【正文】 Ⅰ級 ； Ⅱ、Ⅲ級 ； 每個典型TTL門的，當時，該電路所帶的最大負載功率 Ⅰ級總功率 Ⅱ級、Ⅲ級總功率 殼溫 。 對于Ⅰ級 ； Ⅱ級 ； Ⅲ級 。 當電路的殼溫超過上述范圍時，功率（輸出電流）必須減小，以保持結(jié)溫在表4規(guī)定的范圍之內(nèi)。圖B1 運算放大器降額曲線B2 晶體管降額準則應用示例 功率降額 晶體管允許的總耗散功率與環(huán)境溫度(或殼溫)的關(guān)系可用圖B2的“功率溫度負荷特性曲線”來表示。 小功率晶體管最大額定功率對應的環(huán)境溫度通常在55176。C～+25176。C之間，當超過了溫度上限后，其允許的總耗散功率值線性下降，直至下降到0，此時的環(huán)境溫度（或殼溫）對應于晶體管的最高結(jié)溫。曲線斜線部分的斜率約等于熱阻的倒數(shù)，它與器件的物理常數(shù)有關(guān)。 圖B2(a)、(b)、(c)陰影部分分別為Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ級降額的允許工作區(qū)。降額的曲線均與額定值曲線平行。晶體管功率與環(huán)境溫度（或殼溫）的降額曲線示例見圖B3和圖B4。 功率晶體管降額應同時考慮滿足功率和溫度的降額準則要求，其降額曲線見圖B5所示。 安全工作區(qū)降額 大功率晶體管的數(shù)據(jù)手冊中通常給出一個確定的安全工作區(qū)(SOA)，當器件在安全工作區(qū)內(nèi)工作時，應保證不發(fā)生二次擊穿現(xiàn)象。 圖B6是大功率晶體管典型的直流工作安全工作區(qū)曲線。安全工作區(qū)降額應按表9對最大額定集電極電流和集電路─發(fā)射極電壓進行降額。再對功率限值和二次擊穿限值進行降額。安全工作區(qū)降額應用示例見圖B6。B3 二極管降額準則應用示例 二極管允許的總耗散功率(或電流)與環(huán)境溫度(或殼溫的)的關(guān)系可用“功率（或電流）溫度負荷曲線”表示（見圖B7）。 小電流或小功率二極管最大額定電流或功率對應的環(huán)境溫度范圍通常在55C176?！?25176。C之間，當超過了溫度上限后，其允許的電流或功率將線性下降，直至下降到0，此時的環(huán)境溫度（或殼溫）對應于二極管的最高結(jié)溫。曲線斜線部分的斜率約等于熱阻的倒數(shù)，它與器件的物理常數(shù)有關(guān)。 圖B7(a)、(b)、(c)陰影部分分別為Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ級降額的允許工作區(qū)。降額的曲線均與額定值曲線平行。 圖B8和圖B9分別為整流二極管和電壓基準二極管降額曲線示例。 大電流整流管按電流和結(jié)溫降額的示例見圖B10。圖B2 晶體管功率降額曲線圖B3 開關(guān)晶體管功率殼溫降額曲線圖B4 高頻晶體管功率環(huán)境溫度降額曲線圖B5 功率晶體管降額曲線圖B6 大功率晶體管安全工作區(qū)降額圖B7 開關(guān)二極管電流環(huán)境溫度降額圖B8 整流二極管電流環(huán)境溫度降額圖B9 穩(wěn)壓二極管功率環(huán)境溫度降額 圖B10 大電流整流二極管降額曲線B4 可控硅降額準則應用示例 可控硅降額準則應用與B3二極管降額準則應用示例相同。降額曲線示例見圖B11。B5 電阻器降額準則應用示例 合成型、薄膜型電阻器、電阻網(wǎng)絡、線繞電阻器、電位器降額準則應用示例 對應不同的電阻器，由額定電功率值，額定環(huán)境溫度（見元件相關(guān)詳細規(guī)范，圖B12示例為70176。C)及電阻器零功率點的最高環(huán)境溫度(圖B12示例為130176。C），可直接作出電阻器負荷特性曲線。