硅太陽(yáng)能電池?cái)U(kuò)散工序相關(guān)知識(shí)-資料下載頁(yè)
2025-08-15 23:19本頁(yè)面
【正文】 線(xiàn)處達(dá)到最大 。 因而I(y)又等于 Jdy， J為電流密度 。所以總的功率損失為 其中 ， s是兩條柵線(xiàn)的間隔距離 。 在最大功率點(diǎn) ， 產(chǎn)生的功率為 所以功率損耗百分比為 因此 ， 頂電極柵線(xiàn)的最小間距可以由計(jì)算得出 。 例如 ， 如果一個(gè)典型的硅太陽(yáng)能電池的 ρ=40Ω/□ ， Jmp=30mA/cm2，Vmp=450mV， 那么要使因橫向電阻影響而引起的功率損失小于 4%， 必須使 s＜ 4mm。 擴(kuò)散與頂電極柵線(xiàn)設(shè)計(jì) 柵線(xiàn)的影響 柵線(xiàn)遮光面積 柵線(xiàn)電阻 接觸電阻 滿(mǎn)足柵線(xiàn)設(shè)計(jì)最優(yōu)化從以下三方面考慮 柵線(xiàn)電阻損失等于柵線(xiàn)遮光損失時(shí) ， 柵線(xiàn)寬度最佳 。 漸變的柵線(xiàn)寬度設(shè)計(jì)優(yōu)于固定柵線(xiàn)寬度設(shè)計(jì) 。 副柵寬度和間距越小 ， 效率損失越小 。 擴(kuò)散與頂電極柵線(xiàn)設(shè)計(jì) 1. 有機(jī)物揮發(fā)階段 2. 燃燒有機(jī)物及升溫階段 3. 峰值溫度區(qū)間 ， 形成合金電極 4. 降溫階段 1 2 3 4 燒結(jié)溫度曲線(xiàn) 燒結(jié)溫度曲線(xiàn) 有機(jī)溶劑揮發(fā) 形成 AgO殼 玻璃料穿透SiN層 PbO+Si?Pb+SiO2 玻璃料腐蝕 硅并析出 AgO與硅反應(yīng)并析出 Ag2O+Si?Pb+SiO2 液態(tài) Pb 與 Ag形成液態(tài) PbAg相 液態(tài) PbAg相腐蝕硅 (100)面 冷卻時(shí) Ag在硅 (111)面結(jié)晶 從 AgSi相圖看 ：兩 者形成合金的最小溫度為 830度 ， 比例為 ： Ag:Si=:， 銀 的融化點(diǎn)為 950 ?C。 因 此 ， 在太 陽(yáng) 電 池 的 燒 結(jié) 溫 度 下（ 850~900 ?C ） ， 銀無(wú)法溶解與硅形成合 金 。 但 如果銀和硅形成混合相 ， 則可以在830 ?C形成固態(tài)的合金 。 玻璃料的作用是形成一種 Ag和Pb的混合態(tài) ， 以使其合金點(diǎn)下降 ， 使得銀在低于 830 ?C溶 解 。 頂電極形成原理 頂電極形成原理 鋁背場(chǎng)燒結(jié)后形成的 P+層 ， 減少了載流子在界面處的復(fù)合 。 底電極形成原理 鈍 化處理提高了電池表面的收集幾 率；背面場(chǎng)提高了背電極處的光生載流子收集幾率；兩者最終增加了短路電流 Isc。 鈍化 本征半導(dǎo)體通過(guò)摻雜不同元素可得到 N(P)型半導(dǎo)體 ，P型半導(dǎo)體和 N型半導(dǎo)體接觸時(shí) ， 會(huì)形成 PN結(jié) ， 光照條件下可產(chǎn)生光生電動(dòng)勢(shì) ， 連接負(fù)載后有光生電流 。 擴(kuò)散方式一般分為恒定表面濃度擴(kuò)散和恒定參雜總量擴(kuò)散兩種 ， 實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中兩種擴(kuò)散方式相結(jié)合 。 結(jié)深和方阻為主要的兩種擴(kuò)散參數(shù) 。 影響電池效率的因素主要有以下幾種：光學(xué)損失 、 載流子復(fù)合 、 溫度 、 串并聯(lián)電阻 、 少子壽命 、 頂電極柵線(xiàn)設(shè)計(jì)及燒結(jié) 。 頂電極的柵線(xiàn)設(shè)計(jì)要考慮柵線(xiàn)電阻和柵線(xiàn)遮光面積的影響 。 燒結(jié)步驟對(duì)表面鈍化和接觸電阻有重要影響 。 謝謝
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