如何看懂mosfet規(guī)格書-資料下載頁
2025-07-24 05:28本頁面
【正文】 AS后，對比datasheet上的EAS值，若在datasheet的范圍內(nèi)，則可認為是安全的（當然前提是雪崩電流同時，還得注意，EAS隨結(jié)溫的增加是減小的，如下圖：2）重復(fù)雪崩能量 EAR：上圖為典型的重復(fù)雪崩波形，對應(yīng)的重復(fù)雪崩能量為：其中，VBR=，對比datasheet上的EAR值，若在datasheet的范圍內(nèi)，則可認為是安全的（此處默認重復(fù)雪崩電流同時也得考慮結(jié)溫的影響9體內(nèi)二極管參數(shù)VSD，二極管正向壓降 ==這個參數(shù)不是關(guān)注的重點,trr，二極管反向回復(fù)時間 ==越小越好，Qrr，反向恢復(fù)電荷 ==Qrr大小關(guān)系到MOSFET的開關(guān)損耗，越小越好，trr越小此值也會小10不同拓撲 MOSFET 的選擇針對不同的拓撲，對MOSFET的參數(shù)有什么不同的要求呢？怎么選擇適合的MOSFET？歡迎大家發(fā)表意見，看法1). 反激：反激由于變壓器漏感的存在，MOSFET會存在一定的尖峰，因此反激選擇MOSFET時，我們要注意耐壓值。通常對于全電壓的輸入，MOSFET耐壓(BVDSS)得選600V以上，一般會選擇650V。若是QR反激，為了提高效率，我們會讓MOSFET開通時的谷底電壓盡量低，這時需要取稍大一些的反射電壓，這樣MOSFET的耐壓值得選更高，通常會選擇800V MOSFET。2). PFC、雙管正激等硬開關(guān)：a) 對于PFC、雙管正激等常見硬開關(guān)拓撲，MOSFET沒有像反激那么高的VDS尖峰，通常MOSFET耐壓可以選500V, 600V。b) 硬開關(guān)拓撲MOSFET存在較大的開關(guān)損耗，為了降低開關(guān)損耗，我們可以選擇開關(guān)更快的MOSFET。而Qg的大小直接影響到MOSFET的開關(guān)速度，選擇較小Qg的MOSFET有利于減小硬開關(guān)拓撲的開關(guān)損耗3). LLC諧振、移相全橋等軟開關(guān)拓撲：LLC、移相全橋等軟開關(guān)拓撲的軟開關(guān)是通過諧振，在MOSFET開通前讓MOSFET的體二極管提前開通實現(xiàn)的。由于二極管的提前導(dǎo)通，在MOSFET開通時二極管的電流存在一個反向恢復(fù)，若反向恢復(fù)的時間過長，會導(dǎo)致上下管出現(xiàn)直通，損壞MOSFET。因此在這一類拓撲中，我們需要選擇trr，Qrr小，也就是選擇帶有快恢復(fù)特性的體二極管的MOSFET。4). 防反接，Oring MOSFET這類用法的作用是將MOSFET作為開關(guān)，正常工作時管子一直導(dǎo)通，工作中不會出現(xiàn)較高的頻率開關(guān)，因此管子基本上無開關(guān)損耗，損耗主要是導(dǎo)通損耗。選擇這類MOS時，我們應(yīng)該主要考慮Rds(on)，而不去關(guān)心其他參數(shù)。
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