【正文】 質(zhì)稱(chēng)為完全導(dǎo)電性。完全導(dǎo)電性是對(duì)直流而言的，在交流情況下，超導(dǎo)體不再具有超導(dǎo)電性，它將出現(xiàn)能量損耗。⑵完全抗磁性給處于超導(dǎo)態(tài)的某物體外加一磁場(chǎng)，磁感線將無(wú)法穿透該物體，即保持超導(dǎo)體內(nèi)的磁通為零，稱(chēng)為完全抗磁性，又稱(chēng)為邁斯納效應(yīng)。⑶超導(dǎo)體的性能指標(biāo)臨界溫度（Tc）∶超導(dǎo)體從呈現(xiàn)一定電阻的正常態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娮铻榱愕某瑢?dǎo)態(tài)時(shí)所處的溫度，稱(chēng)為臨界溫度（Tc），又稱(chēng)轉(zhuǎn)變溫度。臨界溫度是物質(zhì)的本征參量。物質(zhì)不同，其Tc值也不同。一般金屬的Tc極低。臨界磁場(chǎng)（Hc）∶當(dāng)外加磁場(chǎng)達(dá)到一定數(shù)值時(shí)，超導(dǎo)體的超導(dǎo)性即被破壞，物質(zhì)從超導(dǎo)態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)檎B(tài)，這一磁場(chǎng)值即稱(chēng)為臨界磁場(chǎng)。由此可見(jiàn)，超導(dǎo)體只有在臨界溫度和臨界磁場(chǎng)下才具有完全抗磁性和完全導(dǎo)電性。臨界電流（Ic）∶在一定的溫度和磁場(chǎng)下，當(dāng)超導(dǎo)金屬中的電流達(dá)到某一數(shù)值后超導(dǎo)性會(huì)遭到破壞，這一數(shù)值就是臨界電流。超導(dǎo)物理中還把每平方厘米截面上可通過(guò)的最大電流值叫做臨界電流密度，用Ic表示。⑷超導(dǎo)材料的應(yīng)用具有低臨界轉(zhuǎn)變溫度（Tc＜30K），在液氦溫度條件下工作的超導(dǎo)材料，稱(chēng)為低溫超導(dǎo)材料（low temperature superconducting material）。超導(dǎo)材料大致可分為純金屬，合金和化合物三類(lèi)。目前，已發(fā)現(xiàn)近30 種元素的單質(zhì)，8000多種化合物和合金具有超導(dǎo)性能。低溫超導(dǎo)材料由于Tc低，必須在液氦溫度下使用，運(yùn)轉(zhuǎn)費(fèi)用昂貴。 由于具有實(shí)用價(jià)值的低溫超導(dǎo)金屬NbTi（鈮鈦）合金優(yōu)良的超導(dǎo)電性和加工性能，其Tc ，其使用已占低溫超導(dǎo)合金的95%左右。NbTi 合金可用多芯復(fù)合加工法加工成以銅（或鋁）為基體的多芯復(fù)合NbTi/Cu（鈮鈦與銅）超導(dǎo)線材（，），可用于制造MRI設(shè)備的超導(dǎo)磁體。超導(dǎo)磁體主要由超導(dǎo)螺線管線圈（簡(jiǎn)稱(chēng)超導(dǎo)線圈）、高真空超低溫杜瓦容器、以及附屬部件構(gòu)成。⑴超導(dǎo)線圈同常導(dǎo)型磁體一樣，超導(dǎo)磁體也由線圈中的電流產(chǎn)生磁場(chǎng)。超導(dǎo)磁體采用超導(dǎo)材料螺線管線圈、以及勻場(chǎng)線圈設(shè)計(jì)可達(dá)到MRI設(shè)備對(duì)靜磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度和均勻性的高標(biāo)準(zhǔn)要求。超導(dǎo)螺線管內(nèi)軸線上的磁感強(qiáng)度是勻強(qiáng)的；在磁介質(zhì)一定的前提下，其場(chǎng)強(qiáng)僅與線圈的匝數(shù)和流經(jīng)線圈的電流強(qiáng)度有關(guān)。