晶體的能帶結(jié)構(gòu)-資料下載頁
2025-06-24 12:36本頁面
【正文】 。能帶的彎曲對n 區(qū)的電子和p區(qū)的空穴都形成一個勢壘，阻礙n 區(qū)電子和p區(qū)空穴進入對方區(qū)域。這一勢壘區(qū)也稱阻擋層(deplection zone)。2. p‐n結(jié)的單向?qū)щ娦杂捎趐‐n結(jié)處阻擋層的存在，把電壓加到p‐n結(jié)兩端時，阻擋層處的電勢差將發(fā)生變化。(1)正向偏壓在p‐n結(jié)的p端接電源正極，n端接負(fù)p型n型IE阻E外極，這叫對PN結(jié)加正向偏壓(如圖)。此時與反向，阻擋層勢壘削弱、變窄，有利于空穴向n型區(qū)、電子向ｐ型區(qū)移動，即形成正向電流(mA級)。V(伏)３０２０１０(毫安)正向0P—N結(jié)的伏安特性(鍺管) 外加電壓越大，正向電流也越大，而且呈非線性的伏安特性。在p‐n結(jié)的p型一端接電源負(fù)極，另一端接正極，這叫對p‐n結(jié)加反向偏壓。此時與同向，阻擋層勢壘增大、變寬，不利于空穴向n型區(qū)、電子向p型區(qū)移動。p型n型IE阻E外 但是，由于少數(shù)載流子的存在，在外電場作用下，會形成很弱的反向電流，稱為漏電流(mＡ級)。當(dāng)反向電壓超過某一數(shù)值后，反向電流會急劇增大，這稱為反向擊穿。擊穿電壓V(伏)I１０２０３０(微安)反向2030Ｐ—Ｎ結(jié)的反向擊穿 由上可知，p‐n結(jié)可以作成具有整流、開關(guān)等作用的晶體二極管(diode)。167。7 半導(dǎo)體的其他特性和應(yīng)用根據(jù)半導(dǎo)體的電阻值隨溫度的升高而迅速下降的現(xiàn)象制成的半導(dǎo)體器件，稱為熱敏電阻(thermosensitive resistance)。熱敏電阻有體積小，熱慣性小，壽命長等優(yōu)點，已廣泛應(yīng)用于自動控制技術(shù)。半導(dǎo)體硒，在照射光的頻率大于其紅限頻率時，它的電阻值有隨光強的增加而急劇減小的現(xiàn)象。利用這種特性制成的半導(dǎo)體器件稱為光敏電阻(photosensitive resistance)。光敏電阻是自動控制、遙感等技術(shù)中的一個重要元件。把兩種不同材料的半導(dǎo)體組成一個回路，并使兩個接頭具有不同的溫度，會產(chǎn)生較大的溫差電動勢，稱為半導(dǎo)體溫差熱電偶。溫度每差一度，溫差電動勢能夠達到、甚至超過1毫伏。利用半導(dǎo)體溫差熱電偶可以制成溫度計，或小型發(fā)電機。p‐n結(jié)的適當(dāng)組合可以作成具有放大功能的晶體三極管(trasistor)，以及各種晶體管。進一步可將它們作成集成電路、大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成電路。下圖為一個微處理器 (INMOS T900) 每一個集成塊(圖中一個長方形部分)約為手指甲大小，它有300多萬個三極管。(在第四章激光中已講) (略) 等等。 13
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