晶體的能帶結(jié)構(gòu)(文件)
【正文】 帶(或?qū)?，下?。其導(dǎo)電機制：雜質(zhì)中多余電子經(jīng)激發(fā)后躍遷到空帶(或?qū)?而形成的。這種雜質(zhì)的能級緊靠滿帶頂處，圖中DEA101eV，滿帶中的電子極易躍入此雜質(zhì)能級，使?jié)M帶中產(chǎn)生空穴。這種雜質(zhì)半導(dǎo)體 稱空穴型半導(dǎo)體，或p型半導(dǎo)體。(1) p‐n結(jié)處電偶層的形成p的電場，稱為內(nèi)建場。p‐n 結(jié)也稱勢壘區(qū)。空帶空帶PN結(jié)施主能級受主能級滿帶滿帶這一勢壘區(qū)也稱阻擋層(deplection zone)。此時與反向，阻擋層勢壘削弱、變窄，有利于空穴向n型區(qū)、電子向ｐ型區(qū)移動，即形成正向電流(mA級)。在p‐n結(jié)的p型一端接電源負極，另一端接正極，這叫對p‐n結(jié)加反向偏壓。167。熱敏電阻有體積小，熱慣性小，壽命長等優(yōu)點，已廣泛應(yīng)用于自動控制技術(shù)。溫度每差一度，溫差電動勢能夠達到、甚至超過1毫伏。p‐n結(jié)的適當(dāng)組合可以作成具有放大功能的晶體三極管(trasistor)，以及各種晶體管。(在第四章激光中已講) (略) 等等。利用半導(dǎo)體溫差熱電偶可以制成溫度計，或小型發(fā)電機。半導(dǎo)體硒，在照射光的頻率大于其紅限頻率時，它的電阻值有隨光強的增加而急劇減小的現(xiàn)象。根據(jù)半導(dǎo)體的電阻值隨溫度的升高而迅速下降的現(xiàn)象制成的半導(dǎo)體器件，稱為熱敏電阻(thermosensitive resistance)。擊穿電壓V(伏)I１０２０３０(微安)反向2030Ｐ—Ｎ結(jié)的反向擊穿 p型n型IE阻E外 外加電壓越大，正向電流也越大，而且呈非線性的伏安特性。(1)正向偏壓在P型半導(dǎo)體中 空穴 ─ 多數(shù)載流子電子 ─ 少數(shù)載流子 四、 p‐n結(jié)1. p‐n結(jié)的形成四價的本征半導(dǎo)體Si、Ｇe等摻入少量三價的雜質(zhì)元素(如Ｂ、Ga、In等)形成空穴型半導(dǎo)體，也稱p型半導(dǎo)體。施主(donor)能級：這種雜質(zhì)能級因靠近空帶，雜質(zhì)價電子極易向空帶躍遷。 n 型半導(dǎo)體 PSiSiSiSiSiSiSiΔEDΔEg空 帶滿 帶施主能級圖中摻入的五價P原子在晶體中替代Si的位置，構(gòu)成與Si相同的四電子結(jié)構(gòu)，多出的一個電子在雜質(zhì)離子的電場范圍內(nèi)運動。在電場作用下，電子和空穴均可導(dǎo)電，它們稱作本征載流子；(1)能帶結(jié)構(gòu)一、導(dǎo)體(conductor)的能帶結(jié)構(gòu)1. 能帶結(jié)構(gòu) 空帶E某些一價金屬，如:Li … 導(dǎo)帶 某些二價金屬，如:Be, Ca, Mg, Zn, Ba … 滿帶 空帶E
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