因此，改變超導(dǎo)磁體螺線管線圈的匝數(shù)或電流均可使其所產(chǎn)生磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度發(fā)生變化?！榱斯潭ǔ瑢?dǎo)線圈繞組的線匝，并防止其滑動(dòng)，要用低溫特性?xún)?yōu)良的環(huán)氧樹(shù)脂澆灌、固定、封裝繞好的超導(dǎo)線圈繞組，環(huán)氧樹(shù)脂封裝超導(dǎo)線圈繞組的強(qiáng)度需要確保其能夠抵抗并承受勵(lì)磁過(guò)程中線圈整體受到的徑向和軸向的擠壓力，而不發(fā)生位移。超導(dǎo)螺線管線圈繞組前后兩個(gè)端點(diǎn)處，場(chǎng)強(qiáng)將減小為其最大值即線圈中心磁場(chǎng)強(qiáng)度值的50%。因此需要進(jìn)行場(chǎng)強(qiáng)校正，即在線圈繞組前后兩端適當(dāng)增加匝數(shù)（圖36和圖37）以補(bǔ)償兩端的磁場(chǎng)強(qiáng)度，確保螺線管內(nèi)部軸線方向上、盡可能長(zhǎng)的范圍內(nèi)（例如53CM）的縱向磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度能夠做到處處相等。超導(dǎo)線圈正常工作后，就獲得了穩(wěn)定的主磁場(chǎng)（B0），它是質(zhì)子發(fā)生磁共振的基本條件。⑵杜瓦容器超導(dǎo)線圈須浸泡在高真空、全密封、超低溫、液氦杜瓦容器中方能工作，其磁體制造工藝比較復(fù)雜，定期補(bǔ)充液氦也給用戶(hù)帶來(lái)一定的消耗成本。⑶附屬部件為確保杜瓦容器和超導(dǎo)線圈安全穩(wěn)定地運(yùn)行，設(shè)置有致冷劑（液氮和液氦）液面計(jì)、超導(dǎo)開(kāi)關(guān)、勵(lì)磁和退磁電路、失超控制和安全保護(hù)電路等附屬部件。 ()，因此必須將其浸泡在液氦里才能保證其以超導(dǎo)體方式正常工作。MRI磁體超導(dǎo)環(huán)境的建立需要經(jīng)歷下述三個(gè)步驟：⑴抽真空環(huán)形真空絕熱層是超導(dǎo)磁體的重要保冷屏障，其保冷性能主要決定于它的真空度。由分子泵和機(jī)械泵組成的真空泵組，能使超導(dǎo)磁體內(nèi)的真空度達(dá)到106~107mbar，以保證超導(dǎo)磁體的真空絕熱性能。⑵磁體預(yù)冷磁體預(yù)冷是指用致冷劑將杜瓦容器（磁體）內(nèi)的溫度分別降至其工作溫度的過(guò)程。磁體預(yù)冷過(guò)程分為兩個(gè)階段，需要消耗大量的液氮和部分液氦。第一階段將價(jià)格相對(duì)便宜的液氮直接導(dǎo)入磁體內(nèi)部預(yù)冷至77K（196℃）。液氮預(yù)冷完成后，第二階段再改用價(jià)格相對(duì)昂貴的液氦，將其不間斷地導(dǎo)入磁體內(nèi)部，用液氦氣化產(chǎn)生的壓力將磁體內(nèi)部的液氮全部“吹走”、“吹”干凈，（℃，與室溫相差近300℃）。⑶灌滿液氦 ，液氦氣化減弱，液氦開(kāi)始駐留在磁體內(nèi)部，直至將磁體灌滿，一般可罐充到滿容量的95％左右，剩余空間屬于液氣兩相的平衡面和氦氣的空間。，超導(dǎo)線圈將實(shí)現(xiàn)從正常態(tài)至超導(dǎo)態(tài)的轉(zhuǎn)變，超導(dǎo)環(huán)境從而建立起來(lái)。勵(lì)磁又叫充磁，是指超導(dǎo)磁體系統(tǒng)在磁體勵(lì)磁電源的控制下逐漸給超導(dǎo)線圈施加電流，從而建立預(yù)定靜磁場(chǎng)的過(guò)程。勵(lì)磁一旦成功，超導(dǎo)磁體就將在不消耗能量的情況下，提供強(qiáng)大的、高度穩(wěn)定的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。