【正文】 ，是否多料，少料等；178。 完成貼片程序，核對Mark點位置是否正確，拼板是否與PCB相符，器件方向、極性、位號、數(shù)量等是否正確。5 Dipping flux規(guī)范和操作要求 Dipping Station設(shè)備能力要求表16 Dipping station設(shè)備能力要求表旋轉(zhuǎn)式Rotary Dipping Station刮板式Squeegee Dipping Station設(shè)備圖片作用方式通過料盤旋轉(zhuǎn)動作保證膜厚均勻通過料盤前后動作保證膜厚均勻Dipping厚度調(diào)節(jié)更換不同厚度墊片更換不同厚度墊片/軟件控制切換注意事項由于離心作用，轉(zhuǎn)盤外圍的Dipping厚度會高于轉(zhuǎn)盤內(nèi)圍部分設(shè)備的料盤較大，如果未一次性使用完，物料損耗會比較多設(shè)備選擇可選優(yōu)選 Dipping Station厚度測量要求178。 要求Flux膜厚測量的最小刻度精度到1mil/，優(yōu)選10um；178。 有兩種膜厚測量工具共選擇：片式計量規(guī)和滾軸式計量規(guī)；優(yōu)選滾軸式計量規(guī)，測量精度更高。178。 厚度檢測頻率： 厚度，每次測量前Dipping Station轉(zhuǎn)動3～5次，使Flux厚度均勻一致后再測量；量產(chǎn)穩(wěn)定后測量頻率可調(diào)整為1小時/次；178。 測量時要求連續(xù)測試3次，每次測試3個不同位置，9個測試數(shù)據(jù)須全部滿足厚度規(guī)格要求，并記錄測試時間，測試人員和測試結(jié)果。表17 Dipping station膜厚測量規(guī)對比表片式計量規(guī)滾軸式計量規(guī)計量規(guī)圖片刻度單位英制刻度尺：1mil/格公制刻度尺：20um/格，25um/格公制刻度尺：10um/格測量方式點測量線測量觀察方式目視目視計量規(guī)選擇可選優(yōu)選 Dipping Flux工藝操作要求按照以下工藝要求，保證Dipping Flux工藝品質(zhì)：Dipping Flux工藝操作要求使用前回溫要求POP Flux使用前，應(yīng)先從冷藏柜中取出，放置在陰涼處（不要放在冰箱頂部），常溫回溫≥4小時后才可使用，回溫時不應(yīng)打開封口使用期限遵循“先入庫、先使用”原則在POP Flux保質(zhì)期內(nèi)使用，不允許使用超期POP Flux操作時間POP Flux在Dipping Station中停留時間≤12小時關(guān)鍵工藝參數(shù)需管控Dipping Flux深度、貼片壓力、Dwell time和粘度Dipping Flux深度H一般設(shè)定為焊球高度(B)的50～70％，具體要求參考對應(yīng)產(chǎn)品的工藝加工說明文件，或經(jīng)轉(zhuǎn)換后的產(chǎn)線WI文件Dwell time蘸取停留時間優(yōu)選500ms(與華為單板工藝工程師確認達成一致后可適當調(diào)整)貼片壓力2N(與華為單板工藝工程師確認達成一致后可適當調(diào)整)貼片吸嘴要求能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定吸取芯片和貼放，推薦選用比常規(guī)貼片對應(yīng)的吸嘴規(guī)格內(nèi)面積高1～2個規(guī)格的吸嘴，提高吸嘴吸附力，實現(xiàn)器件從Dipping Flux料盤中的順利吸取貼片順序設(shè)置要求先蘸Flux，后進行相機識別，避免影響貼裝精度。如存在不同焊球高度的Dipping Flux要求：1）對于可自動調(diào)節(jié)深度的Dipping Station，建議貼片順序從焊球高度較低的器件依次向焊球高度較高的芯片，對應(yīng)的Dipping深度從淺到深；2）對于需手工調(diào)節(jié)深度的Dipping Station，要求每個深度配置單獨的Dipping Station。貼片真空檢測開啟，防止在器件吸取偏位的情況下，吸嘴接觸Flux，造成污染圖3 Dipping flux深度示意圖6 AOI工序規(guī)范 AOI工序通用要求生產(chǎn)正常需求爐前必須使用AOI檢測貼裝品質(zhì)，優(yōu)選配置爐后AOI對回流后品質(zhì)檢測，AOI的具體擺放位置根據(jù)產(chǎn)品的具體特性決定（工廠需有一定數(shù)量的產(chǎn)線同時具備爐前AOI和爐后AOI的處理能力）。每年做Gage Ramp。R≤30%以下；使用6年后的AOI設(shè)備需經(jīng)供應(yīng)商校正、確認正常后方可使用。對于爐前AOI設(shè)備，放置在該設(shè)備后的貼片機僅允許貼裝屏蔽框和部分卡座類器件。 