進而由功率降額要求畫出與負荷特性曲線的平行線。由圖B12可見，在環(huán)境溫度不大于70176。C(元件額定功率允許的最高環(huán)境溫度見相關(guān)詳細規(guī)范)時，功率降額可以滿足要求；在環(huán)境溫度大于70176。C時，功率必須作進一步降額，以滿足元件熱點溫度降額的要求。B6 電容器降額準則應用示例 典型的電容器（包括固定和可變）的降額曲線示例如圖B13所示。圖中所示的某電容器的額定最高環(huán)境溫度為70176。C，降額至60176。C，對應Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ級降額的工、。圖B11 可控硅降額曲線圖B12 某合成型電阻器降額曲線圖B13 電容器降額曲線附 錄 C集成電路、晶體管、二極管結(jié)溫與環(huán)境溫度的關(guān)系（參考件）C1 集成電路 集成電路可用下述近似公式計算結(jié)溫。 集成電路門數(shù)不大于30個或晶體管數(shù)不大于120個(不包括存儲器)：式中：──環(huán)境溫度，176。C； ──結(jié)溫，176。C。 集成電路門數(shù)大于30個或晶體管數(shù)大于120個，以及所有存儲器： 低功耗TTL及MOS電路： 門數(shù)不大于30個或晶體管數(shù)不大于120個： 門數(shù)大于30個或晶體管數(shù)大于120個：C2 晶體管、二極管 設計中需要確定晶體管、二極管的實際結(jié)溫，而實際可以測到的只是晶體管、二極管的最高工作環(huán)境溫度或殼溫。二者關(guān)系如下： 結(jié)溫近似計算公式 當熱阻未知時可按下述公式近似計算結(jié)溫。 小功率：晶體管 二極管 中功率：晶體管 二極管 式中：──晶體管或二極管結(jié)溫，176。C； ──環(huán)境溫度，176。C； ──管殼溫度，176。C； 熱阻計算法 小功率器件 可用公式C9計算結(jié)溫：式中：──結(jié)溫，176。C； ──環(huán)境溫度，176。C； ──結(jié)與環(huán)境間熱阻，176。C/W； ──平均耗散功率，W。式中：──器件額定結(jié)溫，176。C； ──器件最大額定功率允許的環(huán)境溫度上限，176。C； ──器件的最大額定功率，W。 例如2DG711二極管的詳細規(guī)范確定其 則熱阻。 功率器件 可用下式計算結(jié)溫：式中：──結(jié)溫，176。C； ──管殼溫度，176。C； ──結(jié)與管殼間的熱阻，176。C/W；可按與C10式相同的表達式求出。附 錄 D功率線繞電阻器脈沖功率與脈沖寬度曲線及應用(參考件) 功率型線繞電阻器可以經(jīng)受比穩(wěn)態(tài)工作電壓高得多的脈沖電壓。但在使用中應作相應的降額。圖D1繪出某功率型支架安裝線繞電阻器的脈沖功率和脈沖寬度關(guān)系曲線?，F(xiàn)舉例說明曲線的應用： 對工作環(huán)境，50V非重復脈沖，脈寬，如何選用滿足Ⅰ級降額要求的電阻器？ 求脈沖功率P式中：──脈沖功率，W； ──脈沖電壓，V； ──電阻器電阻值，Ω。 ，脈沖功率為54W的對應點A；則圖D1中最下一條曲線(P=5W)似可以滿足脈沖要求，但由于電阻器功率對應Ⅰ，因此應選用額定功率10W的電阻器。圖D1 線繞電阻器脈沖額定曲線附 錄 E功率型線繞電阻器功率─散熱面積曲線的應用(參考件) 圖E1是線繞電阻器額定功率與散熱面積的關(guān)系曲線示例，由曲線可知某功率型線繞電阻器(圖E1電器2)底部散熱區(qū)面積大于或等于時，其額定功率為10W，在無散熱面時的額定功率為6W。若散熱面積為，對應Ⅰ級降額S=。