開關(guān)電源設(shè)計(jì)步驟-資料下載頁
2025-07-26 08:20本頁面
【正文】 be=d(b－2M) 然后計(jì)算初級導(dǎo)線外徑（帶絕緣層）DPM：DPM＝be/NP 步驟23 確定次級參數(shù)ISP、ISRMS、IRI、DSM、DSm ① 次級峰值電流ISP(A) ISP=IP(NP/NS) ② 次級有效值電流ISRMS(A) ③ 輸出濾波電容上的紋波電流IRI(A) ⑤ 次級導(dǎo)線最小直徑（裸線）DSm(mm) ⑥ 次級導(dǎo)線最大外徑（帶絕緣層）DSM(mm) 步驟24 確定V(BR)S、V(BR)FB ① 次級整流管最大反向峰值電壓V(BR)S V(BR)S＝VO+VImaxNS/NP ② 反饋級整流管最大反向峰值電壓V(BR)FB V(BR)FB＝VFB+ VImaxNF/NP 步驟25 選擇鉗位二極管和阻塞二極管 步驟26 選擇輸出整流管 步驟27 利用步驟23得到的IRI,選擇輸出濾波電容COUT ① 濾波電容COUT在105℃、100KHZ時(shí)的紋波電流應(yīng)≥IRI ② 要選擇等效串連電阻r0很低的電解電容 ③ 為減少大電流輸出時(shí)的紋波電流IRI，可將幾只濾波電容并聯(lián)使用，以降低電容的r0值和等效電感L0 ④ COUT的容量與最大輸出電流IOM有關(guān) 步驟28～29 當(dāng)輸出端的紋波電壓超過規(guī)定值時(shí)，應(yīng)再增加一級LC濾波器 ① 濾波電感L=~。當(dāng)IOM＜1A時(shí)可采用非晶合金磁性材料制成的磁珠；大電流時(shí)應(yīng)選用磁環(huán)繞制成的扼流圈。 ② 為減小L上的壓降，宜選較大的濾波電感或增大線徑。通常L= ③ 濾波電容C取120μF /35V，要求r0很小 步驟30 選擇反饋電路中的整流管 步驟31 選擇反饋濾波電容 /50V陶瓷電容器 步驟32 選擇控制端電容及串連電阻 控制端電容一般取47μF /10V，采用普通電解電容即可。、1/4W，在不連續(xù)模式下可省掉此電阻。 步驟33選定反饋電路 步驟34選擇輸入整流橋 ① 整流橋的反向擊穿電壓VBR≥√2umax ③ 設(shè)輸入有效值電流為IRMS，整流橋額定有效值電流為IBR,使IBR≥2IRMS。計(jì)算IRMS公式如下： cosθ為開關(guān)電源功率因數(shù)，～，可取cosθ＝ 步驟35 設(shè)計(jì)完畢 在所有的相關(guān)參數(shù)中，只有3個(gè)參數(shù)需要在設(shè)計(jì)過程中進(jìn)行檢查并核對是否在允許的范圍之內(nèi)。它們是最大磁通密度BM（要求BM=~）、磁芯的氣隙寬度δ（要求δ≥）、初級電流密度J（規(guī)定J=4～10A/mm2）。這3個(gè)參數(shù)在設(shè)計(jì)的每一步都要檢查，確保其在允許的范圍之內(nèi)。
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