【正文】 器。因是同步計(jì)數(shù)器，故各觸發(fā)器的 CP 端接同一時(shí) 鐘脈沖源。 （1）列出該計(jì)數(shù)器的狀態(tài)表和激勵(lì)表，如表題解 所示‘，使 S1=1，這時(shí)有 S。＝Sl＝1，移位寄存器 74HC194 執(zhí)行并 行輸人功能，Q3Q2Q1Q0＝D3D2D1D0＝1110。啟動(dòng)信號撤消后，由于 Q。＝0，經(jīng)兩級與 非門后， S1=0， 使 這時(shí)有 S1S0＝01， 寄存器開始執(zhí)行右移操作。 在移位過程中， 因?yàn)?Q3Q QQ0 中總有一個(gè)為 0，因而能夠維持 S1S0=01 狀態(tài)，使右移操作持續(xù)進(jìn)行下去。其移位 情況如圖題解 6，5，1 所示。 由圖題解 6．5。1 可知，該電路能按固定的時(shí)序輸出低電平脈沖，是一個(gè)四相時(shí)序脈沖產(chǎn)生 電路。kh da w. co m案 網(wǎng)課后答案網(wǎng) (2) 用卡諾圖化簡，得激勵(lì)方程（3） 用 JK 觸發(fā)器設(shè)計(jì)一個(gè)同步六進(jìn)制加 1 計(jì)數(shù)器 解：需要 3 da w. co m課 后 答 案 網(wǎng)課后答案網(wǎng) （1）狀態(tài)表，激勵(lì)表（2）用卡諾圖化簡得激勵(lì)方程（3）畫出電路圖ww（4）檢查自啟動(dòng)能力。 當(dāng)計(jì)數(shù)器進(jìn)入無效狀態(tài) 110 時(shí)，在 CP 脈沖作用下， da w. co m課 后 答 案 網(wǎng)課后答案網(wǎng) →111－→000 變化，計(jì)數(shù)器能夠自啟動(dòng)。 試用 74HCT161 設(shè)計(jì)一個(gè)計(jì)數(shù)器，其計(jì)數(shù)狀態(tài)為自然二進(jìn)制數(shù) 1001～1111。 解：由設(shè)計(jì)要求可知，74HCT161 在計(jì)數(shù)過程中要跳過 0000～1000 九個(gè)狀態(tài)而保留 1001～ 1111 七個(gè)狀態(tài)。因此，可用“反饋量數(shù)法”實(shí)現(xiàn)：令 74HCT161 的數(shù)據(jù)輸人端 D3D2D1D0 ＝1001，并將進(jìn)位信號 TC 經(jīng)反相器反相后加至并行置數(shù)使能端上。所設(shè)計(jì)的電路如圖題解 6。5．15 所示。161 為異步清零，同步置數(shù)。 試用 74HCT161 構(gòu)成同步二十四一制計(jì)數(shù)器，要求采用兩種不同得方法。 解：因?yàn)?M=24，有 16＜M＜256，所以要用兩片 74HCT161。將兩芯片的 CP 端直接與計(jì)數(shù) 脈沖相連，構(gòu)成同步電路，并將低位芯片的進(jìn)位信號連到高位芯片的計(jì)數(shù)使能端。用“反饋 清零法”或“反饋置數(shù)法”跳過 256－24＝232 個(gè)多余狀態(tài)。 反饋清零法：利用 74HCT161 的“異步清零”功能，在第 24 個(gè)計(jì)數(shù)脈沖作用后，電路的輸 出狀態(tài)為 00011000 時(shí)，將低位芯片的 Q3 及高位芯片的 Q0 信號經(jīng)與非門產(chǎn)生清零信號，輸 出到兩芯片的異步清零端， 使計(jì)數(shù)器從 00000000 狀態(tài)開始重新計(jì)數(shù)。 其電路如圖題解 6． 19 5． （a）所示。 反饋置數(shù)法：利用 74HCT161 的“同步預(yù)置”功能，在兩片74HCT161 的數(shù)據(jù)輸入端上從高 位到低位分別加上 11101000（對應(yīng)的十進(jìn)制數(shù)是 232） ，并將高位芯片的進(jìn)位信號經(jīng)反相器 接至并行置數(shù)使能端。這樣，在第 23 個(gè)計(jì)數(shù)脈沖作用后，電路輸出狀態(tài)為 11111111，使進(jìn) 位信號 TC＝1，將并行置數(shù)使能端置零。在第 24 個(gè)計(jì)數(shù)脈沖作用后，將 11101000 狀態(tài)置人 計(jì)數(shù)器，并從此狀態(tài)開始重新計(jì)數(shù)。其電路如圖題解 6。5．19（b）所示。 試分析電路，說明電路是幾進(jìn)制計(jì)數(shù)器 解：兩片 74HCT161 級聯(lián)后，最多可能有 162＝256 個(gè)不同的狀態(tài)。