電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀和技術對策-資料下載頁
2025-06-22 00:16本頁面
【正文】 流額定值范圍為幾A~12A，采用5引線TO一220封裝，用于汽車高側(cè)驅(qū)動開關。 (2)義S一Thomson公司的IJ628o。這是一個用于馬達和螺線管控制的單片三通道驅(qū)動器系統(tǒng)。該芯片使用多功率輸出BCD技術，將15個vDMOsFET和用作控制、保護和接口電路的4000個其他晶體管組裝在一個芯片上，可以處理直到6oV的電壓。該lC具有對功率失效、過熱、過電流的保護功能，還有一個防止CPU失效，同時又不會丟失數(shù)據(jù)的監(jiān)視控制器。該芯片組裝在妞管腳的PI刀C中，不需要散熱片。 (3)日本新電元工業(yè)公司最近研制的MTDI 1 10(單極方式)，MTD2001(雙極方式)。這是用干中、小型步進馬達驅(qū)動的專用運動控制IC，與CPU直接連接，具有過熱保護及向外部發(fā)出警告信號的功能。內(nèi)藏散熱片封裝?？商幚淼碾娏麟妷悍秶謩e達ZA、85V及1 .SA、60V。 4結(jié)語和建議 上面敘述了國外電力電子器件的發(fā)展途徑、目前水平和所采取的技術對策。近年來，我國在電力電子器件及應用技術方面也取得了較大進展。采用GTR、功率MOSFET或SIT的日光燈用高領電子鎮(zhèn)流器已投入批量生產(chǎn)。在高頗感應加熱裝置中，用功率MOsFET、GTO 、工作頻率20~300kH:，也開發(fā)了計算機和通信用穩(wěn)壓電源、中小功率交流電機變頻調(diào)速裝置、直流電機斬波調(diào)速裝置等。但總的來看，與國外水平還有很大差距，特別是在作為電力電子技術基礎的功率器件和IC上，還遠不能滿足需要。例如，我國從80年代末引進GTO生產(chǎn)技術，目前達Z000A/2500V的水平，而國外已做出T l000oA/s000V的器件。我國IGBT的研制還處于初級階段，MCT和智能功率IC的研制才列入計劃。根據(jù)目前的情況，認為我國在電力電子器件技術方面，應作以下幾項工作:①消化吸收GTO、GTR引進技術，擴大生產(chǎn)，提高性能。②研制并批量生產(chǎn)功率MOSFET、SIT、SITH，使其能逐步滿足國內(nèi)需要。③重點加強IGBT的研制開發(fā)工作。④進行新器件(MCT等)及功率lC的預研工作。⑤繼續(xù)進行介質(zhì)隔離等工藝技術及CAD、材料和封裝等相關技術的研究。⑥開展應用技術的研究，使產(chǎn)品能更快投入實用。 電力電子技術是一項有關國計民生的重要技術，將功率半導體器件用于電力的控制和變換裝置，實現(xiàn)裝置的小型、節(jié)能化，是解決我國能源緊張、降低材料消耗、提高生產(chǎn)效率的一個重要途徑，目前已得到政府有關部門的重視和支持。期望在今后十年內(nèi)電力電子器件技術能得到更快的發(fā)展，縮小與美、日等國的差距，為促進我國機電一體化及其他高新技術的發(fā)展作出貢獻。 參考文獻 (日)，3難(6) (日).1993，35(3) 3.】SPS口91偽l年功率半導體器件及IC國際會議論文集) 4.】SPS口92(92年功率半導體器件及Ic國際會議論文集)10 / 10
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