典型的超導(dǎo)勵(lì)磁電源為10V，4000A，要求優(yōu)質(zhì)的電流穩(wěn)定度。勵(lì)磁電流沿著一對(duì)銅制電流輸送排從勵(lì)磁電源系統(tǒng)被送往位于磁體上方的超導(dǎo)線圈頸管聯(lián)接處為超導(dǎo)線圈“充電”、充磁。⑴失超所謂失超，即超導(dǎo)體變?yōu)閷?dǎo)體，溫度急劇升高，液氦大量揮發(fā)，磁場(chǎng)強(qiáng)度迅速下降，不過(guò)，現(xiàn)代磁體設(shè)計(jì)相應(yīng)的防范監(jiān)控系統(tǒng)，以使運(yùn)行中失超的可能性降低。在勵(lì)磁或工作過(guò)程中，一旦超導(dǎo)體因某種原因突然失去超導(dǎo)特性而進(jìn)入正常態(tài)，即失超。引起失超的因素很多：磁體結(jié)構(gòu)和線圈組份、超導(dǎo)材料性能不穩(wěn)定、磁體超低溫環(huán)境被破壞、以及人為因素等。常見(jiàn)的失超有如下五類(lèi)情況：第一類(lèi)：勵(lì)磁時(shí)充磁電流超過(guò)額定值或者充磁電流增加速度過(guò)快均會(huì)導(dǎo)致超導(dǎo)線圈整體受到徑向和軸向的電磁擠壓力使得浸漬于線圈繞組之間的環(huán)氧樹(shù)脂局部開(kāi)裂，此變形能的釋放會(huì)轉(zhuǎn)化為熱能，從而引發(fā)失超。第二類(lèi)：，會(huì)引起杜瓦容器內(nèi)液氦沸騰，迅速氣化并噴發(fā)而出，導(dǎo)致超導(dǎo)環(huán)境遭到破壞，從而引發(fā)失超。第三類(lèi)：磁體杜瓦容器中的液氦液面降到一定限度(各廠家規(guī)定的液氦低限容量不等，一般極限經(jīng)驗(yàn)值是滿容量的30％)時(shí)，如果仍未按規(guī)定及時(shí)補(bǔ)充，則會(huì)導(dǎo)致失超。第四類(lèi)：磁體的真空隔溫層真空環(huán)境破壞后，發(fā)生失超是肯定無(wú)疑的。第五類(lèi)：誤操作緊急失超開(kāi)關(guān)造成“意外”失超。⑵失超與和去磁失超和磁體去磁是兩個(gè)完全不同的概念。去磁只是通過(guò)磁體特殊設(shè)計(jì)的超導(dǎo)線開(kāi)關(guān)電路慢慢泄去其儲(chǔ)存的巨大能量（），使線圈電流逐漸減小為零，但線圈仍然浸泡在磁體杜瓦容器的液氦中，因此仍處于超導(dǎo)態(tài)。去磁一般是需要將MRI設(shè)備移機(jī)、拆除、或遇緊急情況時(shí)所主動(dòng)做的工作。失超則是被動(dòng)的，并且后果很?chē)?yán)重，失超后不僅磁場(chǎng)消失，而且線圈失去超導(dǎo)性，會(huì)將電磁能量轉(zhuǎn)換為熱能。失超開(kāi)始點(diǎn)總要經(jīng)受最高溫升，此局部溫升既可能破壞磁體超導(dǎo)螺線管線圈繞組的絕緣，又可能熔化超導(dǎo)體，并且引起液氦急劇氣化，嚴(yán)重時(shí)甚至引發(fā)接口爆裂、磁體“爆炸”而破壞整個(gè)磁體，并威脅磁體間中人員和財(cái)產(chǎn)的安全。失超后的線圈不可能從磁體中取出更換，只能重建其超導(dǎo)環(huán)境、勵(lì)磁后繼續(xù)使用，但是因?yàn)槭С^(guò)后的線圈已經(jīng)遭到某種程度的破壞，其再次發(fā)生失超的可能性增加，甚至形成“習(xí)慣性”失超的惡果，因此建立失超的預(yù)防和保護(hù)系統(tǒng)是十分重要的，首先通過(guò)傳感器、探測(cè)器實(shí)時(shí)監(jiān)控磁體的狀態(tài)，同時(shí)建立勵(lì)磁時(shí)的失超保護(hù)、以及超導(dǎo)建立并運(yùn)行后的失超保護(hù)等防范措施。