拉拔加工工藝對高導銅合金線材組織的影響材料成型及控制工程畢業(yè)設(shè)計論文-資料下載頁
2025-06-24 23:07本頁面
【正文】 于Cr、Zr元素的含量很低，使固溶強化的作用也變的很小，所以析出強化是時效態(tài)的硬度產(chǎn)生差異的主要原因。合金的強化主要由繞過機制控制。因此，%Ag的強度和導電率，可以通過加入少量的合金元素、改善凝固條件、形變加工和時效析出的復合方法得到改善。 CuAg基合金的高導機理探討由導電理論可知，銅合金的電阻ρ可表示為：ρ=ρ0+ρ固溶+ρ沉淀+ρ缺陷當加入的微量合金元素在Cu基體中形成固溶體時，這樣會使合金的導電性降低。由前面的敘述可以看出，銅的導電性位居第二，銀的原子半徑較大。因此，當Cu中溶入各種類型原子的時候，就會使銅基體地晶體點陣產(chǎn)生變化，從而影響銅合金的電阻率。此外，固溶體組元之間的化學作用（能帶、電子云分布）都也影響合金的電阻率。合金的導電率，當固溶溫度升高時，變化不明顯，因為在實驗中所研究的三個固溶溫度下，銀固溶到銅基體中的效果不明顯的緣故。但隨著固溶時間的延長，導電率會降低，因為固溶時間的延長，將會導致晶粒異常長大，增大晶格畸變，電子散射的機率增大。由上述的實驗數(shù)據(jù)不難看出：經(jīng)過940℃，40分鐘固溶處理后，％IACS，再經(jīng)500℃10小時時效后，％IACS。在固溶體脫溶的過程中，產(chǎn)生的粒子會對其起到一定的作用，從而提高合金的電阻率。所以固溶體的脫溶過程可以提高合金的導電率。然而不同類型的晶體缺陷對電阻率的影響程度也是不同的。，點缺陷所引起的剩余電阻率變化遠比線缺陷的影響大，且△ρ間隙原子△ρ空位△ρ晶界△ρ位錯。 各種晶體缺陷類型對電阻率的影響缺陷類型間隙原子空位位錯晶界電阻率增量 （109 Qcm）結(jié) 論本文研究了拉拔工藝對銅銀合金組織和性能的影響，可以得到以下結(jié)論：1) %Ag合金組織在實驗過程中晶粒細化，組織均勻彌散，缺陷增多，合金抗拉強度升高；2) %Ag合金比Cu更高抗拉強度，延伸率下降；3) 銅銀合金電導率比純銅略有下降，%%Ag略有下降。 致 謝近幾個月的畢業(yè)設(shè)計結(jié)束了，在做畢業(yè)設(shè)計的這一段日子里，對整個實驗有了一定的把握。我首先要感謝指導老師朱世杰，若沒有他的指導幫助和支持我的畢業(yè)設(shè)計不能完成的如此順利，同時也要感謝班里的同學，謝謝他們?yōu)槲医獯鸶鞣N問題，謝謝他們?yōu)槲也傩?。本科學習中，我的學習知識面又增加了很多，學到了很多。感謝黃河科技學院工學院提供給我這次難得的學習機會，以致我在大學的學習中，在基礎(chǔ)知識、專業(yè)知識、社會實踐各方面都有了很大的收獲。在大學的學習中，我的專業(yè)知識水平在理論上，還是在實踐上，都進了一大步。我將永遠記住我的母校。 參考文獻[1] 坂井義和．日本金屬學會會報[J].1997，36(7)：692.[2] 渡邊亮治，幸田成康．日本金屬學會志[R].1996，20：173.[3] 貝沼紀夫，渡邊亮治．日本金屬學會志[R].1999，33：198.[4] 傅定發(fā)，[J]. 2004,32(3)：9091.[5] 劉鴻文 材料力學5版[M]，北京：高等教育出版社，[6] 劉楚明 有色金屬材料加工[M]長沙：中南大學出版社，[7] 劉培興，劉曉瑭，[M].北京：化學工業(yè)出版社，2010:1519.[8] 劉培興，劉曉瑭，[M].北京：化學工業(yè)出版社，2010:146147.[9] 楊 文，劉嘉斌，孟 亮. 稀有金屬材料與工程[J].2007,10(10):17411742. [10] 李紅英 金屬塑性加工模具設(shè)計與制造[M]北京：化學工業(yè)出版社，.[11] 張雷，顏芳，孟亮. 高強高導Cu Ag [J].2003，17(5)：15 .[12] 賈淑果，劉平，. 中國有色金屬學報[J].2004,14(7):1146.[13] Leo W Z．Metallk[M].1997，58：457.[14] Bohm H Z．Metallk[M].1963，54：142.[15] Bohm H Z．Metallk[M].1963，54：142. [16] Hong S I．Acta Metall Mater[M].1995，43：3313 .[17] Sakai Y．Acta Metall Mater[M].1997，45：1017.[18] Fr ings P H, Bockstal L V, Strength v ersus conductivity[J] . Physic, 1995, B211:73 76. [19] Ochial S ed．Mechanical Propertics of Metallic Composites[M]．Marcel Dekker Inc，1994: 293.[20] Hong S I , Hill S I , Sakai Y, et al. On the stability of cold drawn, two phase wires[ J] . Acta Metall Mater ,1995, 43: 33133323.[21] Benghalem A, Morr is D G. Microstructure and strength of wire drawn CuAg filamentary posites [ J] . ActaMetall Mater, 1997, 45: 397 406.[22] Mihalsin J R and Decken R F．Trans[J]．AIME，1960，218：507.[23] SchneiderMuntau H J，Han K，Bednar N A，et aI. MateriaIs for 100T monocoiI magnets[J]. IEEE Trans Appl Supercond，2004，14(2)：115
環(huán)評公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1