soi及其制備工藝-資料下載頁
2025-08-04 18:43本頁面
【正文】 片 B 硅片 A 12 Soitec公司 smartcut 工藝流程圖 13 Smartcut Smartcut技術優(yōu)點 ? H+注入劑量為 1016cm2，比 SIMOX低兩個數(shù)量級，可采用普通的離子注入機完成。 ? 埋氧層由熱氧化形成，具有良好的 Si/SiO2界面，同時氧化層質(zhì)量較高。 ? 剝離后的硅片可以繼續(xù)作為鍵合襯底大大降低成本。 Smartcut技術已成為 SOI材料制備技術中最具競爭力、最具發(fā)展前途的一種技術。自 1995年開發(fā)該技術以來，已得到飛速發(fā)展，法國 SOITEC公司已經(jīng)能夠提供 Smartcut技術制備的商用 SOI硅片，并擁有其專利 14 Simbond 5. SIMBOND工藝： 國內(nèi)的 SOI產(chǎn)業(yè)發(fā)展緩慢，目前上海新傲科技股份有限公司率先實現(xiàn)國內(nèi) SOI的產(chǎn)業(yè)化。陳猛等人結合了離子注入和鍵合技術提出了注氧鍵合技術，形成具有自主知識產(chǎn)權的Simbond技術。 14年，新傲與法國 SOITEC 簽訂了中國地區(qū) 200mm SOI晶圓獨家代理協(xié)議。 ? 向器件片的鍵合面注入氧離子，高溫退火形成埋氧層，這個埋氧層就是之后的腐蝕停止層。 ? 與另一片支撐片鍵合，然后高溫退火，以形成完好的鍵合界面。 ? 減薄過程采用了自停止腐蝕方法來實現(xiàn)控制頂層硅厚度均勻性，機械研磨快速減薄到一定厚度，該過程要保證研磨的損傷層不在埋氧層中，之后用 TMAH溶液腐蝕頂層硅到注入的氧化層處停止，然后去除露出的氧化層并拋光處理，最后根據(jù)要求外延到所需要的厚度，得到均勻性很好的厚膜 SOI材料，其頂層硅厚度均勻性可達士 0. 05um.
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