【導(dǎo)讀】使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?Im,試計(jì)算各波形的電流平均值Id1、Id2、Id3與電流有效值I1、I2、I3。較大,這樣晶體管V2控制靈敏,易于GTO關(guān)斷;,GTO的飽和程度不深,接近于臨界飽和,這樣為門(mén)極控制關(guān)斷提供了有利條件;MOSFET的輸入電容是低泄漏。①一般在不用時(shí)將其三個(gè)電極短接;②裝配時(shí)人體、工作臺(tái)、電烙鐵必須接地,測(cè)試時(shí)所有儀器外殼必須接地;流,并加反偏截止電壓,以加速關(guān)斷速度。求更高,其驅(qū)動(dòng)電路通常包括開(kāi)通驅(qū)動(dòng)電路,關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路和門(mén)極反偏電路三部分。和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下,穩(wěn)定結(jié)溫不超過(guò)額定結(jié)溫所允許的最大工頻正弦半波電流的平均值。導(dǎo)通時(shí)刻,負(fù)載電流為零。在電源電壓U2的負(fù)半周期,負(fù)載電感L釋放能量,晶閘管繼續(xù)