⑴磁體監(jiān)控和保護(hù)措施磁體監(jiān)控裝置實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)量磁體線圈溫度、應(yīng)力、液氦液位、真空度、流量、杜瓦容器壓力等參數(shù)值的變化。在磁體杜瓦容器里，安裝液位計(jì)和加熱器，用于測(cè)量和控制液氦液位高度，鉑－鈷合金溫度計(jì)用于檢測(cè)液氦溫度；碳玻璃纖維溫度計(jì)用于檢測(cè)從液氮至室溫段的溫度。將應(yīng)變片安裝在超導(dǎo)線圈的徑向和軸向支撐桿上，用于監(jiān)測(cè)線圈的偏移和受力情況；超導(dǎo)線圈上下各安裝一個(gè)失超探測(cè)器。為了診斷失超部位及研究其傳播速度，還需要引出若干電壓抽頭引線，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)超導(dǎo)螺線管線圈繞組各個(gè)節(jié)段的失超電壓。在杜瓦容器的真空抽口附近還要安裝檢驗(yàn)滲漏的氦傳感器，以及真空計(jì)、壓力表等。⑵失超管（quench tube）失超管是超導(dǎo)磁體不可缺少的一部分。它匯集了磁體的所有氣體揮發(fā)管口，從磁體上端直通磁體間建筑外大氣中。平時(shí)，失超管的作用就是排除廢氣。一旦失超，磁體杜瓦容器中近2000升液氦揮發(fā)的全部氦氣（）將從失超管?chē)姵?。如果失超管設(shè)計(jì)尺寸不足、鋪設(shè)路徑不合理、不通暢、甚至堵塞，磁體因內(nèi)部壓力快速增高而被損壞的可能性將增大。⑶氧監(jiān)測(cè)器和應(yīng)急排風(fēng)機(jī)氦氣的比重小于空氣，而氮?dú)庥种赜诳諝?，所以補(bǔ)充致冷劑或失超后上述兩種氣體的泄漏有可能充滿磁體間的所有空間，使人窒息。因此，要求在磁體間安裝氧監(jiān)測(cè)裝置和應(yīng)急排風(fēng)機(jī)。并且應(yīng)急排風(fēng)機(jī)的開(kāi)關(guān)可由氧監(jiān)測(cè)裝置自動(dòng)控制，當(dāng)磁體間氧含量低于設(shè)定濃度值時(shí)，應(yīng)急排風(fēng)機(jī)將自動(dòng)打開(kāi)，當(dāng)發(fā)生磁體失超或氦氣泄漏時(shí)，可保障仍然滯留在磁體間內(nèi)人員的安全。⑷緊急失超開(kāi)關(guān)緊急失超開(kāi)關(guān)又稱(chēng)為磁體急停單元（Emergency RunDown Unit ，ERDU），是人工強(qiáng)制主動(dòng)失超的控制開(kāi)關(guān)，裝于磁體間內(nèi)靠近門(mén)口的墻上，其作用是在緊急和危險(xiǎn)情況下迅速使靜磁場(chǎng)削減為零。該開(kāi)關(guān)僅用于地震、火災(zāi)和危及受檢者生命等突發(fā)事件時(shí)使用。出于安全考慮，可在失超按鈕上加裝隔離罩。需要嚴(yán)格控制進(jìn)出磁體間的人員對(duì)該開(kāi)關(guān)的非正常操作。 ⑸除須具備上述失超保護(hù)電路和措施之外，每位MRI技師和工程師還必須每日例行如下工作：第一：觀察和記錄液氦水平和磁體壓力，液面下降到一定數(shù)值（例如60%）時(shí)要立即通知液氦供應(yīng)商前來(lái)灌裝。第二：例行磁體各對(duì)外管口的常規(guī)檢查。磁體上方各排氣管路應(yīng)保持暢通，以免容器內(nèi)壓力升高而導(dǎo)致失超。各輸液口應(yīng)密封完好，發(fā)現(xiàn)結(jié)冰要立即處理。通向室外的失超管應(yīng)有防塵措施，并定期清理，防止堵塞。⑹失超后需要重新抽真空、液氮預(yù)冷、灌注液氦、勵(lì)磁等過(guò)程重建超導(dǎo)環(huán)境，其直接經(jīng)濟(jì)損失約50－70萬(wàn)元人民幣。