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年華南理工大學半導體物理試題-資料下載頁

2024-10-04 18:31本頁面
  

【正文】 00 K下) (e0=180。10-12F/m, erSiO2=)。八、(20分)請定性畫出理想情況下P型半導體形成MOS結(jié)構(gòu)的高頻CV特性曲線,并對此變化規(guī)律進行定性解釋。若SiO2中存有豐富的固定氧化物正電荷和陷阱界面態(tài),高頻CV特性曲線將發(fā)生變化,請在圖中定性畫出該曲線并說明理由。第 2 頁
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