經(jīng)濟(jì)與管理學(xué)院雙學(xué)位畢業(yè)論文指導(dǎo)書-資料下載頁
2025-06-19 16:00本頁面
【正文】 phere pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) and Thomas Swan 62” MOCVD systems. High bright blue LED wafers were obtained by optimizing the nitrides growth technology and wafer structure. Some encouraging results are following as:1. We present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materials growth on large lattice mismatch substrates. This idea was realized in nitrides growth in this thesis. The epilayer crystalline quality was improved and the dislocation density was decreased by using GaN low and high temperature buffer layers of deviation from stoichiometry. The RBS/channeling spectra exhibited that the minimum yield χmin of GaN layers was just only %. The leak electric current of GaN based LED was obviously decreased and lower than 1μA at 5 volt reverse voltage by using this new buffer technology.…………This work was supported by 863 program in China.Keyword: Nitrides；MOCVD；LED；Photoluminescence；RBS/channeling；Optical absorption目錄宋體，小三號，居中目錄摘要 ⅠAbstract Ⅱ第一章 GaN基半導(dǎo)體材料及器件進(jìn)展（多數(shù)文章為“緒論”） 11 .1 III族氮化物材料及其器件的進(jìn)展與應(yīng)用 11. 2 III族氮化物的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì) 41. 3 摻雜和雜質(zhì)特性 121. 4 氮化物材料的制備 131. 5 氮化物器件 191. 6 GaN基材料與其它材料的比較 221. 7 本論文工作的內(nèi)容與安排 24第二章 氮化物MOCVD生長系統(tǒng)和生長工藝 31 2. 1 MOCVD材料生長機(jī)理 31 2. 2本論文氮化物生長所用的MOCVD設(shè)備 32…………目錄內(nèi)容：中文宋體，英文和數(shù)字Times New Roman，小四頁碼編號：摘要,Abstract使用頁碼“I,II,…”；正文開始使用頁碼“1,2,3,…”；小節(jié)標(biāo)題左側(cè)縮進(jìn)1字符；頁碼數(shù)字居中對齊 結(jié)論 136參考文獻(xiàn)（References） 138致謝 150第一章 GaN基半導(dǎo)體材料及器件進(jìn)展節(jié)標(biāo)題：中文宋體，英文Times New Roman，四號居左章標(biāo)題：中文宋體，英文Times New Roman，四號居中第一章 GaN基半導(dǎo)體材料及器件進(jìn)展1 .1 III族氮化物材料及其器件的進(jìn)展與應(yīng)用正文文字：中文宋體，英文Times New Roman，小四，兩端對齊，段落首行左縮進(jìn)2個漢字符，（段落中有數(shù)學(xué)公式時，可根據(jù)表達(dá)需要設(shè)置該段的行距），段前0行，段后0行。 在科學(xué)技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程中，材料永遠(yuǎn)扮演著重要角色。在與現(xiàn)代科技成就息息相關(guān)的千萬種材料中，半導(dǎo)體材料的作用尤其如此。以Si為代表的第一代半導(dǎo)體誕生于20世紀(jì)40年代末，它們促成了晶體管、集成電路和計算機(jī)的發(fā)明。以GaAs為代表的第二代半導(dǎo)體誕生于20世紀(jì)60年代，它們成為制作光電子器件的基礎(chǔ)。III－Ⅴ族氮化物半導(dǎo)體材料及器件研究歷時30余年，前20年進(jìn)展緩慢，后10年發(fā)展迅猛。由于III族氮化物特有的帶隙范圍，優(yōu)良的光、電性質(zhì)，優(yōu)異的材料機(jī)械和化學(xué)性能，使得它在短波長光電子器件方面有著廣泛的應(yīng)用前景；并且非常適合制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。III－Ⅴ族氮化物半導(dǎo)體材料已引起了國內(nèi)外眾多研究者的興趣。 …………表標(biāo)題置于表的上方，中文宋體，英文Times New Roman ，五號加粗居中，表序與表名文字之間空一個漢字符寬度；內(nèi)容：中文宋體，英文Times New Roman，五號。1．2 III族氮化物的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì) …………表11 用不同技術(shù)得到的帶隙溫度系數(shù)、Eg0、ac和T0的值樣品類型實(shí)驗(yàn)方法帶隙溫度系數(shù)dEg/dT(eV/K)T=300KEg0(eV)ac (eV/K)T0 (K)參考文獻(xiàn)GaN/Al2O3光致發(fā)光180。104180。10499661GaN/Al2O3光致發(fā)光190。180。10470059GaN/Al2O3光致發(fā)光180。104190。180。10460062GaN/Al2O3光吸收180。104~180。10477263……………………圖標(biāo)題置于圖的下方，中文宋體，英文Times New Roman ，五號加粗居中，圖序與圖名文字之間空一個漢字符寬度；內(nèi)容：中文宋體，英文Times New Roman，五號。加熱電阻―――□―――■■―――□――→氣流測溫元件 測溫元件圖11 熱風(fēng)速計原理…………第二章 氮化物MOCVD生長系統(tǒng)和生長工藝第二章 氮化物MOCVD生長系統(tǒng)和生長工藝 MOCVD材料生長機(jī)理…………轉(zhuǎn)換控制 頻率信 號 源 頻率控 制 器地址發(fā)生 器波形存儲 器Ｄ／Ａ轉(zhuǎn)換器濾波器 頻率設(shè)置波形數(shù)據(jù)設(shè)置圖21 DDS方式AWG的工作流程…………參考文獻(xiàn)標(biāo)題：中文宋體，四號，居中參考文獻(xiàn)[1] Well．Multiplemodulator fractionn divider[P]．US Patent，5038117．19860202參考文獻(xiàn)內(nèi)容：中文宋體，英文Times New Roman，四號，參考文獻(xiàn)應(yīng)在文中相應(yīng)地方按出現(xiàn)順序標(biāo)引。[2] Brian Miller．A multiple modulator fractionl divider[J]．IEEE Transaction on instrumentation and Measurement，1991，40(2)：578583．[3] 萬心平，張厥盛．集成鎖相環(huán)路——原理、特性、應(yīng)用[M]．北京：人民郵電出版社，1990．302307．[4] Miler．Frequency synthesizers[P]．US Patent，4609881．19910806．[5] Candy J C．A use of doubleintegretion in sigmadelta modulation[J]．IEEE Trans Commun，1985，33(COM)：249258．[6] 丁孝永．調(diào)制式小數(shù)分頻鎖相研究[D]．北京：航天部第二研究院，1997．常見參考文獻(xiàn)格式：①科技書籍和專著：編著者．譯者．書名[M]（文集用[C]）．版本．出版地：出版者，出版年．頁碼．②科技論文：作者．篇名[J]．刊名，出版年，卷號（期號）：頁碼． 作者．篇名．ⅹⅹ單位博（碩）論文，年．參考文獻(xiàn)必須標(biāo)明文獻(xiàn)類型標(biāo)志：普通圖書 M；會議錄 C；匯編 G；報紙 N；期刊 J；學(xué)位論文 D；報告 R；標(biāo)準(zhǔn) S；專利 P；數(shù)據(jù)庫 DB；計算機(jī)程序 CP；電子公告 EB。電子文獻(xiàn)載體類型標(biāo)志：磁帶 MT；磁盤 DK；光盤 CD；聯(lián)機(jī)網(wǎng)絡(luò) OL。 138 標(biāo)題：宋體，四號，居中。內(nèi)容：宋體，小四，兩邊對齊。致謝…………139
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