spwm全橋逆變器主功率電路設計-資料下載頁
2025-07-28 11:44本頁面
【正文】 120 KΩ,15 KΩR220 KΩ。輸出f=6000Hz時，調(diào)節(jié)5 KΩ電位器，可以調(diào)節(jié)輸出頻率為6000Hz。電力MOSFET IRF150的主要參數(shù)及分析 Vdss=100V, Rds(on)=, Id= 38A, 耐壓方面，MOSFET電流容量小，耐壓低。設計要求輸入直流48V,輸出交流40V,由于實際在使用MOSFET時,要考慮到適當?shù)陌踩Ａ?，一般為額定電壓的2—3倍，即要求電壓100V—150V,IRF150的Vdss=100V能夠滿足要求。 開關頻率方面，MOSFET開關速度快，功率頻率高。設計要求輸出頻率400HZ,IRF150高頻率特性能夠滿足要求。五．主要參數(shù)和器件清單ICL8038波形發(fā)生器 2個LF353運放器 1個LM311比較器 2個4069反向器 2個IR2110 2個IRF150 4個 若干10K電阻 若干 若干通過此次課程設計我的實際工程能力有了較大提高,并能將學到的理論知識很好的運用到工程實踐中。借閱大量的有關單片機方面的書籍，充分利用網(wǎng)絡資源，還有通過和同學的交流討論，這些都在無形中拓寬了我的知識面，讓我學到了更多的知識。首先，我熟悉了交流電路中功率因數(shù)的意義。對電力電子的相關器件有了更深刻的了解，在獲得新知識的同時，也增強了我的動手能力，把知識用于實踐。這次專業(yè)方向課程設計，我不僅加深課本知識的理解，將理論很好地應用到實際當中去，而且我還學會了如何去培養(yǎng)我們的創(chuàng)新精神，從而不斷地戰(zhàn)勝自己，超越自己?！峨娏﹄娮蛹夹g》 金海明 鄭安平等編著 北京郵電大學出版社《電力電子應用基礎》 陳擁軍主編 西安交通大學出版社《電力電子應用技術》 葉斌主編 清華大學出版社《電力電子自關斷器件及電路》 黃俊 秦祖蔭 機械工業(yè)出版社《電力電子研究》 余天 機械工業(yè)出版社11
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