【導讀】，在給定頻率的情況下，產(chǎn)生最短波長的波是：c.，則一定直徑晶片的聲束擴散角將：c.，在同一介質(zhì)中改變其傳播方向的現(xiàn)象叫做：c.料的界面上，可能發(fā)生：d.，反射波和透射波的：c.，如果頻率相同，則在粗晶材料中，穿透力強的波型是：c.3N且聲程相同時，若孔徑差1倍，球孔回波高度差dB：a.（波形）可以分為：e.，若介質(zhì)兩側(cè)的物質(zhì)聲阻抗相等，則薄層厚度為時，52°的斜探頭探測方鋼，下圖中哪一個聲束路徑是正確的？

　　

【正文】 聲壓為原來的（ 4 倍 ），橫通孔的反射聲壓為原來的（ ），球孔的反射聲壓為原來的（ 2倍 ） ，在遠場區(qū)，同一深度的平底孔，直徑增大一倍，其回波高度提高（ 12dB） （ PF=P0As/2λ X（Ａ s晶片面積） ） （ PF=P0AsS/λ 2X 2（ S平底孔面積） ） 壓公式為（ PF=P0Asd/4λX 2（ d球孔直徑） ） （ PF=[P0As/2(2)1/2λ](d/X 3)1/2（ d橫通孔直徑） ） ，同直徑的平底孔，聲程從 100mm 增大到 300mm，若不計材質(zhì)衰減，則聲壓減?。?19dB） ，同聲程的長橫通孔，直徑從 2mm 增大到 8mm時，其回波聲壓提高（ 6dB） ，同 直徑長橫通孔，聲程增大 1倍，不計材質(zhì)衰減，則聲壓減?。?9dB） ，填入正確的分貝值 回波高度比 1 2 10 dB值 20 6 0 6 20 40 16 9 5 3 ，在 以外，與晶片面積 S 成（ 正 ）比，與波長成（ 反 ）比，因此頻 率越高，（ 聲壓 ）也越大 3N 且聲程相同時，若孔徑差 1 倍，平底孔回波高度差（ 12） dB，橫通孔的回波高度差（ 3） dB，球孔回波高度差（ 6） dB。 3N 且聲程相同時，若孔徑相同，聲程差一倍，平底孔回波高度差（ 12） dB，橫通孔的回波高度差（ 9） dB，球孔回波高度差（ 12） dB。 ，從而晶體的表面上出現(xiàn)電荷，這種現(xiàn)象稱為（ 壓電 ）效應，這一效應是可逆的 ，用于超聲波探傷的壓電晶體材料，如石英、硫酸鋰、碘酸鋰等是（ 單晶 ）體，而鈦酸鋇、鋯鈦酸鉛是（ 多晶 ）體，也稱（ 壓電陶瓷 ） （ 換能器 ） （ 直探頭 ）、（ 斜探頭 ）、（ 組合雙晶探頭 ）、（ 水浸探頭 ）。（任寫四種） ，聲透鏡的聲速為 C1，液體中的聲速為 C2，若 C1＞ C2，聲透鏡應加工成（ 平凹 ）形。若 C1＜ C2，聲透鏡應加工成（ 平凸 ）形。若 C1=C2，聲透鏡（ 不產(chǎn)生 ）聚焦 ，主要是由于不受（ 工件表面光潔度 ）影響，還可以實現(xiàn)聲束（ 聚焦 ）的緣故 ，要求入射角在（ 第一臨界角 ）和（ 第二臨界角 ）之間 ，在一定條件下，就會產(chǎn) 生（ 波型轉(zhuǎn)換 ），這種現(xiàn)象與橫波（ 入射角 ）有關(guān) 、密度之間的關(guān)系式是（ CL=[(E/ρ)(1 ?)/(1+?)(1 2?)] 1/2 ） （ 連續(xù)縱波 ） ，不但要選擇合適的（ 入射角 ），而且要給斜探頭選擇合適的斜楔材料，應滿足斜楔材料的縱波聲速（ 小 ）于工件中的橫波聲速 ，不但要選擇合適的（ 入射角 ），而且要給斜探頭選擇合適的（ 斜楔材料 ） tgβ= 的斜探頭設(shè)計一個適合 1:1 水 平定位法，并使得第一次回波前沿出現(xiàn)在第三格，第二次回波前沿出現(xiàn)在第九格的半圓試塊，該試塊的半徑應是（ ） mm ，首先要做出如下一組衰減量與理論回波高度的對應數(shù)值，再根據(jù)實測回波高度對應值，然后計算該儀器的垂直線性誤差，請?zhí)畛鱿率霰砀裰?0、 1 1 24dB 時的理論回波高度對應數(shù)值 衰減量（ dB） 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 