晶體幾種典型結(jié)構(gòu)-資料下載頁
2025-06-16 00:57本頁面
【正文】 9 層狀硅酸鹽結(jié)構(gòu) 四面體層（ T）和八面體層（ O） T層 [SiO4]共 3個(gè)角頂成六方網(wǎng)層，第 4個(gè)角頂 (活性氧 )朝向同一方向；在六方網(wǎng)孔中心、與活性氧同高度處存在一個(gè) OH。 基底氧六方環(huán)的半徑為 OH O層 兩個(gè) T層活性氧相向、錯(cuò)開一定距離做緊密堆積，陽離子充填八面體孔隙，形成 O層。 或：一邊是 T層的頂點(diǎn)氧和羥基，另一邊為一層羥基。 三八面體型結(jié)構(gòu)和二八面體型結(jié)構(gòu) 當(dāng)每個(gè)六方網(wǎng)孔下的 3個(gè)八面體空隙（一共是 6價(jià)）被三個(gè)（二價(jià)）陽離子充填時(shí)，整個(gè)結(jié)構(gòu)稱作三八面體型結(jié)構(gòu)；當(dāng)3個(gè)八面體空隙被兩個(gè)（三價(jià)）陽離子充填時(shí)，則結(jié)構(gòu)稱作二八面體型結(jié)構(gòu)。 三八面體結(jié)構(gòu)的 O層 每個(gè)配位離子被三個(gè)八面體共用，分給每個(gè)八面體陽離子 1/3價(jià)，6個(gè)總和為 2價(jià)。因此每個(gè)八面體樣子只能為 +2價(jià)。 每個(gè)配位離子被兩個(gè)八面體共用，分給每個(gè)八面體樣子 1/2價(jià)電荷， 6個(gè)共 3價(jià)，因此八面體陽離子為 +3價(jià)。 二八面體結(jié)構(gòu)的 O層 結(jié)構(gòu)單元層及基本類型 T層和 O層的不同堆積方式構(gòu)成了層狀結(jié)構(gòu)硅酸鹽的結(jié)構(gòu)單元層： 1∶ 1型（ TO型）： 1層 T層和 1層 O層，代表礦物是高嶺石。 2∶ 1型（ TOT型）： 2層 T層夾 1層 O層，代表礦物是滑石。 高嶺石 滑石 四面體無代換，八面體完整 層間域 結(jié)構(gòu)單元層之間的空間叫層間域。層間域可以完全空置，也可以被其它物質(zhì)充填，如離子，分子，水和有機(jī)物等。 滑石結(jié)構(gòu) 云母結(jié)構(gòu) 高嶺石 (kaolinite) 八面體陽離子在每層占據(jù)同樣的位置。 ? 按實(shí)際離子半徑得到的 1:1層型結(jié)構(gòu) ? 實(shí)際上高嶺石的層間域是沒有空隙的。 八面體表面離子分布： 四面體片層間的表面離子分布 ? 實(shí)際高嶺土的片狀顆粒：寬 2μ，厚 。 ? 注意上下層面的離子分布及特征。 蒙皂石族 (Smectite) ? 15A蒙皂石 Ca2+攜帶大量水分子 15A Ca2+攜帶大量水分子 ? 層電荷的來源 (1) 來源于四面體片的AlSi替代。這時(shí)，與配平電荷的層間陽離子距離較近，稱之為 “ 近電 ” 。 記為 Xt (2) 來源于八面體片的MgAl替代。這時(shí)，于配平電荷的層間陽離子距離較遠(yuǎn)，稱之為 “ 遠(yuǎn)電 ” 。 記為 Xo ? 層電荷的分布 在晶胞所示范圍內(nèi)，每個(gè)單面只有 。 平均每個(gè)基底氧攜帶電荷約為 。 ? 天然蒙皂石的層間主要為 Ca2+，要達(dá)到電荷平衡，1個(gè) Ca2+要配平約 3個(gè)晶胞的底面積，約在半徑為。 1個(gè) Ca2+配平的電荷范圍 ? 按原子的實(shí)際半徑，則為如下分布： 而 Ca2+的半徑只 有 ，因此層 間區(qū)域要含大量 的極性水分子， 進(jìn)行電荷的傳 遞，從而達(dá)到結(jié) 構(gòu)的電荷平衡。 ? 在柱撐蒙脫石，如羥基鋁柱撐，每個(gè)陽離子柱 (集團(tuán) )，為 +7價(jià)，約需平衡 ：即相當(dāng)于半徑為 。 羥基鋁柱撐蒙脫石結(jié)構(gòu)示意 18A 20A ?謝謝大家！
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