開關(guān)電源設(shè)計全過程-資料下載頁
2024-10-04 19:17本頁面
【正文】 C濾波電路): LC濾波電路為第二級濾波,在不影響線路穩(wěn)定的情況下,一般會將L3 放大(電感量較大),如此C12可使用較小的電容值. 4 設(shè)計驗証:(可分為三部分) a. 設(shè)計階段驗証 b. 樣品製作驗証 c. QE驗証 設(shè)計階段驗証 設(shè)計實驗階段應(yīng)該養(yǎng)成記錄的習(xí)慣,記錄可以驗証實驗結(jié)果是否與電氣規(guī)格相符,以下即就DA14B33設(shè)計階段驗証做說明(驗証項目視規(guī)格而定). 電氣規(guī)格驗証: 3843 PIN3腳電壓(full load 4A) : 90V/47Hz = 115V/60Hz = 132V/60Hz = 180V/60Hz = 230V/60Hz = 264V/63Hz = Duty Cycle , fT: Vin(min) = 100V (90V / 47Hz full load) Stress (264V / 63Hz full load) : Q1 MOSFET: 輔助電源(開機,滿載)、短路Pin max.: Static (full load) Pin(w) Iin(A) Iout(A) Vout(V) . Ripple(mV) Pout(w) eff 90V/47Hz 4 32 115V/60Hz 0..31 4 28 132V/60Hz 4 29 180V/60Hz 4 30 230V/60Hz 4 29 264V/60Hz 4 29 Full Range負載() (驗証是否有振盪現(xiàn)象) 回授失效(輸出輕載) Vout = Vout = .(過電流保護) 90V/47Hz = 264V/63Hz = Pin(max.) 90V/47Hz = 264V/63Hz = Dynamic test H=4A,t1=25ms,slew Rate = (Rise) L=,t2=25ms,slew Rate = (Full) 90V/47Hz 264V/63Hz HIPOT test: HIPOT test一般可分為兩種等級: 輸入為3 Pin(有FG者),HIPOT test為1500Vac/1216。 輸入為2 Pin(無FG者),HIPOT test為3000Vac/1216。 DA14B33屬于輸入3 PIN HIPOT test 為1500Vac/1 minute. Grounding test: 輸入為3 Pin(有FG者),一般均要測接地阻(Grounding test),安規(guī)規(guī)定FG到輸出線材(輸出端)的接地電阻不能超過100MΩ(). 溫昇記錄設(shè)計實驗定桉后(暫定),需針對整體溫昇及EMI做評估,若溫昇或EMI無法符合規(guī)格,D5原來使用BYV118(10A/40V Schottky barrier 肖特基二極管 ),因溫昇較高改為PBYR1540CTX(15A/40V). EMI測試: EMI測試分為二類: Conduction(傳導(dǎo)干擾)216。 Radiation(幅射干擾)216。 前者視規(guī)范不同而有差異(FCC : 450K 30MHz,CISPR 22 :150K 30MHz),前者可利用廠內(nèi)的頻譜分析儀驗証。后者(范圍由30M 300MHz,則因廠內(nèi)無設(shè)備必須到實驗室驗証,Conduction,Radiation測試資料請參考附件) . 機構(gòu)尺寸: 設(shè)計階段即應(yīng)對機構(gòu)尺寸驗証,驗証的項目包括 : PCB尺寸、零件限高、零件禁置區(qū)、螺絲孔位置及孔徑、外殼孔寸….,若設(shè)計階段無法驗証,則必須在樣品階段驗証. 樣品驗証: 樣品製作完成后,除溫昇記錄、EMI測試外(是否需重新驗証,視情況而定),每一臺樣品都應(yīng)經(jīng)過驗証(包括電氣及機構(gòu)尺寸),此階段的電氣驗証可以以ATE(Chroma)測試來完成,ATE測試必須與電氣規(guī)格相符. QE驗証: QE針對工程部所提供的樣品做驗証,工程部應(yīng)提供以下交件及樣品供QE驗証.
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