超導(dǎo)型磁體的出現(xiàn)，既滿足磁共振成像對(duì)高磁場(chǎng)強(qiáng)度的追求和需要，顯著提升磁共振成像的質(zhì)量，又使磁場(chǎng)在均勻性和穩(wěn)定性等方面的性能得以改善。超導(dǎo)磁體的優(yōu)點(diǎn)：磁場(chǎng)強(qiáng)度高（，～，），超導(dǎo)磁體的磁場(chǎng)穩(wěn)定（），磁場(chǎng)均勻度高，幾乎不受環(huán)境溫度的波動(dòng)影響，超導(dǎo)線圈不持續(xù)消耗電能，容易獲得高分辨率、高信噪比、高質(zhì)量的MR影像，能進(jìn)行磁共振波譜分析及功能性磁共振成像等一些研究項(xiàng)目。當(dāng)然超導(dǎo)磁體也有一些缺點(diǎn)：如維持運(yùn)行費(fèi)用較高，需要持續(xù)消耗一定量的液氦（近年來(lái)，隨著冷頭技術(shù)的不斷進(jìn)步超導(dǎo)磁體液氦消耗水平呈不斷下降趨勢(shì)）；磁體的構(gòu)造和工藝復(fù)雜，整機(jī)價(jià)格昂貴；對(duì)操作者和管理者技術(shù)水平的要求很高；特殊情況下當(dāng)線圈溫度超過(guò)8K時(shí)可能發(fā)生失超的危險(xiǎn)。MRI設(shè)備產(chǎn)生強(qiáng)大磁場(chǎng)，明顯影響周?chē)h(huán)境。磁屏蔽可防止磁場(chǎng)影響附近的電子設(shè)備，如CT機(jī)、X光機(jī)、影像增強(qiáng)器、監(jiān)示器、心電圖儀、腦電圖儀等，并可防止影響到掃描室外攜帶心臟起搏器的病人。另外，較大金屬物品如汽車(chē)、鋼瓶等從附近經(jīng)過(guò)，會(huì)影響磁場(chǎng)的均勻性，磁屏蔽可防止這種影響。通常磁屏蔽采用足夠厚度的鐵組成，鐵像海綿樣吸收磁力線，目前磁體均采用自屏蔽方式，簡(jiǎn)化了機(jī)房的磁屏蔽要求，磁場(chǎng)屏蔽效果的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)一般使用5高斯（Gs）， 。磁屏蔽不僅可防止外部鐵磁性物質(zhì)對(duì)磁體內(nèi)部磁場(chǎng)均勻性的影響，還能大大削減磁體外部雜散磁場(chǎng)的空間分布范圍。磁屏蔽是最有效的磁場(chǎng)隔離措施,首先需要采取磁體自屏蔽措施將磁體產(chǎn)生的邊緣雜散磁場(chǎng)縮減到盡可能小的空間區(qū)域內(nèi)；其次可以通過(guò)增加磁體間的面積和高度，將其自然、被動(dòng)地包容在磁體間內(nèi)；此外也可以采用磁屏蔽的方法將其完全徹底、主動(dòng)地屏蔽于磁體間內(nèi)。⑴有源屏蔽有源屏蔽由一個(gè)磁屏蔽線圈或線圈系統(tǒng)組成。與產(chǎn)生靜磁場(chǎng)的工作線圈（內(nèi)線圈）相比，磁屏蔽線圈可稱(chēng)為外線圈。這種磁體的內(nèi)線圈中通以正向電流，以產(chǎn)生所需的工作磁場(chǎng)；外線圈中則通以反向電流，以產(chǎn)生反向的磁場(chǎng)來(lái)抵消工作磁場(chǎng)的雜散磁場(chǎng)，從而達(dá)到屏蔽的目的。如果線圈排列合理或電流控制準(zhǔn)確，屏蔽線圈所產(chǎn)生的磁場(chǎng)就有可能抵消雜散磁場(chǎng)。有源屏蔽可應(yīng)用于磁體的主動(dòng)屏蔽。⑵無(wú)源屏蔽無(wú)源屏蔽使用的是鐵磁性屏蔽體，即一種鐵磁性材料（類(lèi)似硅鋼片）罩殼，它因不使用電流源而得名。根據(jù)屏蔽范圍的不同，無(wú)源屏蔽又分為下述三種。房屋屏蔽：即在磁體間的四周墻壁、地基和天花板等六面體中鑲?cè)?～8mm厚的磁屏蔽專(zhuān)用特制硅鋼板，構(gòu)成封閉的磁屏蔽間。用材數(shù)量多，費(fèi)用高。定向屏蔽：若雜散磁場(chǎng)的分布僅在某個(gè)方向超出了規(guī)定的限度（如5高斯磁力線空間分布范圍超出了磁體間），可只在對(duì)應(yīng)方向的墻壁中安裝磁屏蔽，形成針對(duì)邊緣雜散磁場(chǎng)的定向屏蔽。