電子技術(shù)發(fā)展史-資料下載頁(yè)
2025-07-27 00:40本頁(yè)面
【正文】 展。早期的典型硅：占片工藝為1．25毫米，經(jīng)過(guò)40年的發(fā)展，工藝水平經(jīng)過(guò)了0．5微米，0．35微米，到現(xiàn)在的亞微米級(jí)，工藝得到了翻天覆地的改變。同時(shí)，集成度也有了質(zhì)的飛躍，60年代初，國(guó)際上出現(xiàn)的集成電路產(chǎn)品，每個(gè)硅片上的元件數(shù)在100個(gè)左右，人們稱作是小規(guī)模集成電路：1967所已達(dá)到1000個(gè)品體管，這標(biāo)志著大規(guī)模集成階段的開(kāi)端；到1976年，發(fā)展到一個(gè)芯片上可集成1萬(wàn)多個(gè)品體管：進(jìn)入80年代以來(lái)，一塊硅片上有幾萬(wàn)個(gè)晶體管的大規(guī)模集成電路已經(jīng)很普遍了。并且正在超大規(guī)模集成電路發(fā)展。如今，已出現(xiàn)屬于第五代的產(chǎn)品，在不到50平方毫米的硅芯片上集成的晶體管數(shù)激增到200萬(wàn)只以上。隨著這些工藝和集成度的改變，集成電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)理念也得到了很大的轉(zhuǎn)變，“電路集成到系統(tǒng)集成”也就是IC產(chǎn)品從小規(guī)模集成電路(SSI)發(fā)展到現(xiàn)在的超大規(guī)模集成電路(ULSI)，甚至片上系統(tǒng)(SoC)的最好總結(jié)，也就是說(shuō)電路產(chǎn)品經(jīng)歷了從板上系統(tǒng)到片上系統(tǒng)過(guò)程，越來(lái)越多的技術(shù)把以前的分離元件的電路設(shè)計(jì)到了一塊芯片上面，從而達(dá)到了很好的系統(tǒng)集成，由于a140S工藝的獨(dú)特優(yōu)越性，系統(tǒng)的性能也得到了很好的提升．相相似文相似文獻(xiàn)學(xué)位論文 胡世蓉 美國(guó)微電子技術(shù)與創(chuàng)新 2006美國(guó)微電子技術(shù)一直居于全球主導(dǎo)地位，從貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明晶體管以來(lái)，幾十年的技術(shù)進(jìn)步得以迅速應(yīng)用，新技術(shù)新產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)又形成新的市場(chǎng)，技術(shù)推動(dòng)與市場(chǎng)拉動(dòng)共同創(chuàng)造了極其繁榮的信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)。電子的發(fā)現(xiàn)，激發(fā)了研究電的興趣。實(shí)驗(yàn)物理學(xué)家和理論物理學(xué)家分別在不同的領(lǐng)域突飛猛進(jìn)。真空管利用電子的性質(zhì)得以單向?qū)щ姡蔀榫w檢波器的前身。由于量子力學(xué)的巨大影響，對(duì)金屬內(nèi)部電子行為的描述發(fā)生了很大變化。物理學(xué)家開(kāi)始認(rèn)識(shí)到了一類新的物質(zhì)—半導(dǎo)體，這一時(shí)期興起的固體物理學(xué)由于猶太科學(xué)家的流亡轉(zhuǎn)移到美國(guó)。貝爾實(shí)驗(yàn)室在半導(dǎo)體檢波器生產(chǎn)中占據(jù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，組建的半導(dǎo)體研究小組物理學(xué)家、物理化學(xué)家、工程師們通力合作，經(jīng)過(guò)數(shù)年的努力，終于使晶體管得以問(wèn)世，不僅滿足了為遠(yuǎn)距離通訊開(kāi)發(fā)中繼器的要求，帶來(lái)的微電子技術(shù)革命影響了后來(lái)幾十年的經(jīng)濟(jì)、生活各方面。晶體管的問(wèn)世引發(fā)微電子技術(shù)革命，與真空管相比的顯著優(yōu)點(diǎn)，很快使晶體管應(yīng)用到許多領(lǐng)域。半導(dǎo)體電子技術(shù)日益小型化微型化，與計(jì)算機(jī)技術(shù)密切結(jié)合，從中小規(guī)模集成電路、大規(guī)模集成電路，到超大規(guī)模集成的微處理器就是這種結(jié)合的產(chǎn)物。微處理器的技術(shù)換代，反映了創(chuàng)新所帶來(lái)的對(duì)經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域的深遠(yuǎn)影響，從而使經(jīng)濟(jì)模式發(fā)生變化，演化到新的經(jīng)濟(jì)模式—數(shù)字經(jīng)濟(jì)，也就是信息時(shí)代的到來(lái)。
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