【正文】 行業(yè)企業(yè)可以享受的優(yōu)惠有：一、參照軟件企業(yè)，集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)可以享受實(shí)行增值稅即征即退政策所退還的稅款，由企業(yè)用于研究開發(fā)軟件產(chǎn)品和擴(kuò)大再生產(chǎn)，不作為企業(yè)所得稅應(yīng)稅收入，不予征收企業(yè)所得稅。我國境內(nèi)新辦集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)經(jīng)認(rèn)定后，自獲利年度起，第一年和第二年免征企業(yè)所得稅，第三年至第五年減半征收企業(yè)所得稅。國家規(guī)劃布局內(nèi)的重點(diǎn)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)，如當(dāng)年未享受免稅優(yōu)惠的，減按10%的稅率征收企業(yè)所得稅。集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)的職工培訓(xùn)費(fèi)用，可按實(shí)際發(fā)生額在計(jì)算應(yīng)納稅所得額時(shí)扣除。二、集成電路生產(chǎn)企業(yè)的生產(chǎn)性設(shè)備，經(jīng)主管稅務(wù)機(jī)關(guān)核準(zhǔn)，其折舊年限可以適當(dāng)縮短，最短可為3年。三、可以減按15%的稅率繳納企業(yè)所得稅，其中，經(jīng)營期在15年以上的，從開始獲利的年度起，第一年至第五年免征企業(yè)所得稅，第六年至第十年減半征收企業(yè)所得稅。四、（含）集成電路產(chǎn)品的生產(chǎn)企業(yè)，經(jīng)認(rèn)定后，自獲利年度起，第一年和第二年免征企業(yè)所得稅，第三年至第五年減半征收企業(yè)所得稅。已經(jīng)享受自獲利年度起企業(yè)所得稅“兩免三減半”政策的企業(yè)，不再重復(fù)執(zhí)行本條規(guī)定。五、自2008年1月1日起至2010年底，對集成電路生產(chǎn)企業(yè)、封裝企業(yè)的投資者，以其取得的繳納企業(yè)所得稅后的利潤，直接投資于本企業(yè)增加注冊資本，或作為資本投資開辦其他集成電路生產(chǎn)企業(yè)、封裝企業(yè)，經(jīng)營期不少于5年的，按40%的比例退還其再投資部分已繳納的企業(yè)所得稅稅款。再投資不滿5年撤出該項(xiàng)投資的，追繳已退的企業(yè)所得稅稅款。還對企業(yè)在西部地區(qū)投資集成電路行業(yè)特別規(guī)定了進(jìn)一步的優(yōu)惠政策。以上優(yōu)惠政策，將支持IC企業(yè)增加研發(fā)投入、加強(qiáng)職工培訓(xùn)，鼓勵(lì)I(lǐng)C企業(yè)擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模、增加注冊資本、延長經(jīng)營期，將促進(jìn)中國IC行業(yè)技術(shù)水平的提高和產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)優(yōu)化。 新《高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)定管理辦法》頒布2008年4月14日，科技部、財(cái)政部和國家稅務(wù)總局聯(lián)合印發(fā)了《高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)定管理辦法》（以下簡稱新辦法）。與原認(rèn)定辦法相比，新辦法強(qiáng)調(diào)企業(yè)對其主要產(chǎn)品（服務(wù)）的核心技術(shù)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。對于獲得核心技術(shù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的方式，新辦法規(guī)定，可以通過近三年內(nèi)通過自主研發(fā)、受讓、受贈(zèng)、并購等方式，或通過5年以上的獨(dú)占許可方式。擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)成為認(rèn)定企業(yè)為高新技術(shù)企業(yè)的硬條件。