圖E1 功率線繞電阻器散熱面積曲線附 錄 F電感元件熱點溫度的確定(參考件) 電感元件的熱點溫度可用下述近似公式F1確定：式中：──熱點溫度，176。C； ──環(huán)境溫度，176。C； ΔT──溫升，176。C； ΔT可用直接測量法或電阻變化測定法得到。電阻變化測定法可用下述公式F2：式中：ΔT──溫升，176。C； R──溫度為(t+ΔT)時的線圈電阻，Ω； r──溫度為t時的線圈電阻，Ω； t──規(guī)定的初始環(huán)境溫度，176。C； ──切斷電源時的最高環(huán)境溫度。 其中要求T與t的差值不應大于5176。C。 測量狀態(tài)： ，次級加額定負載。 。附 錄 G 元器件降額準則一覽表(參考件)表G1 元器件降額準則一覽表元器件種類降 額 參 數(shù)降 額 等 級ⅠⅡⅢ電源電壓輸入電壓放大器輸出電流功 率最高結(jié)溫 ℃8095105模電源電壓輸入電壓集比較器輸出電流功 率擬最高結(jié)溫 ℃8095105成電源電壓輸入電壓電電 壓輸入輸出電壓差電調(diào)整器輸出電流功 率路最高結(jié)溫 ℃8095105路電源電壓輸入電壓80模擬開關(guān)輸出電流功 率最高結(jié)溫 ℃8095105雙極型頻 率數(shù)電 路輸出電流字最高結(jié)溫 ℃85100115電電源電壓路MOS 型輸出電流電 路頻 率最高結(jié)溫 ℃85100115厚膜 功率密度 混合集成電路薄膜功率密度 最高結(jié)溫 ℃85100115大規(guī)模集成電路最高結(jié)溫 ℃ 改進散熱方式以降低結(jié)溫續(xù)表G1元器件種類降 額 參 數(shù)降 額 等 級 ⅠⅡⅢ反向一般晶體管電壓功率MOSFET的柵源電壓電 流功 率晶體管功率管安集電極發(fā)射極電壓全工作區(qū)集電極最大允許電流分最高結(jié)溫200115140160()175100125145℃≤150—65—40—20立微波晶體管最高結(jié)溫同晶體管電壓(不適用于穩(wěn)壓管)電 流半二極管功 率(基準管除外)最高結(jié)溫200115140160()175100125145導℃≤150—60—40—20微波二極管基準二極管最高結(jié)溫同二級管體電 壓電 流可控硅最高結(jié)溫200115140160器()175100125145℃≤150—60—40—20電 壓件半導體電 流光電器件最高結(jié)溫200115140160()175100125145℃≤150—60—40—20合成型電 壓固電阻器功 率環(huán)境溫度按元件負荷特性曲線降額定電 壓薄膜型功 率電電阻器環(huán)境溫度按元件負荷特性曲線降額電 壓阻電阻網(wǎng)絡功 率環(huán)境溫度按元件負荷特性曲線降額器電 壓線繞電阻功 率精密型功率型環(huán)境溫度按元件負荷特性曲線降額續(xù)表G1元器件種類降 額 參 數(shù)降 額 等 級 ⅠⅡⅢ電 壓非線繞功 率合成、薄膜型微調(diào)電電位器精密塑料型不采用環(huán)境溫度按元件負荷特性曲線降額位電 壓普通型器線繞電位器功 率非密封功率型————微調(diào)線繞型環(huán)境溫度按負荷特性曲線降額功 率熱敏電阻器最高環(huán)境溫度 ℃—15—15—15直流工作電壓固定玻璃釉型最高額定環(huán)境溫度 ℃—10—10—10直流工作電壓固定云母型最高額定環(huán)境溫度 ℃—10—10—10電直流工作電壓固定陶瓷型最高額定環(huán)境溫度 ℃—10—10—10固定紙/塑料直流工作電壓容薄 膜最高額定環(huán)境溫度 ℃—10—10—10電直流工作電壓————解鋁電解最高額定環(huán)境溫度 ℃—————20器電直流工作電壓容器鉭電解最高額定環(huán)境溫度 ℃—20—20—