工程材料學(xué)之晶體材料的結(jié)構(gòu)(文件)
【正文】 金屬 ： Mg， 胞總體積之比。越緊密。純金屬常見的晶體結(jié)構(gòu)體心立方中原子排列不同晶向， 第四節(jié) 材料的實(shí)際晶體結(jié)構(gòu)一、多晶體結(jié)構(gòu)單晶體 :一塊晶體材料 由一個(gè) 晶粒組成。組織 是通過(guò)人眼或顯微鏡觀察到的形貌、結(jié)構(gòu)。 二、晶體中的缺陷晶體缺陷： 正常晶體中原子排列受到破壞 —— 缺陷。晶體缺陷的類型：?點(diǎn)缺陷?線缺陷?面缺陷點(diǎn)缺陷點(diǎn)缺陷： 在三維空間各方向上尺寸都很小，是原子尺寸大小的晶體缺陷。 它們 可能是同類原子 ， 也可能是異類原子 。在一種類型的原子組成的晶格中， 不同種類 的原子占據(jù)原有的原子位置。FaultSmallstackinggrain位錯(cuò)特點(diǎn)面缺陷面缺陷： 在三維空間的兩個(gè)方向上的尺寸很大 (晶粒數(shù)量級(jí) )，另外一個(gè)方向上的尺寸很小 (原子尺寸大小 )的晶體缺陷。σb≈1300Mpa1) 位錯(cuò)線附近的晶格有相應(yīng)的畸變 ，有高于理想晶體的能量；2) 位錯(cuò)線附近 異類原子濃度高于平均水平 ；3) 位錯(cuò)在晶體中可以發(fā)生移動(dòng) ，是材料塑性變形基本原因之一；4) 位錯(cuò)與異類原子的作用 ，位錯(cuò)之間的相互作用，對(duì)材料的力學(xué)性能有明顯的影響。σb≈5600Mpa線缺陷線缺陷： 在三維空間的一個(gè)方向上的尺寸很大 (晶粒數(shù)量級(jí) )，另外兩個(gè)方向上的尺寸很小 (原子尺寸大小 )的晶體缺陷。3) 異類原子 實(shí)際晶體中的原子排列不是理想的，不具有完全的平移對(duì)稱性，而是存在一些偏離了理想原子排列的區(qū)域， 這些區(qū)域即構(gòu)成缺陷。密排方向的強(qiáng)度最大。各不規(guī)則，明暗不同的幾何圖形 —— 晶粒?晶界不一定是平整的晶粒與晶界 :多晶體的組織與性能 ：組織： 右圖所示為純 Fe的顯微結(jié)構(gòu)，它是經(jīng)拋光、腐蝕后的顯微鏡放大照片。一般實(shí)際材料均為多晶體。如單晶硅，水晶石，金剛石 。 第三節(jié) 配位數(shù)越高的原子數(shù)目。兩原子中的距離一半。?a=b常見金屬 ： Ag， Au， Ni， Cu表示方法： 用 大 括號(hào) {hkl}表示 。3. 計(jì) 算其倒數(shù) b1 b2 b3 ；4. 化成 最小 、 整數(shù) 比 h： k： l ；5. 放在 圓 方括號(hào) (hkl)，不加逗號(hào)， 負(fù)號(hào) 記 在上方 。A（ 1， 1， 0）A（ x1,y1,z1）B（ x2,y2,z2）說(shuō)明： （ a）一個(gè)晶向指數(shù)表示的是一組 互相平行 ，方向一致的所有晶向。標(biāo)定形式：標(biāo)定形式： 晶面 ： 在晶胞中，通過(guò)若干原子中心構(gòu)成的二維平面—— 晶面二、晶向指數(shù)的標(biāo)定 b?c,=?=90?bb?c,c,=?=?=90??=?=?=90?a90?a=b90?a=b=
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