新辦法將國家重點(diǎn)支持的高新技術(shù)領(lǐng)域修改為八個(gè)。其中與集成電路相關(guān)的具體領(lǐng)域有：集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)、集成電路產(chǎn)品設(shè)計(jì)技術(shù)、集成電路封裝技術(shù)、集成電路測試技術(shù)、集成電路芯片制造技術(shù)、集成光電子器件技術(shù)。新辦法中按銷售收入的規(guī)模，分別規(guī)定近三個(gè)會(huì)計(jì)年度的研究開發(fā)費(fèi)用總額占銷售收入總額的比例，分為6%、4%、3%等三種比例。其中，特別規(guī)定：企業(yè)在中國境內(nèi)發(fā)生的研究開發(fā)費(fèi)用總額占全部研究開發(fā)費(fèi)用總額的比例不低于60%。新辦法還加強(qiáng)了對高新技術(shù)企業(yè)的后續(xù)管理。新辦法規(guī)定，“企業(yè)研究開發(fā)組織管理水平、科技成果轉(zhuǎn)化能力、自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)數(shù)量、銷售與總資產(chǎn)成長性等指標(biāo)符合《高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)定管理工作指引》（另行制定）的要求。新辦法明顯提高了高新技術(shù)企業(yè)的認(rèn)定條件，眾多企業(yè)將會(huì)因無自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、研發(fā)投入不足等而無法申請成為高新技術(shù)企業(yè)，將無法再享受高新技術(shù)企業(yè)所能享受的稅收等方面的優(yōu)惠待遇。長期以來，我國IC行業(yè)嚴(yán)重缺乏自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，新辦法必然會(huì)將許多IC企業(yè)清理出局。國務(wù)院通過兩大集成電路重大專項(xiàng)方案2008年4月23日，國務(wù)院總理溫家寶主持召開國務(wù)院常務(wù)會(huì)議，審議并原則通過“核心電子器件、高端通用芯片及基礎(chǔ)軟件產(chǎn)品”和“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”兩個(gè)國家科技重大專項(xiàng)實(shí)施方案。這兩大專項(xiàng)的通過表明國家對集成電路的鼓勵(lì)政策更加堅(jiān)定。這兩大專項(xiàng)直指中國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈上薄弱的芯片設(shè)計(jì)和芯片制造環(huán)節(jié)。雖然經(jīng)過多年發(fā)展，但我國集成電路產(chǎn)業(yè)依然落后，整體的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)嚴(yán)重失衡，設(shè)計(jì)企業(yè)少而弱，制造工藝均落后于國外，制造設(shè)備幾乎完全依賴進(jìn)口。兩大專項(xiàng)的實(shí)施有利于核心電子器件的國產(chǎn)化，推動(dòng)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的集成電路制造成套先進(jìn)工藝與所需新材料技術(shù)的發(fā)展，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整，提高我國IC產(chǎn)業(yè)核心競爭力。表4 2008年集成電路相關(guān)政策目錄時(shí)間名稱對IC行業(yè)的影響2008年1月8日原信息產(chǎn)業(yè)部發(fā)布《集成電路產(chǎn)業(yè)“十一五”規(guī)劃》改善產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，加大對IC行業(yè)的支持力度，鼓勵(lì)企業(yè)自主創(chuàng)新，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)優(yōu)化 