高頻高壓發(fā)生器原理-資料下載頁(yè)
2025-08-16 00:16本頁(yè)面
【正文】 輸出阻抗以達(dá)到調(diào)節(jié)輸出功率的目的。 ? PWM：脈沖寬度調(diào)制（ Pulse Width Modulation縮寫(xiě)為 PWM）的簡(jiǎn)稱(chēng)，通過(guò)改變逆變器的工作頻率的脈沖寬度，來(lái)改變輸出電壓值以達(dá)到調(diào)節(jié)功率的目的。 ? 系統(tǒng)上電控制及電源分配電路 ? kV控制和反饋 ? 燈絲驅(qū)動(dòng)和 mA控制 ? X線曝光控制 ? 旋轉(zhuǎn)陽(yáng)極的定子驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路 ? 自動(dòng)曝光控制（ AEC） ? 自動(dòng)亮度控制（ ABS） ? 設(shè)計(jì)所用元器件： ? 驅(qū)動(dòng)級(jí)器件選用 TC4420，驅(qū)動(dòng)單元根據(jù)控制單元的指令對(duì) IGBT進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。 IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路有多種形式。按照驅(qū)動(dòng)電路元件的組成可分為分立元件組成的驅(qū)動(dòng)電路和集成化的驅(qū)動(dòng)電路。 ? IGBT全稱(chēng)絕緣柵雙極晶體管，是 MOSFET和GTR(功率晶管 )相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極 (C)、發(fā)射極 (E)和柵極 (G)。特點(diǎn)：擊穿電壓可達(dá) 1200V，集電極最大飽和電流已超過(guò)1500A。由 IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上，工作頻率可達(dá) 20kHz。其輸入極為MOSFET，輸出極為 PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有 MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于 MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十 kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。 ? 若在 IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則 MOSFET導(dǎo)通，這樣 PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；若 IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為 0V，則 MOS 截止，切斷 PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。 IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極 — 發(fā)射極間施加十幾 V的直流電壓，只有在 uA級(jí)的漏電流流過(guò)，基本上不消耗功率。 6A HIGHSPEED MOSFET DRIVERS 內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖： 基本的封裝：
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