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2024-08-12 01:21本頁面
【正文】 個非線性元件相連。非線性元件的作用是使阻變元件得到合適的分壓，從而避免阻變元件處于低阻態(tài)時，存儲單元讀寫信息的丟失。非線性元件一般選擇二極管或者其他有確定非線性度的元件。然而，采用無源矩陣會使相鄰單元間不可避免地存在干擾。為了避免不同單元之間信號串擾的影響，矩陣也可以采用有源單元設計。由晶體管來控制阻變元件的讀寫與擦除信號可以良好隔離相鄰單元的干擾，也與CMOS工藝更加兼容。但這樣的單元設計無疑會使存儲器電路更加復雜，而晶體管也需要占據額外的器件面積。RRAM中的阻變元件一般采用簡單的類似電容的金屬介質層金屬（MIM）結構，由兩層金屬電極包夾著一層介質材料構成。金屬電極材料的選擇可以是傳統(tǒng)的金屬單質，如Au、Pt、Cu、Al等，而介質層材料主要包括二元過渡金屬氧化物、鈣鈦礦型化合物等，這在后文將會更加詳細地討論。由于對RRAM器件的研究主要集中在對電極材料以及介質層材料的研究方面，故而往往采用如圖4所示的簡單結構，采用傳統(tǒng)的硅、氧化硅或者玻璃等襯底，通過依次疊合的底電極、介質層、頂電極完成器件的制備，然后于頂電極與底電極之間加入可編程電壓信號來測試阻變器件的性能，這樣的簡單結構被大多數(shù)研究者所采納。而簡單的制備過程和器件結構也是RRAM被認為具有良好的應用前景的原因之一。六、 超分辨率光存儲技術傳統(tǒng)的光盤系統(tǒng) (如 CD、DVD)，以及當前的藍光系統(tǒng)(如Blu Ray、HD DVD)都是一種遠場二維存儲技術，能分辨的最小記錄符的大小受到光學衍射 極限的限制，存儲密度已接近了物理極限。通過國內外近10年的光存儲技術 的研究不難發(fā)現(xiàn)，光存儲技術正悄悄經歷著一場由傳統(tǒng)方法到新方案、由二維光存儲到多維光存儲、由遠場光存儲到近場光存儲的變革。隨著多媒體和計算機網絡的發(fā)展，超高密度的光信息存儲受到廣泛關注， 有很多種GB（千兆字節(jié)）級存儲容量的存儲方法提出。然而，為了進一步增加存儲容量，有許多問題必須解決%光盤的數(shù)據存儲密度主要是由入射激光斑點尺寸決定的，但在一般的光存儲中，信號強度在記錄點尺寸接近分辨極限時迅速降低，因此記錄點尺寸小于分辨極限時，光頭不能識別信號。盡管在最近幾年藍綠光激光二極管有了很大的發(fā)展，但有些問題如怎樣獲得低電阻的p型半導體材料和怎樣與p型半導體材料進行歐姆接觸等一直還未解決，因此短波長激光二極管的實際應用還需要繼續(xù)努力，數(shù)值孔徑的增大以焦深的減小和由于偏心率而引起的失真的增加為代價， 因此增大數(shù)值孔徑而提高存儲密度是十分有限的。超分辨是無需用減小波長或增大數(shù)值孔徑的方法減小記錄點尺寸而增加存儲密度的一種方法。超分辨可以用調整光路或通過調整光盤結構來實現(xiàn)。總體來說， 這種采用超分辨方法的相變光盤能提高光盤的存儲密度，但對更高要求的存儲密度，即對小于100nm的記錄點這種方法顯然無法實現(xiàn)探測， 這要用近場超分辨技術來實現(xiàn)。光學近場存儲（NFOR）對超高密度存儲是非常有用的方法。光學近場存儲首先由Eric Betzig等提出，他們在磁光薄膜上用近場光學掃描顯微鏡記錄了小尺寸信號，最小記錄點為60nm。在此之后，在相變薄膜上記錄了幾乎同樣小的記錄點。超分辨技術對于提高光盤的存儲密度是十分有用的，尤其在目前短波長激光二極管的實際應用還不成熟，而超分辨是一種簡單可行且有效的增加光盤存儲密度的方法。在讀出和寫入激光波長不變的情況下，利用超分辨方法可使目前的只讀光盤和相變光盤的存儲密度增大近一倍。超分辨近場存儲可以探測 60nm的記錄點，因此可以實現(xiàn)光盤的超高密度存儲。研究生簽字老師評分評分老師簽字 年 月 日12
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