2008年3月14日財(cái)政部國家稅務(wù)總局發(fā)布軟件集成電路發(fā)展優(yōu)惠政策減輕IC企業(yè)稅收負(fù)擔(dān)，鼓勵(lì)企業(yè)增加研發(fā)投入、注冊資本，延長投資年限，吸引大項(xiàng)目和先進(jìn)工藝落戶中國，鼓勵(lì)I(lǐng)C企業(yè)在西部地區(qū)投資建廠2008年4月14日《高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)定管理辦法》新辦法對高新技術(shù)企業(yè)要求更加嚴(yán)格，許多IC企業(yè)將因無法滿足條件而被清理出局 2008年4月23日國務(wù)院通過兩大集成電路重大專項(xiàng)方案有利于提高我國IC芯片設(shè)計(jì)和制造水平，提高我國IC產(chǎn)業(yè)核心競爭力汶川地震對集成電路行業(yè)影響2008年5月12日， 級(jí)特大地震。汶川地震是新中國成立以來破壞性最強(qiáng)、波及范圍最廣、救災(zāi)難度最大的一次地震。災(zāi)區(qū)總面積約50萬平方公里、受災(zāi)群眾4625萬多人，造成近10萬人死亡，直接經(jīng)濟(jì)達(dá)損失達(dá)8451億多元。受災(zāi)地區(qū)的IC產(chǎn)業(yè)主要集中在成都。成都是我國西部最大的電子工業(yè)基地，而成都高新區(qū)又是成都電子工業(yè)的主體。截止2007年底，成都高新區(qū)IC產(chǎn)業(yè)總投資超過15億美元。在區(qū)內(nèi)聚集了55家IC企業(yè)，其中包括英特爾、超威半導(dǎo)體、三星電子、東芝、德州儀器、意法半導(dǎo)體、英飛凌科技等國際巨頭及深圳賽格、上海宏盛、上海華虹、南通富士通等知名國內(nèi)IC企業(yè)。地震對IC產(chǎn)業(yè)的影響有：震動(dòng)引起IC加工制造企業(yè)的精密儀器受損，造成了一些設(shè)備的位移；對企業(yè)建筑造成的危害主要是天花吊頂、瓷磚的脫落以及非承重墻的裂縫；在短期內(nèi)，造成供應(yīng)鏈斷裂，產(chǎn)品出口受阻。但成都震級(jí)小，從總體上看地震給IC行業(yè)所造成的損失極小。且災(zāi)后重建將極大拉動(dòng)對電子信息產(chǎn)品的需求，導(dǎo)致IC產(chǎn)品需求擴(kuò)大。另外，為支持災(zāi)后重建，外企不僅沒有減少原來的投資，還考慮將加大投資。所以，從總的來看，汶川地震給IC行業(yè)造成的影響極小。奧運(yùn)對集成電路行業(yè)的影響2008年北京奧運(yùn)會(huì)堅(jiān)持綠色奧運(yùn)、科技奧運(yùn)、人文奧運(yùn)的理念，這三個(gè)理念將對整個(gè)消費(fèi)習(xí)慣產(chǎn)生引導(dǎo)性作用?！熬G色奧運(yùn)”強(qiáng)調(diào)節(jié)能環(huán)保，奧運(yùn)場館建設(shè)大量采用新型材料、新能源技術(shù)。這就要求IC行業(yè)提供低功率、低消耗、低成本的產(chǎn)品。在“科技奧運(yùn)”方面，大量最新技術(shù)應(yīng)用于奧運(yùn)會(huì)，如寬帶數(shù)據(jù)接入服務(wù)、智能卡技術(shù)、3G移動(dòng)通信系統(tǒng)、高清晰度數(shù)字電視系統(tǒng)等。相關(guān)IC產(chǎn)品主要包括網(wǎng)絡(luò)路由交換芯片、GSM/GPRS手機(jī)基帶芯片、TDSCDMA基帶芯片、數(shù)字音視頻和多媒體處理芯片。這些新技術(shù)在奧運(yùn)中的亮相，將刺激消費(fèi)需求，進(jìn)而帶動(dòng)相關(guān)IC相關(guān)產(chǎn)品的需求擴(kuò)大。盡管受宏觀經(jīng)濟(jì)形勢和其他各種因素作用，這種帶動(dòng)作用不是很大，奧運(yùn)不能帶來這些新興應(yīng)用的量起，但奧運(yùn)會(huì)的引入作用和宣傳效應(yīng)，使得這些新技術(shù)市場前景更加廣闊。、簡寫及解釋下表中包含了集成電路行業(yè)涉及的大多數(shù)專業(yè)術(shù)語，以及本報(bào)告涉及的主要術(shù)語和簡寫。表5 集成電路主要技術(shù)術(shù)語、簡寫及解釋統(tǒng)計(jì)名稱說明模擬集成電路模擬集成電路是指由電容、電阻、晶體管等組成的模擬電路集成在一起用來處理模擬信號(hào)的集成電路。數(shù)字集成電路數(shù)字集成電路是將元器件和連線集成于同一半導(dǎo)體芯片上而制成的數(shù)字邏輯電路或系統(tǒng)。