大班文件級電子電路一講稿12-資料下載頁
2024-12-29 04:28本頁面
【正文】 發(fā)射結(jié) 集電結(jié) BJT工作原理 BJT內(nèi)部載流子的傳輸過程 EB結(jié)注入 共基連接電流分配關(guān)系 iE=iC+iB iC=αiE+ICBO iB=iB1+iB2ICBO iB1+iB2=(1 α)iE 0|| ?? ?? CBdvecco nstvCBECiididi?是共基 BJT輸出端交流短路條件下交流電流增益。 ）忽略 CBOI(ECII???是共基 BJT的直流電流增益。 對小功率 BJT，在相當(dāng)大的電流范圍內(nèi)， ?? ?BJT的電流分配關(guān)系 共射（共 E） BJT工作原理 以發(fā)射極（ E極）作為公共端， EB結(jié)正偏， CB結(jié)反偏。 CBOBCBOCBOBCIiIIii?????????????1111令： ????? 1則： CB OBC Iii )1( ?? ???β是共射 BJT輸出交流短路下的交流電流增益 BJT 電流放大原理 B E C N N P EB RB EC IE IBE 進(jìn)入 P區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴復(fù)合，形成電流 IBE ，多數(shù)擴(kuò)散到集電結(jié)。 發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴(kuò)散，形成發(fā)射極電流IE。 基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴(kuò)散可忽略。 B E C N N P EB RB EC IE 集電結(jié)反偏，有少子形成的反向電流 ICBO。 ICBO IC=ICE+ICBO?ICE IBE ICE 從基區(qū)擴(kuò)散來的電子作為集電結(jié)的少子，漂移進(jìn)入集電結(jié)而被收集，形成ICE。 IB=IBEICBO?IBE IB B E C N N P EB RB EC IE ICBO ICE IC=ICE+ICBO ?ICE IBE 共射 BJT的伏安特性曲線 共射 BJT的輸出特性曲線 IC mA ?A V V VCE VBE RB IB EC EB 測試共射 BJT特性曲線的電路： IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區(qū)域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死區(qū)電壓，稱為截止區(qū)。 1. 截止區(qū) iE=0 iB= ICBO 集電結(jié)反偏 發(fā)射結(jié)反偏 2. 擊穿區(qū) vCEV(BR)后， iC開始劇增的區(qū)域， iB=0對應(yīng)的 V(BR)為 V(BR)CBO； iE=0對應(yīng)的 V(BR)為 V(BR)CEO； V(BR)CBOV(BR)CEO。 輸出特性上的擊穿都是集電結(jié)雪崩擊穿 3. 飽和區(qū) IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區(qū)域中 UCE?UBE,集電結(jié)正偏， ?IBIC， UCE?為飽和區(qū)。 vCEvBE vCB0 集電結(jié)正偏 發(fā)射結(jié)正偏 VCE(sat) 稱為飽和壓降 硅管： ~ 鍺管： ~ IC(mA ) 1 2 3 4 VCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區(qū)域滿足IC=?IB稱為線性區(qū)（放大區(qū)）。 當(dāng) VCE大于一定的數(shù)值時， IC只與 IB有關(guān)，IC=?IB。 4. 放大區(qū) iB0 vCE≥vBE 發(fā)射結(jié)合適正偏 集電結(jié)反偏 共射 BJT的輸入特性曲線 輸入特性 : VCE ?1V IB(?A) VBE(V) 20 40 60 80 VCE=0V VCE = 死區(qū)電壓，硅管 ，鍺管 。 工作壓降： 硅管VBE?~,鍺管VBE?~。 謝謝觀看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH
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