第6章存儲(chǔ)器及其接口-資料下載頁(yè)
2025-07-20 12:24本頁(yè)面
【正文】 ? 每個(gè)存儲(chǔ)單元將對(duì)應(yīng)多個(gè)地址 （ 地址重復(fù) ） ， 需要選取一個(gè)可用地址 ? 可簡(jiǎn)化譯碼電路的設(shè)計(jì) ? 但系統(tǒng)的部分地址空間將被浪費(fèi) 示例 59 部分譯碼示例 138 A17 A16 A11～ A0 A14 A13 A12 (4) (3) (2) (1) 2732 2732 2732 2732 C B A E3 E2 E1 IO/M CE CE CE CE Y0 Y1 Y2 Y3 請(qǐng)看地址分析 60 部分譯碼示例 —— 地址分析 1 2 3 4 芯片 10 10 10 10 A19～ A15 20220H～ 20FFFH 21000H～ 21FFFH 22022H～ 22FFFH 23000H～ 23FFFH 全 0～全 1 全 0～全 1 全 0～全 1 全 0～全 1 000 001 010 011 一個(gè)可用地址 A11～ A0 A14～ A12 61 線選譯碼 ? 只用少數(shù)幾根高位地址線進(jìn)行芯片的譯碼 ， 且每根負(fù)責(zé)選中一個(gè)芯片 （ 組 ） ? 雖構(gòu)成簡(jiǎn)單 ， 但地址空間嚴(yán)重浪費(fèi) ? 必然會(huì)出現(xiàn)地址重復(fù) ? 一個(gè)存儲(chǔ)地址會(huì)對(duì)應(yīng)多個(gè)存儲(chǔ)單元 ? 多個(gè)存儲(chǔ)單元共用的存儲(chǔ)地址不應(yīng)使用 示例 62 線選譯碼示例 A14 A12～ A0 A13 (1) 2764 (2) 2764 CE CE 請(qǐng)看地址分析 63 線選譯碼示例 —— 地址分析 1 2 芯片 A19～ A15 04000H～ 05FFFH 02022H～ 03FFFH 全 0～全 1 全 0～全 1 1 0 0 1 一個(gè)可用地址 A12～ A0 A14 A13 切記： A14 A13＝“ 00” 的情況不能出現(xiàn)， 此時(shí) 00000H～ 01FFFH 的地址將不能使用 64 片選端譯碼小結(jié) ? 存儲(chǔ)芯片的片選控制端可以被看作是一根最高位地址線 ? 在系統(tǒng)中 ， 主要與地址發(fā)生聯(lián)系：包括 地址空間的選擇 （ 接系統(tǒng)的 IO/M信號(hào) ） 和高位地址的譯碼選擇 （ 與系統(tǒng)的高位地址線相關(guān)聯(lián) ） ? 對(duì)一些存儲(chǔ)芯片通過(guò)片選無(wú)效可關(guān)閉內(nèi)部的輸出驅(qū)動(dòng)機(jī)制 ， 起到降低功耗的作用 65 4. 存儲(chǔ)芯片的讀寫控制 ? 芯片 OE與系統(tǒng)的讀命令線相連 ? 當(dāng)芯片被選中 、 且讀命令有效時(shí) ， 存儲(chǔ)芯片將開(kāi)放并驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)到總線 ? 芯片 WE與系統(tǒng)的寫命令線相連 ? 當(dāng)芯片被選中 、 且寫命令有效時(shí) ， 允許總線數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)芯片 66 綜合舉例 —— 一個(gè)綜合性例子 (最大組態(tài) ) CS1 A12 OE CS2 6264 A11~A0 WE 138 C B A Y0 Y1 Y2 E3 E2 E3 +5V A17 A16 A11~A0 D7~D0 A12 A15 A14 A13 MEMR MEMW +5V CS2 CS1 A12 OE D7~D0 D7~D0 6264 A11~A0 WE CE OE 2732 A11~A0 D7~D0 CE OE 2732 A11~A0 D7~D0 請(qǐng)進(jìn)行地址分析 67 綜合舉例 —— 地址分析 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 0 A15 ～ A13 00000H～ 01FFFH 02022H～ 03FFFH 04000H～ 04FFFH 05000H～ 05FFFH 一個(gè)可用地址 XX 00 XX 00 XX 00 XX 00 A19～ A16 62641 62642 27321 27322 芯片 全 0～全 1 全 0～全 1 A12 A11 ～ A0 全 0～全 1 全 0～全 1 0 1 8選 1譯碼 2選 1譯碼 通過(guò)與門組合 這 2個(gè)譯碼輸出信號(hào) 68 存儲(chǔ)器與 CPU連接應(yīng)注意的問(wèn)題 ? 1. CPU總線的負(fù)載能力 。 CPU外部總線的負(fù)載能力可帶一個(gè)標(biāo)準(zhǔn) TTL負(fù)載 ， 連接的存儲(chǔ)器芯片較多時(shí) ，應(yīng)增加總線驅(qū)動(dòng)能力 ， 常用緩沖器或總線驅(qū)動(dòng)器 。 ? 2. 各種信號(hào)的配合與連接 。 數(shù)據(jù)線 :存儲(chǔ)器芯片的數(shù)據(jù)入 、 出線分開(kāi)的芯片需在加三態(tài)門 ,才和 DB連接 . 地址線 :對(duì)動(dòng)態(tài) RAM， 在 CPU和存儲(chǔ)器之間加多路開(kāi)關(guān) ， 將地址的行列 （ 高位與低位 ） 分別送存儲(chǔ)器 。 控制線：需注意電平的配合 。 ? 。 ? 4. 存儲(chǔ)器的地址分配及片選信號(hào)的產(chǎn)生 。 69 第 6章教學(xué)要求 1. 掌握半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類 ， 了解應(yīng)用特點(diǎn)； 2. 熟悉半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片的結(jié)構(gòu)； 3. 了解 SRAM 611 DRAM 211 EPROM 271 EEPROM 2817A的引腳功能； 4. 理解 SRAM讀寫原理 、 DRAM讀寫和刷新原理 、 EPROM和 EEPROM工作方式 5. 掌握存儲(chǔ)芯片與 CPU連接的方法 ， 特別是片選端的處理 ； 6. 了解存儲(chǔ)芯片與 CPU連接的總線驅(qū)動(dòng)和時(shí)序配合問(wèn)題 。 7. 本章 ， 自學(xué)
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