半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路將晶體管，二極管等有源元件和電阻器，電容器等無源元件，按照一定的電路互聯(lián)，“集成”在一塊半導(dǎo)體單晶片上，完成特定的電路或者系統(tǒng)功能。薄膜集成電路薄膜集成電路是將整個(gè)電路的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件以及它們之間的互連引線，全部用厚度在１微米以下的金屬、半導(dǎo)體、金屬氧化物、多種金屬混合相、合金或絕緣介質(zhì)薄膜，并通過真空蒸發(fā)、濺射和電鍍等工藝制成的集成電路。厚膜集成電路厚膜集成電路是指用絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)等厚膜工藝在同一基片上制作無源網(wǎng)絡(luò)，并在其上組裝分立的半導(dǎo)體器件芯片或單片集成電路或微型元件，再外加封裝而成的混合集成電路。厚膜電路與薄膜電路的區(qū)別有兩點(diǎn)：其一是膜厚的區(qū)別，厚膜電路的膜厚一般大于10μm，薄膜的膜厚小于10μm，大多處于小于1μm；其二是制造工藝的區(qū)別，厚膜電路一般采用絲網(wǎng)印刷工藝，薄膜電路采用的是真空蒸發(fā)、磁控濺射等工藝方法。單晶硅熔融的單質(zhì)硅在凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結(jié)合起來便結(jié)晶成單晶硅。單晶硅是一種良好的半導(dǎo)材料，是集成電路制造的主要材料。線寬是指IC生產(chǎn)工藝可達(dá)到的最小導(dǎo)線寬度，是IC工藝先進(jìn)水平的主要指標(biāo)，主要有4μm /1μm / / /90nm等。線寬越小，集成度就高,在同一面積上就集成更多電路單元。晶圓將單晶硅晶棒切割所得的一片一片薄薄的圓片，即是晶圓，或硅晶圓。晶圓尺寸晶圓尺寸，即晶圓的直徑。晶圓尺寸越大，生產(chǎn)的芯片就越多，代表的技術(shù)水平就越高。硅晶圓尺寸常以英寸和mm為單位（1英寸約為25mm），常見的晶圓尺寸是100mm、125mm、150mm、200mm、300mm、450mm或4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸、18英寸。光刻IC生產(chǎn)的主要工藝手段，指用光技術(shù)在晶圓上刻蝕電路。密度表示集成在一個(gè)芯片上的邏輯數(shù)量，單位是門（gate）。密度越高，門越多，也意味著越復(fù)雜。CMOS互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（Complementary Metal Oxide Semiconductor），是一種集成電路加工工藝技術(shù)，具有高集成、低成本、低能耗和高性能等特征。E2CMOS電可擦除互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（Electrically Erasable CMOS），具有繼承性、可重復(fù)編程和可測試性等特點(diǎn)，因此是一種可編程邏輯器件（PLD）的理想工藝技術(shù)。BiCMOSBiCMOS（Bipolar CMOS），即雙極型CMOS，是將CMOS和雙極器件同時(shí)集成在同一塊芯片上的技術(shù)，其基本思想是以CMOS器件為主要單元電路，而在要求驅(qū)動(dòng)大電容負(fù)載之處加入雙極器件或電路。因此BiCMOS電路既具有CMOS電路高集成度、低功耗的優(yōu)點(diǎn)，又獲得了雙極電路高速、強(qiáng)電流驅(qū)動(dòng)能力的優(yōu)勢。EDAEDA是英文Electronic Design Automation的縮寫，即電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化，就是通常所謂的電子線路輔助設(shè)計(jì)軟件。Foundry模式半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)存在兩種商業(yè)模式之一，亦稱為垂直分工模式，20世紀(jì)90年代初興起的一種新IC產(chǎn)業(yè)模式，該模式由知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商、無生產(chǎn)線設(shè)計(jì)公司（Fabless）、代工廠商（Foundry）以及封裝測試企業(yè)（Package amp。