AOI設(shè)備能力要求設(shè)備能力要求見下表：表18 AOI設(shè)備能力要求表序號項目技術(shù)指標指標要求1元件測試范圍最小可測器件 Pitch QFP器件、01005器件2PCB處理能力PCB可測區(qū)域范圍50*50～330*250mm(雙軌)50*50～450*515mm(單軌)PCB厚度～4mmPCB板上、下允許元件高度≤25mm3相機及光源要求Camera解析度26um或更高解析度，可調(diào)光源自動調(diào)節(jié)能力自動、連續(xù)可調(diào)，可校準；0~255級可調(diào)光源Multilayer LED4系統(tǒng)指標偏位GRamp。RX、Y≤10％，θ≤30％系統(tǒng)精度（偏移）≤177。10μm@6б5誤測率誤測率≤1000PPM(優(yōu)選)≤10000PPM(可選)6檢出率檢出率≥98%誤測率（False alarm rate）＝（誤報器件總數(shù)/可測器件總數(shù)）100％誤測率指標用于衡量AOI設(shè)備本身的檢測準確度及設(shè)備工程師對判定標準的參數(shù)設(shè)定合理性，如果誤測率太高會影響產(chǎn)線效率，誤測率過低則存在設(shè)定規(guī)格偏寬松的可能，導(dǎo)致部分缺陷不良漏檢；檢出率（Escape rate）＝1（漏測器件數(shù)/總?cè)毕萜骷?shù)）100％檢出率是指AOI設(shè)備可以檢測出的常見貼片缺陷的覆蓋率，用于衡量設(shè)備本身的檢測能力要求及設(shè)備工程師參數(shù)設(shè)定能力要求；表19 AOI對各類器件缺陷的整體測試能力表缺件墓碑側(cè)立反貼偏移少錫連錫極性錯RVVVVVO——CVVV—VO——LVVV—VO——TCVVVVVO—VRNVV—VVOO—CNVV—VVOO—ICV——VVOOO三極管V——OVO—V功率三極管V——VVO—VDVVVVVO—OBGAV———OXXV異形元件V——OOOOO注釋：V：表示全部可測O：表示絕大部分可測，但也有測試受限的情況X：完全不可測，測試受限—：無該不良類型 AOI檢測頻率要求AOI檢測頻率要求試產(chǎn)PCBA測試頻率第一塊PCBA用于AOI程序調(diào)試，可不檢測第二塊PCBA開始檢測除爐前AOI后泛用貼片機貼片器件外的所有器件量產(chǎn)PCBA測試頻率要求對生產(chǎn)中的每塊PCBA作100％ AOI檢測，質(zhì)量工程師和工藝工程師每兩個小時確認AOI良率，如低于規(guī)定良率97%時，改善貼片品質(zhì)。AOI良率是指經(jīng)過AOI檢測之后的滿足貼片品質(zhì)要求的PCBA的貼裝良率，是針對SMT貼裝品質(zhì)的管控要求，通過AOI良率檢測結(jié)果來衡量SMT貼裝品質(zhì)。 器件貼片檢驗標準 偏位規(guī)格標準器件封裝規(guī)格端偏移(um)側(cè)偏移(um)角度偏移I級要求II級要求I級要求II級要求Chip元件1005/*6050605030201/*120801208080402/*15011015011080603/*200150200150100805/*250200250200101206/*250200250200101210/*25020025020010ICBGA/CSP/QFN1001003翼形引腳器件翼形引腳偏移不能超出引腳寬度1/45 阻容元件和小型器件偏位、缺件、反白、錯件、立碑、側(cè)立、飛件等缺陷不可接受。缺陷定義缺陷描述缺陷示意圖缺件器件漏貼(即只有空焊盤和錫膏)反白出現(xiàn)器件翻轉(zhuǎn)錯件器件拾取錯誤(可通過抓取器件本體表面的文字絲印進行檢測) 合格 不合格器件立碑出現(xiàn)器件立碑器件側(cè)立出現(xiàn)器件側(cè)立少錫器件任意焊盤上錫膏少都為不合格器件飛件出現(xiàn)器件飛件(影響到其他器件檢測才能測出來) 翼形引腳器件缺陷定義缺陷描述缺陷示意圖短路任意兩個或兩個以上的引腳連錫不合格極性反器件極性標識與PCB板上對應(yīng)位置的極性標識不一致 BGA/CSP等面陣列器件偏位接受標準：178。 焊球中心位于相對應(yīng)的焊盤以內(nèi)；178。 焊柱或底部焊盤下端接觸面積的80%位于相對應(yīng)的焊盤上；178。 垂直PCB觀看，器件的任何一邊均未超出絲印標示的外側(cè)。漏貼、方向錯誤等缺陷不可接受。