電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀和技術(shù)對(duì)策-資料下載頁(yè)
2025-06-22 00:16本頁(yè)面
【正文】 流額定值范圍為幾A~12A，采用5引線TO一220封裝，用于汽車(chē)高側(cè)驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)。 (2)義S一Thomson公司的IJ628o。這是一個(gè)用于馬達(dá)和螺線管控制的單片三通道驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)。該芯片使用多功率輸出BCD技術(shù)，將15個(gè)vDMOsFET和用作控制、保護(hù)和接口電路的4000個(gè)其他晶體管組裝在一個(gè)芯片上，可以處理直到6oV的電壓。該lC具有對(duì)功率失效、過(guò)熱、過(guò)電流的保護(hù)功能，還有一個(gè)防止CPU失效，同時(shí)又不會(huì)丟失數(shù)據(jù)的監(jiān)視控制器。該芯片組裝在妞管腳的PI刀C中，不需要散熱片。 (3)日本新電元工業(yè)公司最近研制的MTDI 1 10(單極方式)，MTD2001(雙極方式)。這是用干中、小型步進(jìn)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的專(zhuān)用運(yùn)動(dòng)控制IC，與CPU直接連接，具有過(guò)熱保護(hù)及向外部發(fā)出警告信號(hào)的功能。內(nèi)藏散熱片封裝?？商幚淼碾娏麟妷悍秶謩e達(dá)ZA、85V及1 .SA、60V。 4結(jié)語(yǔ)和建議 上面敘述了國(guó)外電力電子器件的發(fā)展途徑、目前水平和所采取的技術(shù)對(duì)策。近年來(lái)，我國(guó)在電力電子器件及應(yīng)用技術(shù)方面也取得了較大進(jìn)展。采用GTR、功率MOSFET或SIT的日光燈用高領(lǐng)電子鎮(zhèn)流器已投入批量生產(chǎn)。在高頗感應(yīng)加熱裝置中，用功率MOsFET、GTO 、工作頻率20~300kH:，也開(kāi)發(fā)了計(jì)算機(jī)和通信用穩(wěn)壓電源、中小功率交流電機(jī)變頻調(diào)速裝置、直流電機(jī)斬波調(diào)速裝置等。但總的來(lái)看，與國(guó)外水平還有很大差距，特別是在作為電力電子技術(shù)基礎(chǔ)的功率器件和IC上，還遠(yuǎn)不能滿(mǎn)足需要。例如，我國(guó)從80年代末引進(jìn)GTO生產(chǎn)技術(shù)，目前達(dá)Z000A/2500V的水平，而國(guó)外已做出T l000oA/s000V的器件。我國(guó)IGBT的研制還處于初級(jí)階段，MCT和智能功率IC的研制才列入計(jì)劃。根據(jù)目前的情況，認(rèn)為我國(guó)在電力電子器件技術(shù)方面，應(yīng)作以下幾項(xiàng)工作:①消化吸收GTO、GTR引進(jìn)技術(shù)，擴(kuò)大生產(chǎn)，提高性能。②研制并批量生產(chǎn)功率MOSFET、SIT、SITH，使其能逐步滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)需要。③重點(diǎn)加強(qiáng)IGBT的研制開(kāi)發(fā)工作。④進(jìn)行新器件(MCT等)及功率lC的預(yù)研工作。⑤繼續(xù)進(jìn)行介質(zhì)隔離等工藝技術(shù)及CAD、材料和封裝等相關(guān)技術(shù)的研究。⑥開(kāi)展應(yīng)用技術(shù)的研究，使產(chǎn)品能更快投入實(shí)用。 電力電子技術(shù)是一項(xiàng)有關(guān)國(guó)計(jì)民生的重要技術(shù)，將功率半導(dǎo)體器件用于電力的控制和變換裝置，實(shí)現(xiàn)裝置的小型、節(jié)能化，是解決我國(guó)能源緊張、降低材料消耗、提高生產(chǎn)效率的一個(gè)重要途徑，目前已得到政府有關(guān)部門(mén)的重視和支持。期望在今后十年內(nèi)電力電子器件技術(shù)能得到更快的發(fā)展，縮小與美、日等國(guó)的差距，為促進(jìn)我國(guó)機(jī)電一體化及其他高新技術(shù)的發(fā)展作出貢獻(xiàn)。 參考文獻(xiàn) (日)，3難(6) (日).1993，35(3) 3.】SPS口91偽l年功率半導(dǎo)體器件及IC國(guó)際會(huì)議論文集) 4.】SPS口92(92年功率半導(dǎo)體器件及Ic國(guó)際會(huì)議論文集)10 / 10
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