波高值（ %） 100 : （ 較低 ）頻率的探頭 ，而造成聲波傳播的損耗，其表面補償 dB值應用（ 實驗 ）方法測定 ，為防止在第一次底面回波前面出現(xiàn)二次界面回波，水層厚度為 25mm時，能探測鋼材的最大厚度為（ 100mm） 250mm 及 500mm 的兩個餅形鍛件，若后者探測面粗糙，與前者耦合差 5dB，材質(zhì)衰減均為 ，前者的底面回波調(diào)至示波屏滿幅度的 80%，則后者的底面回波應為滿幅度的（ 20%） （被檢產(chǎn)品的基本狀況）、（探傷方法）、（探傷條件）、（驗收標準）、（探傷結(jié)論）、（操作者）、（審核人）、（探傷日期） ，應把槽加工在管子的（ 內(nèi)外表面 ） （ 檢 驗儀器和探頭的組合性能 ）、（ 確定靈敏度 ）、（ 缺陷定位 ）、（ 缺陷定量 ） （ 壓電晶片 ）、（ 吸收塊 ）、（ 高頻接線和地線 ）、（ 保護膜 ）、（ 外殼 ）等，其中（ 壓電晶片 ）是主要元件，其功能是將（ 電能 ）轉(zhuǎn)變成（ 聲能 ），并且可逆 （ 抑制不需要的振動 ）和（ 吸收雜波 ），常用（ 環(huán)氧樹脂粉加鎢粉 ）制成 （即阻尼塊），其作用是阻尼晶片的振動使脈沖便窄，限制從晶片背面發(fā)射的聲波，以防止出現(xiàn)雜波。探頭若不加阻尼塊，始脈沖應會變（ 寬 ），盲 區(qū)變（ 大 ），分辯力（ 降低 ） （ 縱波聲速比被檢工件橫波聲速小 ）的材料制成，它的功能是將（ 縱波 ）按給定的（ 入射角 ）斜射到工件表面，在界面發(fā)生折射，形成（ 橫波 ）或（ 瑞利波 ）或（ 蘭姆波 ）在工件中傳播 （ 兩 ）塊壓電晶片，在電路上和聲路上（ 彼此分離 ），晶片前裝有（ 延遲塊 ），此種探頭有盲區(qū)（ 小 ），有助于（ 近表面缺陷 ）的檢出 （ 高 ）的探頭容易產(chǎn)生（ 寬度窄 ）的脈沖，因此在探測薄工件和近表面缺陷時，應選擇（ 高 ）頻率的探頭。 有（ 分辨力 ）、（ 動態(tài)范圍 ）、（ 水平線性 ）、（ 垂直線性 ）、（ 靈敏度 ）、（ 信噪比 ）。 （ 入射點 ），此點到探頭楔塊前端的一段距離叫探頭的（ 前沿距離 ），入射點變化時，此段距離（ 也變化 ）。 ，其掃描鋸齒波形的好壞程度，決定了掃描（ 水平線性 ）的好壞。 AVG 曲線法定量時，儀器調(diào)節(jié)中，不應該使用（ “ 深度補償 ” ）和（ “ 抑制 ” ） “ 抑制 ” 旋鈕，會影響儀器的（ 垂直線性 ）和（ 動態(tài)范圍 ） ，以熒光屏縱軸 顯示超聲波信號強度，以橫軸顯示超聲波傳播時間或反射體深度的脈沖顯示法叫做（ A 掃描顯示 ） （ 陰極射線管 ） ，脈沖的持續(xù)時間稱為（ 脈沖寬度 ） ，在熒光屏上波幅從 80%處降至 5%時，應衰減（ 24） dB A 型掃描顯示中，電子束在陰極射線管的熒光屏上均勻重復移動，所形成的水平線叫做（ 掃描線 ） ，產(chǎn)生高壓電脈沖以激發(fā)探頭工作的電路單元稱為（ 脈沖發(fā)生器 ） 號幅度與缺陷的反射面積成正比關(guān)系，放大器這一非飽合的放大區(qū)域稱為（ 線性范圍 ） （ 分辨力 ） （ 發(fā)射電脈沖 ） ，除了與探頭特性有關(guān)外，主要還決定于接收放大器在強信號沖擊下的（ 阻塞 ）時間。 IIW 試塊可用來測定超聲波檢測儀和探頭的組合性能指標，其中包括：（ 水平線性 ）、（ 垂直線性 ）、（ 靈敏度 ）、（ 分辨力 ）、（ 盲區(qū) ）、（ 聲程 ）、（ 入射點 ）、（ 折射角 ） IIW試塊其厚 度為（ 25） mm，寬度為（ 100） mm，長度為（ 300） mm，凹槽上的（ 85） mm及槽兩側(cè)的 91mm和（ 100） mm可用于測定探頭的（ 分辨力 ） ，當同時存在底波和傷波時，說明鋼板中存在（ 小于 ）聲場直徑的缺陷。 ，鋼板中可能存在尺寸很大的缺陷，也可能存在尺寸很小的缺陷，可以用（ 6dB 法 ）測量缺陷的邊界位置 δ B，水層厚度為 δ S時，要求采用四次重合法探傷。其條件分別為一次重合法時（ δ S1=δ B/4），二次重合法時（ δ S2=δ B/2）、三次重合法時（ δ S3=3δ B/4）、四次重合法時（ δ S4=δ B） （ (CL1/CL2)≤sinα≤(r/R)(C L1/CS2)，式中： R— 管子外徑，r— 管子內(nèi)徑 ） ，超聲波在耦合介質(zhì)中聚焦點的內(nèi)半角公式為（ θ=t g1(D/2F) 式中：D晶片直徑； F焦距 ） ，如果聚焦點不能調(diào)整到被檢管件的中心軸線上，而是偏離中心軸線一定距離，在管壁內(nèi)將出現(xiàn)（ 無底波反射 ） 鍛件，在計算缺陷當量大小時，要注意缺陷是否在（ 3 倍近場長度 ）以外 ，一定注意底面的（ 平直度 ） ，分為 ① （ 鋸齒型 ）掃查法、 ② （ 轉(zhuǎn)角 ）掃查法、 ③ （ 環(huán)繞 ）掃查法、 ④ （ 斜平行 ）掃查法、 ⑤ （ 沿焊縫兩側(cè)平行 ）掃查法 ，由于焊縫加強高的存在，探頭一般（ 不放在 ）焊縫上，而是將探頭（ 放在鋼板上 ），超聲波傾斜射入焊縫進行探傷。 ，儀器的 “ 抑制 ” 和 “ 深度補償 ” 旋鈕應置于（ 關(guān) ）的位置 焊縫探傷時，如焊縫不磨平，應從工件的（ 內(nèi) ）表面和（ 外 ）表面，在焊縫（ 兩 ）側(cè)，共（ 四 ）個探測面探傷。 ，如焊縫磨平，為發(fā)現(xiàn)焊縫的橫向缺陷，應在焊縫上，沿焊縫的（ 縱 ）向探測 ，表面粗糙的零件作超聲波檢測時，通常使用頻率較（ 低 ）的探頭和粘度較（ 高 ）的耦合劑 ，置于壓電晶片背面的阻尼塊有三個基本作用，第一是用于固定（ 晶片位置 ），第二是用于吸收（ 晶片背面的超音波 ），第三是用于減少（ 晶片持續(xù)振動時間 ），從而使得脈沖寬度變（ 窄 ） ，顯示于示波屏上的缺陷回波圖形可以分為三種，它們是：（ 底波多次反射和缺陷的多次反射波同時出現(xiàn) ）、（ 只有缺陷的多次反射波出現(xiàn) ）、（ 只有一些紊亂的波 ） ：（ 全面掃查 ）、（ 格子線掃查 ）、（ 列線掃查 ）、（ 邊緣掃查 ） ，為使整個焊縫截面不漏檢，選用的折射角 β 必須滿足（ tgβ≥(D+L)/T ，式中： D焊縫寬度； L探頭前沿長度； T鋼板厚度 ） （ 每 12dB）或（ 每 2dB）中的誤差表 示 ，如果入射角達到第二臨界角，就會產(chǎn)生（ 表面波 ） ，晶片越（ 薄 ），頻率越（ 高 ），材料對聲能的衰減越（ 大 ） ，晶片頻率提高時，聲束擴散角將（ 減小 ），聲指向性將（ 改善 ） ，透鏡的焦距將（ 增大 ） ，透鏡的焦距將（ 縮短 ） ，工件探測面與底面不平行，底波將（ 降低 ）或（ 消失 ） （ 遠場 ）區(qū)，缺陷顯示的振幅隨傳播距離的增加而按指數(shù)規(guī)律降低 90176。 時所對應的入射角稱為（ 第一臨界角 ） （ 衰減 ） ，在工件中傳播的超聲波為（ 橫 ）波 90176。 時所對應的入射角稱為（ 第二臨界角 ） ，在原介質(zhì)中改變傳播方向的現(xiàn)象叫做（ 反射 ）現(xiàn)象 ，其方向發(fā)生變化的現(xiàn)象叫做（ 折射 ）現(xiàn)象 ，晶片是由具有（ 壓電效應 ）的（ 壓電 ）晶體制作的 波在介質(zhì)中傳播時，介質(zhì)的密度和聲波傳播速度的乘積稱為（ 聲阻抗 ） （ 管材 ）和（ 焊縫 ） （ 脈沖重復頻率 ） （ 收發(fā)聯(lián)合雙晶 ）探頭 ，同一深度的平底孔，直徑增大一倍，其回波高度提高（ 12）分貝 ，同聲程的橫孔直徑從 2毫米增大到 8毫米時，其回波高度提高（ 6）分貝 ，同直徑橫孔聲程增大一倍時，不計材質(zhì)衰減，其回波高度降低（ 9）分貝