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2025-08-03 01:21本頁(yè)面
【正文】 個(gè)非線性元件相連。非線性元件的作用是使阻變?cè)玫胶线m的分壓，從而避免阻變?cè)幱诘妥钁B(tài)時(shí)，存儲(chǔ)單元讀寫(xiě)信息的丟失。非線性元件一般選擇二極管或者其他有確定非線性度的元件。然而，采用無(wú)源矩陣會(huì)使相鄰單元間不可避免地存在干擾。為了避免不同單元之間信號(hào)串?dāng)_的影響，矩陣也可以采用有源單元設(shè)計(jì)。由晶體管來(lái)控制阻變?cè)淖x寫(xiě)與擦除信號(hào)可以良好隔離相鄰單元的干擾，也與CMOS工藝更加兼容。但這樣的單元設(shè)計(jì)無(wú)疑會(huì)使存儲(chǔ)器電路更加復(fù)雜，而晶體管也需要占據(jù)額外的器件面積。RRAM中的阻變?cè)话悴捎煤?jiǎn)單的類似電容的金屬介質(zhì)層金屬（MIM）結(jié)構(gòu)，由兩層金屬電極包夾著一層介質(zhì)材料構(gòu)成。金屬電極材料的選擇可以是傳統(tǒng)的金屬單質(zhì)，如Au、Pt、Cu、Al等，而介質(zhì)層材料主要包括二元過(guò)渡金屬氧化物、鈣鈦礦型化合物等，這在后文將會(huì)更加詳細(xì)地討論。由于對(duì)RRAM器件的研究主要集中在對(duì)電極材料以及介質(zhì)層材料的研究方面，故而往往采用如圖4所示的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)，采用傳統(tǒng)的硅、氧化硅或者玻璃等襯底，通過(guò)依次疊合的底電極、介質(zhì)層、頂電極完成器件的制備，然后于頂電極與底電極之間加入可編程電壓信號(hào)來(lái)測(cè)試阻變器件的性能，這樣的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)被大多數(shù)研究者所采納。而簡(jiǎn)單的制備過(guò)程和器件結(jié)構(gòu)也是RRAM被認(rèn)為具有良好的應(yīng)用前景的原因之一。六、 超分辨率光存儲(chǔ)技術(shù)傳統(tǒng)的光盤(pán)系統(tǒng) (如 CD、DVD)，以及當(dāng)前的藍(lán)光系統(tǒng)(如Blu Ray、HD DVD)都是一種遠(yuǎn)場(chǎng)二維存儲(chǔ)技術(shù)，能分辨的最小記錄符的大小受到光學(xué)衍射 極限的限制，存儲(chǔ)密度已接近了物理極限。通過(guò)國(guó)內(nèi)外近10年的光存儲(chǔ)技術(shù) 的研究不難發(fā)現(xiàn)，光存儲(chǔ)技術(shù)正悄悄經(jīng)歷著一場(chǎng)由傳統(tǒng)方法到新方案、由二維光存儲(chǔ)到多維光存儲(chǔ)、由遠(yuǎn)場(chǎng)光存儲(chǔ)到近場(chǎng)光存儲(chǔ)的變革。隨著多媒體和計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展，超高密度的光信息存儲(chǔ)受到廣泛關(guān)注， 有很多種GB（千兆字節(jié)）級(jí)存儲(chǔ)容量的存儲(chǔ)方法提出。然而，為了進(jìn)一步增加存儲(chǔ)容量，有許多問(wèn)題必須解決%光盤(pán)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度主要是由入射激光斑點(diǎn)尺寸決定的，但在一般的光存儲(chǔ)中，信號(hào)強(qiáng)度在記錄點(diǎn)尺寸接近分辨極限時(shí)迅速降低，因此記錄點(diǎn)尺寸小于分辨極限時(shí)，光頭不能識(shí)別信號(hào)。盡管在最近幾年藍(lán)綠光激光二極管有了很大的發(fā)展，但有些問(wèn)題如怎樣獲得低電阻的p型半導(dǎo)體材料和怎樣與p型半導(dǎo)體材料進(jìn)行歐姆接觸等一直還未解決，因此短波長(zhǎng)激光二極管的實(shí)際應(yīng)用還需要繼續(xù)努力，數(shù)值孔徑的增大以焦深的減小和由于偏心率而引起的失真的增加為代價(jià)， 因此增大數(shù)值孔徑而提高存儲(chǔ)密度是十分有限的。超分辨是無(wú)需用減小波長(zhǎng)或增大數(shù)值孔徑的方法減小記錄點(diǎn)尺寸而增加存儲(chǔ)密度的一種方法。超分辨可以用調(diào)整光路或通過(guò)調(diào)整光盤(pán)結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)?？傮w來(lái)說(shuō)， 這種采用超分辨方法的相變光盤(pán)能提高光盤(pán)的存儲(chǔ)密度，但對(duì)更高要求的存儲(chǔ)密度，即對(duì)小于100nm的記錄點(diǎn)這種方法顯然無(wú)法實(shí)現(xiàn)探測(cè)， 這要用近場(chǎng)超分辨技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。光學(xué)近場(chǎng)存儲(chǔ)（NFOR）對(duì)超高密度存儲(chǔ)是非常有用的方法。光學(xué)近場(chǎng)存儲(chǔ)首先由Eric Betzig等提出，他們?cè)诖殴獗∧ど嫌媒鼒?chǎng)光學(xué)掃描顯微鏡記錄了小尺寸信號(hào)，最小記錄點(diǎn)為60nm。在此之后，在相變薄膜上記錄了幾乎同樣小的記錄點(diǎn)。超分辨技術(shù)對(duì)于提高光盤(pán)的存儲(chǔ)密度是十分有用的，尤其在目前短波長(zhǎng)激光二極管的實(shí)際應(yīng)用還不成熟，而超分辨是一種簡(jiǎn)單可行且有效的增加光盤(pán)存儲(chǔ)密度的方法。在讀出和寫(xiě)入激光波長(zhǎng)不變的情況下，利用超分辨方法可使目前的只讀光盤(pán)和相變光盤(pán)的存儲(chǔ)密度增大近一倍。超分辨近場(chǎng)存儲(chǔ)可以探測(cè) 60nm的記錄點(diǎn)，因此可以實(shí)現(xiàn)光盤(pán)的超高密度存儲(chǔ)。研究生簽字老師評(píng)分評(píng)分老師簽字 年 月 日12
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