【導(dǎo)讀】施加觸發(fā)電流(脈沖)。通的最小電流,即維持電流。流以下,便可使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷。與電流有效值I1、I2、I3。這時,相應(yīng)的電流最大值Im1、Im2、Im3. 解:額定電流IT=100A的晶閘管,允許的電流有效值I=157A,,由普通晶閘管的分析。較大,這樣晶體管V2控制靈敏,易于GTO關(guān)。,GTO的飽和程度不深,接近于臨界飽和,這。樣為門極控制關(guān)斷提供了有利條件;出較大的電流成為可能。20的擊穿電壓,所以為防止MOSFET因靜電感應(yīng)而引起的損壞,①一般在不用時將其三個電極短接;④漏、源極間也要采取緩沖電路等措施吸收過電壓。是電壓驅(qū)動型器件,IGBT的驅(qū)動多采用專用的混合集成驅(qū)動器。止電壓,以加速關(guān)斷速度。路通常包括開通驅(qū)動電路,關(guān)斷驅(qū)動電路和門極反偏電路三部分。時的負載電流Id,并畫出ud與id波形。L儲能,在晶閘管開始導(dǎo)通時刻,負載電流為零。負半周期,負載電感L釋放能量,晶閘管繼續(xù)導(dǎo)通。