Testing）等組成。IDM模式IDM是英文Integrated Device Manufactrue的縮寫，即垂直集成模式，IDM 模式的特點(diǎn)是，企業(yè)經(jīng)營范圍涵蓋了芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造、封裝測試等各環(huán)節(jié)，甚至延伸至下游終端。美國和日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主要采用這一模式，IDM企業(yè)規(guī)模大、投入高，典型的IDM企業(yè)有: 英特爾、三星、德州儀器、東芝和意法半導(dǎo)體。 fabless無生產(chǎn)線企業(yè)，即只研發(fā)和設(shè)計(jì)，自己不生產(chǎn)芯片。這類企業(yè)將芯片制造外包給foundry廠家。PCBPCB是英文Printed Circuie Board的縮寫，即印制線路板。通常把在絕緣材上，按預(yù)定設(shè)計(jì)，制成印制線路、印制元件或兩者組合而成的導(dǎo)電圖形稱為印制電路。而在絕緣基材上提供元器件之間電氣連接的導(dǎo)電圖形，稱為印制線路。這樣就把印制電路或印制線路的成品板稱為印制線路板，亦稱為印制板或印制電路板。QFPQFP 是英文Plastic Quad Flat Pockage的縮寫，即方型扁平式封裝技術(shù)，是表面貼裝型封裝之一，引腳從四個(gè)側(cè)面引出呈海鷗翼(L)型。一般大規(guī)模或超大規(guī)模集成電路采用這種封裝形式，其引腳數(shù)一般都在100以上。LQFP薄型QFP（Low rofile Quad Flat Package）。SoCSoC是英文SystemonChip的縮寫，即系統(tǒng)級(jí)芯片，指的是在單個(gè)硅片上集成子系統(tǒng)或系統(tǒng)，包括處理器、高密度邏輯電路、模擬和混合信號(hào)電路、存儲(chǔ)器等。NoCNoC是英文Networkon Chip的縮寫，即網(wǎng)絡(luò)級(jí)芯片，即在一個(gè)芯片上集成多個(gè)系統(tǒng)，各個(gè)系統(tǒng)之間通過網(wǎng)絡(luò)通信相互協(xié)作，是未來的芯片制造技術(shù)，現(xiàn)在仍處于實(shí)驗(yàn)室研究階段。SOPSOP是Small OutLine Packag的英文縮寫，即小外形封裝，是表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出呈海鷗翼狀(L字形)。材料有塑料和陶瓷兩種。SSOP 的SOP 。TSOP 的SOP。DIP封裝DIP是英文Dual Inline Package的縮寫，即雙列直插式封裝技術(shù)，是一種最簡單的封裝方式。指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片，絕大多數(shù)中小規(guī)模集成電路均采用這種封裝形式，其引腳數(shù)一般不超過100。TSOP封裝TSOP是英文Thin Small Outline Package的縮寫，即薄型小尺寸封裝，20世紀(jì)80年代出現(xiàn)的封裝技術(shù)，在芯片的周圍做出引腳，通過引腳將芯片焊接在印刷線路板板上。BGA封裝BGA是英文Ball Grid Array的縮寫，即球柵陣列，是以球型引腳焊接工藝為特征的一類集成電路封裝。可以提高可加工性，減小尺寸和厚度，改善了噪聲特性，提高了功耗管理特性。MCMMCM是英文MultiChip Module的縮寫，即多芯片組件，將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝技術(shù)。CSP封裝CSP是英文Chip Scale Package的縮寫，即芯片級(jí)封裝，是新一代的芯片封裝技術(shù)，是繼TSOP、BGA之后內(nèi)存上的又一種新的技術(shù)。SiP封裝系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP），是將微處理器、存儲(chǔ)器、電阻器、電容和電感器等多個(gè)組成一個(gè)系統(tǒng)的芯片封裝在一起的新封裝技術(shù)。SMTSMT是英文Surface Mounted Technology的縮寫，即表面組裝技術(shù)，是將表面貼裝元器件貼、焊到印制電路板表面規(guī)定位置上的電路裝聯(lián)技術(shù)，包括