而用“反饋置數(shù)法”構(gòu) 成的圖題 6．5。18 所示電路中，數(shù)據(jù)輸人端所加的數(shù)據(jù) 01010010，它所對應(yīng)的十進(jìn)制數(shù)是 82，說明該電路在置數(shù)以后從 01010010 態(tài)開始計(jì)數(shù)，跳過了 82 個(gè)狀態(tài)。因此，該計(jì)數(shù)器的 模 M=255－82＝174，即一百七十四進(jìn)制計(jì)數(shù)器。kh da w. co m答 案 網(wǎng)課后答案網(wǎng) da w. co m課 后 答 案 網(wǎng)課后答案網(wǎng) 習(xí)題答案 指出下列存儲(chǔ)系統(tǒng)各具有多少個(gè)存儲(chǔ)單元，至少需要幾根地址線和數(shù)據(jù)線。 （1）64K1 （2）256K4 （3）lM1 （4）128K8 解：求解本題時(shí)，只要弄清以下幾個(gè)關(guān)系就能很容易得到結(jié)果： 存儲(chǔ)單元數(shù)=字?jǐn)?shù)位數(shù) 地址線根數(shù)（地址碼的位數(shù)）n與字?jǐn)?shù)N的關(guān)系為：N=2n 數(shù)據(jù)線根數(shù)＝位數(shù) （1）存儲(chǔ)單元〓64K1〓64K（注：lK＝1024） ；因?yàn)椋?4K〓2’，即亢〓16，所以地址 。 線為 16 根；數(shù)據(jù)線根數(shù)等于位數(shù)，此處為 1 根。 同理得： （2）1M 個(gè)存儲(chǔ)單元，18 根地址線，4 根數(shù)據(jù)線。 （3）1M 個(gè)存儲(chǔ)單元，18 根地址線，1 根數(shù)據(jù)線。 ！ ＿ （4）lM 個(gè)存儲(chǔ)單元，17 根地址線，8 根數(shù)據(jù)線。 設(shè)存儲(chǔ)器的起始地址為全 0，試指出下列存儲(chǔ)系統(tǒng)的最高地址為多少？ （1）2K1 （2）16K4 （3）256K32 解：因?yàn)榇鎯?chǔ)系統(tǒng)的最高地址＝字?jǐn)?shù)十起始地址一 1，所以它們的十六進(jìn)制地址是： （1） 7FFH （2） 3FFFH （3） 3FFFFH ＇ww7，2．4 一個(gè)有 1M1 位的 DRAM，采用地址分時(shí)送人的方法，芯片應(yīng)具有幾條地址線？ 解：由于 1M=210210，即行和列共需 20 根地址線。所以，采用地址分時(shí)送人的方法，芯片 應(yīng)具有 10 根地址線。 7． 5 試用一個(gè)具有片選使能 CE、 2． 輸出使能 OE、 讀寫控制 WE、 容量為 8 K8 位的 sRAM 芯片，設(shè)計(jì)一個(gè) 16K16 位的存儲(chǔ)器系統(tǒng)，試畫出其邏輯圖。 解： 采用 8K8 位的 sRAM 構(gòu)成 16K16 位的存儲(chǔ)器系統(tǒng)， 必須同時(shí)進(jìn)行字?jǐn)U展和位擴(kuò)展。 用 2 片 8K8 位的芯片，通過位擴(kuò)展構(gòu)成 8K16 位系統(tǒng)，此時(shí)需要增加 8 根數(shù)據(jù)線。要將 8K16 位擴(kuò)展成 16K16 位的存儲(chǔ)器系統(tǒng)，還必須進(jìn)行字?jǐn)U展。因此還需 2 片 8K8 位的 芯片通過同樣的位擴(kuò)展，構(gòu)成 8K16 位的存儲(chǔ)系統(tǒng)，再與另一個(gè) 8K16 位存儲(chǔ)系統(tǒng)進(jìn)行 字?jǐn)U展，從而實(shí)現(xiàn) 16K16 位的存儲(chǔ)器系統(tǒng)，此時(shí)還需增加 1 根地址線。系統(tǒng)共需要 4 片 8K8 位的 SRAM 芯片。 用增加的地址線 A13 控制片選使能 CE 便可實(shí)現(xiàn)字?jǐn)U展，兩片相同地址的 sRAM 可構(gòu)成 16 位數(shù)據(jù)線。其邏輯圖如圖題解 7。2．5 所示。其中（0）和（1）（2）和（3）分別構(gòu)成兩個(gè) 、 8K16 位存儲(chǔ)系統(tǒng)；非門將 A13 反相，并將 A13 和/A13 分別連接到兩組 8K16 的片選使 能端 CE 上，實(shí)現(xiàn)字?jǐn)U展。 da w. co m課 后 答 案 網(wǎng)課后答案網(wǎng) da w. co m課 后 答 案 網(wǎng)百度搜索“就愛閱讀”,專業(yè)資料,生活學(xué)習(xí),您的在線圖書館 40