7 無鉛回流工序規(guī)范 通用要求無鉛回流工序通用要求回流爐溫區(qū)數(shù)量回流爐的溫區(qū)數(shù)量要求≥8，優(yōu)選≥10回流曲線Reflow Profile測量推薦采用KIC測溫系統(tǒng)或Datapaq測溫系統(tǒng)進行回流曲線測量；原則上，僅允許使用設(shè)備供貨商推薦和許可之熱電偶；根據(jù)供應(yīng)商提供的的保養(yǎng)操作指引，必須對爐溫曲線測試儀進行定期檢查和維護需要注意事項：熱電偶測溫系統(tǒng)需用耐高溫隔熱套保護熱電偶和校正板接觸的位置計算機和測試儀的接口軟件的升級爐溫曲線測量量產(chǎn)產(chǎn)品的爐溫曲線要求每天測量一次；試產(chǎn)產(chǎn)品的爐溫曲線要求每次上線前進行測量；氮氣回流殘氧量要求需要使用氮氣回流焊接的PCBA，一般要求殘氧量控制范圍為2000177。1000ppm（1000~3000ppm）助焊劑回收系統(tǒng)在保證被焊件不受污染的情況下，能維持24小時連續(xù)工作爐膛內(nèi)的清潔、保養(yǎng)周期應(yīng)≤2周 回流爐測溫板要求 產(chǎn)品測溫板制作要求熱電偶安裝位置選擇：178。 大的器件下面、熱容量高的器件表面通常是溫度最低的位置，如CSP和LGA；178。 當組件被安裝在RFshields下面時，其溫度會更低，成為PCBA上的冷點；178。 溫度最高的位置通常是PCB裸露著的表面，小組件或是組件的表面。為能夠很好的觀察產(chǎn)品的profile，在產(chǎn)品至少46個位置上安裝熱電偶。影響回流曲線的關(guān)鍵因素包括：工裝使用、吸熱器件（如數(shù)據(jù)卡產(chǎn)品的USB接地焊端）、器件密度、一體式屏蔽罩等，在終端產(chǎn)品范圍內(nèi)，其它因素對爐溫曲線影響較小。熱電偶安裝要求：178。 在組件下面安裝熱電偶時，最好是先鉆一個孔，然后穿過孔安裝熱電偶；178。 安裝熱電偶時，必須保證線不能接觸到孔內(nèi)的銅層，在非隔熱區(qū)域線與線之間也不能接觸，這樣才能得到欲測位置的溫度；178。 熱電偶安裝到組件上表面時，應(yīng)使用少量的隔熱膠或者隔熱帶(Kapton)。熱電偶固定方法：推薦采用紅膠固定，可選高溫合金（260℃）或PI膠帶固定。圖4 熱電偶選擇位置示意圖 產(chǎn)品測溫板使用要求爐溫板報廢標準（測試前對測溫板進行點檢，點檢不合格維修，維修不合格后報廢）：178。 測溫板出現(xiàn)PCB分層、起泡、2個及以上邊角翹角無法正常過爐、折板、50%以上面積冒黑油等異?，F(xiàn)象；178。 相同參數(shù)設(shè)置條件下，新制作的和使用一段時間以后的測溫板，同一測試點所測得實際溫度相差達177。5℃的狀況。每次測量前，需要爐溫測試板進行檢驗，包括熱電偶是否松動，關(guān)鍵器件是否松脫，PCBA是否嚴重變形/分層等。若熱電偶松動、關(guān)鍵器件松動，要及時調(diào)整、固定。 爐溫曲線定義和要求華為終端產(chǎn)品無鉛回流曲線要求見下表：表20 華為終端產(chǎn)品無鉛回流曲線要求參數(shù)典型值推薦值推薦回流曲線類型線性回流曲線（RTS）/預(yù)熱溫升要求(＜165176。C)≤2176。C /s/均溫區(qū)要求（165176。C 到217176。C）60～100 s7090s最低回流峰值溫度*230176。C240177。5176。C關(guān)鍵組件之間的溫度差10176。C 最高回流峰值溫度*250176。C液態(tài)線（217176。C）以上時間*4580s230176。C以上時間2550s3550s冷卻階段的斜率（T=217120176。C）2~5℃/s范圍內(nèi)斜率越大越好從50176。C到217176。C時間150240s/回流爐溫區(qū)數(shù)量≥8≥10注：最大溫度斜率的計算應(yīng)該是最少間隔5s注：表19中*部分內(nèi)容，CEM1板材的最低回流峰值溫度為230176。C，最高回流峰值溫度為235176。C，液相線以上時間為25~50s；建議固定臺模塊的二次組裝的峰值溫度不超過235176。C。圖5 華為終端典型無鉛回流曲線示意圖178。 以上工藝參數(shù)要求均針對焊點實測溫度。PCBA上焊點最熱點和最冷點均需要滿足以上規(guī)范要求。在條件允許的情況下，對于含有推薦值得條款，優(yōu)選按照推薦值執(zhí)行；178。 一般情況下，最熱點為PCBA上chip類焊點，最冷點為大BGA類焊點；178。 曲線調(diào)制中，還需要滿足PCBA上元器件的封裝體耐溫要求。封裝體耐溫標準按照IPC/JEDEC JSTD020D標準，封裝體測溫方法按照JEP 140標準。針對華為終端含有POP的產(chǎn)品，無鉛回流曲線要求見下表：表21 華為終端POP產(chǎn)品無鉛回流曲線要求參數(shù)規(guī)格值推薦回流曲線類型線性回流曲線（RTS）預(yù)熱溫升要求(＜165176。C)≤2176。C /s均溫區(qū)要求（165176。C 到217176。C）70～90 s（推薦65~85s）最低回流峰值溫度2