透射電子顯微論文-資料下載頁(yè)
2025-06-23 03:23本頁(yè)面
【正文】 電子衍射精確測(cè)定定量電子衍射精確測(cè)定低指數(shù)結(jié)構(gòu)因子并用x 射線測(cè)定高指數(shù)結(jié)構(gòu)因子后利用多極法重構(gòu)得到的實(shí)驗(yàn)價(jià)電子密度分布圖；b：基于理想CcTo晶體計(jì)算得到的電子密度分布圖。Cu3d軌道有序?qū)ΨQ及其與o2p形成的反鍵清晰可見(jiàn)。+α中面缺陷的點(diǎn)陣位移缺陷的存在對(duì)高溫超導(dǎo)體的性能、特別是它們的電流承載能力有很大影響。Bi2212中主要兩種面缺陷，一種是(001)扭轉(zhuǎn)晶界，另外一種是層錯(cuò)。以前主要用HREM方法直接測(cè)量這些面缺陷的點(diǎn)陣位移。由于受物鏡像差的影響，測(cè)量精度高。作者將利用相干PARODI技術(shù)精確測(cè)定高溫導(dǎo)體Bi2212中的層錯(cuò)和晶界位移。圖5a是相干PARODI衍射原理圖，相干點(diǎn)光源位于樣品上方幾個(gè)微米處。為了計(jì)算遠(yuǎn)場(chǎng)處(即在物鏡背焦面上)形成的相干PARODI電子衍射花樣，考慮從點(diǎn)光源出發(fā)的電子束經(jīng)樣品散射后在不同散射方向的相位差。圖中短的豎直面表示面間距為c的點(diǎn)陣平面。H是點(diǎn)光源或交叉點(diǎn)離試樣的距離，R是位于樣品中間的面缺陷引起的水平位移，λO是電子波長(zhǎng)，F(xiàn)g是結(jié)構(gòu)因子。圖5 a：相干PARODI衍射實(shí)驗(yàn)設(shè)置示意圖。短豎面表示面間距為c的點(diǎn)陣平面。Ⅳ是點(diǎn)光源或交叉點(diǎn)離試樣的距離，R是位于樣品中間的面缺陷引起的水平位移，2α是會(huì)聚角；b：靠近Bi 212(110)。帶軸的相干PARODI花樣；c：從(b)中008，0010，0012，和1127，1129，113l衍射盤(pán)的放大像。對(duì)0012盤(pán)用曝光時(shí)間較短的盤(pán)替換了原來(lái)的盤(pán)。d，e：分別用R=0．325 nm(d)和R=O．3195 nm(e)計(jì)算得到的PARODI花樣；f：Bi，2212扭轉(zhuǎn)晶界(17．2。，∑25)的相干PARODI花樣(上)及其計(jì)算得到的花樣(下)。圖5b是一幅使用相干電子光源、在照射區(qū)域中間含有一層錯(cuò)的PARODl花樣。圖中由層錯(cuò)引起的相干條紋清晰可見(jiàn)，但在0010衍射盤(pán)中其襯度變?nèi)?見(jiàn)圖5c左)，這表明位移矢量露的值接近于c／10=O．309 nm。干涉條紋的非對(duì)稱性(008和0012中的亮條紋靠近0010)說(shuō)明這是一內(nèi)稟型層錯(cuò)。5 / 6
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