既達(dá)到屏蔽效果，又節(jié)省費(fèi)用。鐵軛屏蔽：是指直接在磁體外面周?chē)惭b鐵軛（導(dǎo)磁材料），作磁力線磁通的返回路徑的屏蔽方法，也稱(chēng)為自屏蔽。自屏蔽可以有板式、圓柱式、立柱式及圓頂罩式等多種結(jié)構(gòu)形式。各種結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)都應(yīng)以主磁場(chǎng)的均勻度不受影響或少受影響為目的。用這種方法能得到非常理想的屏蔽效果，再加定向屏蔽，那么無(wú)論磁體間面積多小，都可使主磁場(chǎng)的5高斯磁力線完全限制在磁體間所處樓層高度之內(nèi)以及磁體間內(nèi)。自屏蔽的缺點(diǎn)是其屏蔽體重量多達(dá)數(shù)十噸。隨著超導(dǎo)技術(shù)和磁共振技術(shù)的不斷發(fā)展，甚至超高場(chǎng)強(qiáng)7T，但是由于廣泛采用磁體自屏蔽、定向屏蔽、直至房屋屏蔽的設(shè)計(jì)，磁共振磁體所產(chǎn)生的強(qiáng)磁場(chǎng)空間分布范圍已得到極大縮減。MRI設(shè)備安裝勵(lì)磁結(jié)束后，獲得的磁場(chǎng)叫基礎(chǔ)磁場(chǎng)，也就是說(shuō)未經(jīng)任何勻場(chǎng)處理的，此時(shí)磁場(chǎng)的勻場(chǎng)度較差，為進(jìn)步補(bǔ)償磁場(chǎng)的非均勻性，需要進(jìn)行勻場(chǎng)（shimming）。勻場(chǎng)分被動(dòng)（無(wú)源）和主動(dòng)（有源）兩種。 磁場(chǎng)均勻性是影響磁共振成像質(zhì)量的重要技術(shù)指標(biāo)之一。MRI設(shè)備依靠勻場(chǎng)技術(shù)提高磁場(chǎng)均勻性。 受磁體設(shè)計(jì)、制造工藝、以及原材料物理性質(zhì)之間的差異等多方面因素的影響和限制，任何磁體出廠后都不可能使整個(gè)有效孔徑內(nèi)的磁場(chǎng)完全同一。此外，磁體的安裝環(huán)境對(duì)磁場(chǎng)也有影響，如磁體間的屏蔽物、磁體附近固定或可移動(dòng)的鐵磁性物體以及金屬等。因此，磁體安裝就位后還要在現(xiàn)場(chǎng)對(duì)磁場(chǎng)進(jìn)行物理調(diào)整，稱(chēng)為勻場(chǎng)（shim）。常用的勻場(chǎng)方法有被動(dòng)勻場(chǎng)和主動(dòng)勻場(chǎng)。被動(dòng)勻場(chǎng)（passive shiming）是指在磁體孔洞內(nèi)壁上貼補(bǔ)一定形狀和尺寸、專(zhuān)用小鐵片（又稱(chēng)為勻場(chǎng)片），用以提高磁場(chǎng)均勻性的方法。這種方法在勻場(chǎng)過(guò)程中使用的是無(wú)源器件，因而也稱(chēng)為無(wú)源勻場(chǎng)。被動(dòng)勻場(chǎng)作為一種勻場(chǎng)初步手段一直被廣泛采用，一般由設(shè)備安裝工程師進(jìn)行被動(dòng)勻場(chǎng)的調(diào)整。⑴勻場(chǎng)片材質(zhì)規(guī)格勻場(chǎng)所用的小鐵片一般用磁化率很高的軟磁材料壓制。勻場(chǎng)片的幾何尺寸分為1/1/1/1/10和1/20等規(guī)格。⑵被動(dòng)勻場(chǎng)原理勻場(chǎng)用的勻場(chǎng)片本來(lái)沒(méi)有磁性，一旦將它貼補(bǔ)到磁體內(nèi)壁，就會(huì)立刻被主磁場(chǎng)磁化而成為條形磁鐵。條形磁鐵內(nèi)部的磁場(chǎng)與主磁場(chǎng)同向，但在其外部靠近磁體中心一側(cè)的磁