-3_固態(tài)相變的熱力學(xué)-資料下載頁
2025-07-22 08:02本頁面
【正文】 相吞食掉的 α 相晶界面積 S αα ? б αα 就是式（ 3— 6）中的 Δ Gd 令 x= б αα /б αβ 可導(dǎo)出晶界的形核功 Δ G*非均勻 Δ G*非均勻 = ( 3— 10) 由數(shù)學(xué)推導(dǎo)可得 X= б αα /б αβ =2cos θ≧ 2時(shí)，形核不需要額外能量。 233)()1(316??????????????GvxSS與均勻形核相似，考慮球冠的表面積和體積后，得球冠的臨界半徑為： r*=2 бαβ/△ G v （ 3— 9） 形核功由下式給出： Δ G*非均勻 / △ G* 均勻 = V *非均勻 / V * 均勻 =S(θ) ? S(θ )形狀因子 ,其表達(dá)式為 2) c o s (1 )c o s (221)S( ??? ????????? c os2?如 б αα =2 б αβ 則 θ=0，不存在形核勢(shì)壘 如 (б αα /б αβ )→0, 則 θ=90176。 ,晶界對(duì)形核無促進(jìn)作用 如 θ=60176。 ,則 △ G*非均勻 / △ G* 均勻 ≈1/3 可見晶界形核比均勻形核有明顯優(yōu)勢(shì)。界棱、界隅處的形核功更進(jìn)一步降低，見圖示 ? 晶界不同部位對(duì)形核的貢獻(xiàn)不等 ， 如圖所示 ?？梢?， 晶核最容易在界隅形成 ， 其次是界棱 ，再次是界面 。 ? 雖然界面形核不如界棱及界隅容易 ， 但由于界面面積大 ， 界面上提供的形核位置多 ， 將以界面形核為主 。 界隅形核晶核示意圖 位錯(cuò)形核 ? 位錢從以下幾方面促進(jìn)形核： ? 1．圍繞位錯(cuò)形核后，位借消失，釋放出畸變能。 ? 2．對(duì)于半共格晶核，原有的位錯(cuò)可作為補(bǔ)償錯(cuò)配的界面位錯(cuò)，使形核時(shí)的能量增值減小。 ? ，位錯(cuò)又是擴(kuò)散的通 道， 當(dāng)新相中溶質(zhì)含量較高時(shí)，此處容易滿足成分上的要求。 ? 圍繞位錯(cuò)形成的晶核，形狀大致如圖所示。圖中的小心線是原來的位錯(cuò)線所占的位置。 沿位錯(cuò)形成的晶核的形狀 ? 空位對(duì)脫溶沉淀的促進(jìn)作用已得到實(shí)驗(yàn)證實(shí)。時(shí)效硬化合金在高溫淬火時(shí)，經(jīng)保溫后快速冷卻，可獲得大量過飽和空位，重新加熱至較低溫度時(shí)，晶界附近的過飽和空位進(jìn)入晶界而淹沒，所以晶界附近基本無沉淀相，形成所謂的“無析出區(qū)”。遠(yuǎn)離晶界處仍保留較多的空位，它加速了原子擴(kuò)散，同時(shí)形成空位集團(tuán)，給形核提供了能量，沉淀相易于在這里形核長大。
環(huán)評(píng)公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1