晶體結(jié)構(gòu)和晶體缺陷-資料下載頁
2025-04-29 12:01本頁面
【正文】 體中一切偏離理想的晶格結(jié)構(gòu)稱做晶體缺陷。 晶體缺陷 按照缺陷的形成和結(jié)構(gòu)分類： 本征缺陷 (固有缺陷 )： 指不是由外來雜質(zhì)原子形成，而是由于晶體結(jié)構(gòu)本身偏離晶格結(jié)構(gòu)造成的缺陷。 雜質(zhì)缺陷： 指雜質(zhì)原子進入基質(zhì)晶體中所形成的缺陷。 按照缺陷的幾何特征分類： 點缺陷、線缺陷、面缺陷、體缺陷。 點缺陷： 晶格結(jié)點粒子發(fā)生局部錯亂的現(xiàn)象。 按引起點缺陷的粒子不同，可分為： 錯位粒子、間隙粒子、雜質(zhì)粒子和空位。 雜質(zhì)粒子缺陷 間隙粒子缺陷 空位缺陷 錯位粒子缺陷 本征缺陷 雜質(zhì)缺陷 線缺陷 ：晶體中某些區(qū)域發(fā)生一列或若干列粒子有規(guī)律的錯排現(xiàn)象稱為線缺陷 ,又稱位錯。 線缺陷有兩種基本類型： 刃型位錯 螺型位錯 線 缺 陷 理想晶體原子面堆積 含有 刃型位錯晶體原子面堆積 含有 螺型位錯 晶體原子面堆積 面 缺 陷 面 缺 陷： 由點缺陷或面缺陷造成晶格中可能缺少整個一層的粒子 ,形成了層錯現(xiàn)象 。也可以看成是整個一層的粒子所構(gòu)成的晶面錯開形成的缺陷。 按照兩側(cè)晶體間的幾何關(guān)系，面缺陷可分為： 平移界面 (堆垛層錯 ) 孿晶界面 位錯界面 (晶粒邊界 ) 體 缺 陷 體 缺 陷： 由點缺陷或面缺陷造成在完整的晶格中可能存在著空洞或夾雜有包裹物等 ,使晶體內(nèi)部的空間晶格結(jié)構(gòu)整體上出現(xiàn)了一定形式的缺陷。 晶體缺陷引起晶格局部彈性變形稱晶格畸變。 點缺陷引起的三種晶格畸變 雜質(zhì)粒子缺陷 空位缺陷 間隙粒子缺陷 晶體缺陷對晶體性質(zhì)的影響 晶格畸變引起晶體結(jié)構(gòu)的變化，對晶體性質(zhì)如機械強度、導電性、耐腐蝕性和化學反應(yīng)性能都有較大影響。 引入雜質(zhì)可改變半 導體的能帶結(jié)構(gòu)，所以 雜質(zhì)對半導體材料電學 性能的影響十分顯著。 在晶體中引入雜質(zhì)粒子 稱摻雜。 P Si B Si 多電子 缺電子 非化學計量化合物 (nonstoichiometric pounds)： 由于晶體缺陷造成晶體的組成中各元素原子的相對數(shù)目不能用整數(shù)比表示的化合物 ,稱非整數(shù)比化合物，也稱非化學計量化合物。 如 AmBn: A:B = m:n 為整數(shù)比化合物 A:B ? m:n 為非整數(shù)比化合物 如方鐵礦 (FeO)中，由于少量 Fe3+的存在 ,產(chǎn)生 Fe2+空位造成晶體缺陷 ,使晶體的實際組成范圍為 。 非化學計量化合物與相同元素組成的化學計量化合物在結(jié)構(gòu)的主要特征上沒有太大的差別，但在光學性質(zhì)、導電性、磁性和催化性能上有明顯的差別。
環(huán)評公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1