，光刻通孔 (via) PSub 45 MOS IC 主要工藝流程 12. 蒸鍍金屬 2，反刻金屬 2（ metal2) PSub 46 MOS IC 主要工藝流程 13. 鈍化層淀積，平整化，光刻鈍化窗孔 (pad) PSub 47 MOS IC光刻掩膜版簡圖匯總 N阱 ?有源區(qū) ?多晶 ?Pplus ?Nplus ?引線孔 ?金屬 1 ?通孔 ?金屬 2 ?鈍化 48 MOS IC 局部氧化的作用 2. 減緩表面臺(tái)階 3. 減小表面漏電流 PSub N阱 1. 提高場區(qū)閾值電壓 49 MOS IC 硅柵自對(duì)準(zhǔn)的作用 在硅柵形成后，利用硅柵的遮蔽作用來形成 MOS管的溝道區(qū)，使 MOS管的溝道尺寸更精確，寄生電容更小。 PSub N阱 50 MOS管襯底電極的引出 NMOS管和 PMOS管的襯底電極都從上表面引出，由于 PSub和 N阱的參雜濃度都較低，為了避免整流接觸，電極引出處必須有濃參雜區(qū)。 PSub N阱 51 其它 MOS工藝簡介 雙層多晶： 易做多晶電容、多晶電阻、疊柵 MOS器件，適合 CMOS數(shù) /?；旌想娐?、EEPROM等 多層金屬： 便于布線，連線短，連線占面積小，適合大規(guī)模、高速 CMOS電路 P阱 CMOS工藝，雙阱 CMOS工藝 E/D NMOS工藝 52 習(xí)題 N阱硅柵 CMOS集成電路 制造工藝 的主要流程，說明流程中需要哪些光刻掩膜版及其作用。 2. NMOS管源漏區(qū)的形成需要哪些光刻掩膜版。 53 167。 BI CMOS工藝簡介 雙極型工藝與 MOS工藝相結(jié)合，雙極型器件與 MOS型器件共存，適合模擬和數(shù) /?；旌想娐?。 (P9~11) 54 CMOS工藝為基礎(chǔ)的 BIMOS工藝 P+ P+ N+ N+ N+ N+ P Nwell Nwell PSub P+ P+ N+ N+ N+ N+ P Nwell Nwell P+Sub N+BL N+BL Pepi 55 BIMOS工藝 P N+ N+ N+ P P+Sub N+BL N+BL Nepi P+ P N+ Nepi PWell Nepi 演講完畢，謝謝觀看！
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