先進(jìn)表面工程技術(shù)ppt課件-資料下載頁
2024-09-20 18:22本頁面
【正文】 MCrAlY)和隔熱表層 (通常為 ZrO2)構(gòu)成。 ? 熱障層與底層的組成、結(jié)構(gòu)和工藝，目前還在不斷改進(jìn)和更新?lián)Q代中。 ? 根據(jù)中國的現(xiàn)實(shí)情況， MCrAlY既用作熱障涂層的粘結(jié)底層，更多是單獨(dú)用作抗熱腐蝕涂層。 立方氮化硼 (cBN)膜 ? 立方氮化硼 (cBN)膜的優(yōu)異特性與金剛石膜相近，加上還具有優(yōu)異的耐腐蝕特性，其吸引力不遜于金剛石膜。盡管如此，其產(chǎn)業(yè)化還是長期未能成功。據(jù)了解，存在的主要問題是產(chǎn)物中的非 cBN成分含量過高，且難去除。 ? 六方氮化硼 (hBN)也是一種性能優(yōu)越的材料，雖然早已能夠小批量生產(chǎn)，但其成本一直居高不下，影響了其廣泛應(yīng)用。 特種薄膜材料的合成 ? 經(jīng)過了 80～ 90年代的努力，氣相生長金剛石始終未能實(shí)現(xiàn)真正的產(chǎn)業(yè)化，其主要問題在于一直未能兼顧產(chǎn)品質(zhì)量高、生產(chǎn)速率高和生產(chǎn)成本低的產(chǎn)業(yè)化基本要求。 ? 類金剛石 (DLC)膜，卻因?yàn)槿藗冊(cè)谄錃浜俊?sp3鍵含量以及與薄膜性能關(guān)系等三方面進(jìn)行了系統(tǒng)深入的研究，揭示了新苗頭。 ? 四方非晶碳 (taCarbon)膜的研究有可能在不遠(yuǎn)的將來，在力學(xué)性能、功能特性、產(chǎn)業(yè)化等方面都取得新突破。 SiC、 GaN、 AlN膜 ? SiC膜具有優(yōu)越的高溫電子學(xué)性能， 90年代以來，SiC膜在硅片上的外延已成功，并實(shí)現(xiàn)了小批量生產(chǎn)，但價(jià)格十分昂貴，影響了其廣泛應(yīng)用。 ? GaN膜顯示了性能上的優(yōu)越性，但價(jià)格昂貴和毒性始終是其擴(kuò)大應(yīng)用的障礙。 ? AlN膜的禁帶寬度高達(dá) eV，是良好的絕緣材料。通過摻雜及其它途徑，可適當(dāng)降低禁帶寬度，便于制作器件，有很大的應(yīng)用潛力，但目前尚未得到足夠的重視。 微／納信息功能薄膜、 器件和線路 ? 納米多層信息功能膜、器件和線路是當(dāng)前發(fā)展最迅速的前沿領(lǐng)域之一，其應(yīng)用面十分廣闊，包括處理器、顯示器、存儲(chǔ)器、傳感器、線路板等。 ? 低介電常數(shù)膜、高介電常數(shù)膜、低比輻射率膜、太陽光譜高比輻射率膜、光伏膜、存儲(chǔ)膜、透明導(dǎo)電膜、敏感膜、發(fā)光膜等方面均取得了進(jìn)展。 ? 圖形刻蝕技術(shù)、驅(qū)動(dòng)電路、驅(qū)動(dòng)軟件、封裝越來越普及。 遠(yuǎn)離平衡態(tài)鍍膜技術(shù) ? 遠(yuǎn)離平衡態(tài)是這類工藝的共同的熱力學(xué)特征。 ? 其優(yōu)點(diǎn)是高的能量密度與低的總功耗、低的沉積溫度、低的內(nèi)應(yīng)力、良好的界面結(jié)合、有利于提高成品率，減少浪費(fèi)。 7 結(jié)束語 ? 在近年來先進(jìn)表面工程技術(shù)發(fā)展中，采用遠(yuǎn)離平衡態(tài)鍍膜技術(shù)、等離子體技術(shù)、激光技術(shù)、納米技術(shù)等均取得了良好的應(yīng)用效果，也證明了基礎(chǔ)研究對(duì)于推動(dòng)前沿和高技術(shù)領(lǐng)域發(fā)展的重要性。 ? 先進(jìn)表面工程技術(shù)的應(yīng)用面越來越廣，從人民生活到國民經(jīng)濟(jì)，從高新技術(shù)到傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)，促進(jìn)了節(jié)能、節(jié)材、降低成本、環(huán)?；?、生態(tài)化、小型化、微型化、輕量化、便攜化。 ? 用先進(jìn)表面工程技術(shù)，迅速大量形成了規(guī)?；母咝录夹g(shù)產(chǎn)業(yè)，對(duì)經(jīng)濟(jì)起了巨大的推動(dòng)作用。
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