擴(kuò)散部工藝培訓(xùn)-資料下載頁
2025-06-17 04:32本頁面
【正文】 爐管溫度會(huì)影響雜質(zhì)在硅中的固溶度，從而影響摻雜電阻； PBr3是揮發(fā)性較強(qiáng)的物質(zhì)，溫度的大小會(huì)影響源氣的揮發(fā)量，使源氣蒸氣壓發(fā)生變化，從而影響摻雜雜質(zhì)總量,因此必須保證溫度穩(wěn)定。3．3．5．2程序的編制磷源流量設(shè)置的大小決定了淀積時(shí)間的長短，使推結(jié)的時(shí)間變化，從而影響了表面濃度和電阻。3．3．5．3時(shí)間一般不易偏差，取決于時(shí)鐘的精確度 3．3．5．4排風(fēng)排風(fēng)不暢，會(huì)使摻雜氣體不能及時(shí)排出，集中在爐管之內(nèi)，使摻雜電阻難于控制。3．3．6磷擴(kuò)散工藝控制 3．3．6．1拉恒溫區(qū)控制溫度3．3．6．2電阻均勻性 電阻均勻性可以反應(yīng)出溫度或氣體的變化以及時(shí)發(fā)現(xiàn)工藝和設(shè)備發(fā)生的問題，在進(jìn)行換源、換爐管等備件的更換時(shí)，需及時(shí)進(jìn)行該QC的驗(yàn)證工作，以確定爐管正常。3．3．6．3清洗爐管及更換內(nèi)襯管由于在工藝過程中會(huì)有偏磷酸生成，在爐口溫度較低處會(huì)凝結(jié)成液體，并堆積起來，會(huì)腐蝕爐管甚至流出爐管后腐蝕機(jī)器設(shè)備。3．3．4 常見問題及處理= 3．3．4．1推阱爐管均勻性及膜厚變化 檢查方法與熱氧化一樣。3．3．4．2推阱時(shí)程序中斷對策：1．檢查爐管的作業(yè)記錄，找出中斷的真正原因； 2．根據(jù)作業(yè)記錄中剩余時(shí)間的多少確定返工時(shí)間； 3．必須減去升降溫的時(shí)間補(bǔ)償。3．3．4．3 磷摻雜后，電阻均勻性變差 對策 1．檢查排風(fēng)有無變化 2．檢查爐管的溫度有無大的偏差 3．檢查源溫有無大的波動(dòng) 4．檢查MFC的流量有無波動(dòng)第四章：合金工藝淀積到硅片表面的金屬層經(jīng)光刻形成一定的互連圖形之后，還必須進(jìn)行一次熱處理，稱為“合金化”。合金的目的是使接觸孔中的鋁與硅之間形成低電阻歐姆接觸，并增加鋁與二氧化硅之間的附著力。4．1鋁柵合金 鋁是三價(jià)元素，在硅中是強(qiáng)P型雜質(zhì)，與SI能形成低值歐姆接觸。 ：在熱處理過程中，硅會(huì)不停地往鋁膜中輸送，直到鋁膜中的含硅量在此溫度下達(dá)到飽和，溶解過程才停止。鋁膜SiO2SiNPWELLSi在Al中溶解現(xiàn)象稱為‘鋁釘’Si在Al中的傳輸硅在鋁膜中的溶解和擴(kuò)散過程受鋁晶粒尺寸、孔邊緣氧化層應(yīng)力、孔上殘余的SiO2的影響，引起鋁膜對硅的不均勻溶解。溶解入硅的鋁膜，我們稱之為‘鋁釘’。鋁釘?shù)拇嬖?，?huì)產(chǎn)生PN結(jié)擊穿特性退化。嚴(yán)重時(shí)，出現(xiàn)PN結(jié)短路。：材料：N：過程：在400A氧化層上淀積8000A鋁膜。實(shí)際在干法去膠后，氧化層殘余140A左右。測試儀器：CV測試儀鋁釘在薄SiO2上的滲透后，擊穿特性變差合金前的IV特性合金后的IV特性測點(diǎn)工藝20V下的漏電流擊穿測點(diǎn)工藝20V下的漏電流擊穿1干法371干法272殘厚136A352殘厚137A303（400A）16363（408A）274 12364 5 365 06 6 27 137 358 8 19 6359 10 10 5527 4．2常用的硅柵合金工藝用多晶硅代替鋁作為MOS晶體管的柵電極簡稱為‘硅柵’。P+TiN鋁膜實(shí)際工藝中，預(yù)先在鋁源中加入適量的硅，使硅在鋁膜中處于飽和，避免硅在鋁膜中的溶解，也就避免了‘鋁釘’的產(chǎn)生。同時(shí)用TiN層來阻擋鋁膜向硅中的滲透，在TiN與硅的結(jié)合處，預(yù)先形成TiSi化合物來加強(qiáng)粘附性。：目前上華采用的合金工藝的作用不僅僅是形成歐姆接觸，它的另一個(gè)最大的作用在于：包含N、H烘陪工藝，是減少表面態(tài)密度，避免軟擊穿的有效措施。
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