模擬電路基捶20090915第五次-資料下載頁
2025-05-12 18:47本頁面
【正文】 ICN/IB =（ IC－ ICBO） /IB≈IC/IB ?0CE CECCBBvvd i id i i?? ? ?????常 數(shù)例： VCE=6V時： IB = 40 ?A, IC = mA； IB = 60 ?A, IC = mA。 _ _ _???BCII?在以后的計算中，一般作近似處理： ? = ?? = ?40 ???????BCii?2. 頻率參數(shù) （ 1）截止頻率 fβ 由于 BJT的 PN結(jié)具有電容效應(yīng)，當(dāng)工作頻率較高時， BJT電流放大系數(shù) ? 將隨信號頻率 f的變化而變化，兩者之間的關(guān)系可近似表示為 : ()1offjf ??? ?? （ ） 式（ ）中， ? 0為直流（或低頻）電流放大系數(shù)； f?為共射電流放大系數(shù)的截止頻率，表示共射電流放大系數(shù)由 ? 0 下降 3 dB（ 1/√2 倍）時所對應(yīng)的頻率。圖 BJT電流放大系數(shù) ? 的頻率特性。 圖 ?的頻率特性 2( ) 11 ( )1ooTTTfffjff ????? ? ? ???（ 2）特征頻率 fT 特征頻率 fT是當(dāng) 高頻 ? 的模等于 1(0dB)時所對應(yīng)的頻率。也就是說，當(dāng) |? (f)| = 1時，集電極電流增量與基極電流增量相等，共射接法的 BJT失去電流放大能力。根據(jù) fT的定義和式（ ）可近似估算出特征頻率 fT 大部分 BJT:β010 Toff??? 根據(jù) fT的不同，晶體管可以分為 低頻管 、 高頻管 和 微波管 。在應(yīng)用雙極型晶體管時，工作頻率應(yīng)該遠(yuǎn)小于特征頻率 fT。例如在 BJT放大電路中，可以選 fT比入信號頻率高10倍的管子作為放大管。 2 1Toff ? ???極限參數(shù)是指 BJT安全工作時不可超過的限度。 ICmax iC在較大的范圍內(nèi)， ? 基本不變，但當(dāng) iC增大到一定數(shù)值時， ?值就會隨著的 iC增大而減小。一般ICmax是指 ?下降到 最大值的2/3時所對應(yīng)的集電極電流。當(dāng) iC ICmax時， 雖然管子不至于損壞，但 ?值已經(jīng)明顯減小。 極限參數(shù) 晶體管線性運(yùn)用時，iC不應(yīng)超過 ICmax。 2. 集電極最大允許耗散功率 PCmax PCmax是指集電結(jié)上允許損耗功率的最大值，決定了晶體管的溫升。超過此值就會使管子性能變壞或燒毀。對于確定型號的 BJT， PCmax是一個確定值，即 PCmax=iCvCE=常數(shù) ，在輸入特性平面上為雙曲線中的一條。 按 PCmax的大小，晶體管可分為 小功率管 和 大功率管 。對于大功率管，為了提高 PCmax，通常加裝散熱裝置。當(dāng)散熱條件不滿足要求時，允許的最大功耗將小于 PCmax。 PCmax值與環(huán)境溫度有關(guān)，環(huán)境溫度越高，則 PCmax越小。當(dāng)硅管的結(jié)溫大于 150℃ 時，鍺管的結(jié)溫大于 70℃ 時，管子特性明顯變壞，甚至燒毀。 3. 反向擊穿電壓 對于 BJT的兩個 PN結(jié)，若反向電壓超過規(guī)定值就會發(fā)生擊穿。比較常用的反向擊穿電壓參數(shù)有： BVCEO：基極開路條件下，加在集電極與發(fā)射極之間使得集電結(jié)反向擊穿的電壓。 BVCBO：發(fā)射極開路下，加在集電極與基極之間使得集電結(jié)反向擊穿的電壓。 BVEBO：集電極開路條件下，加在發(fā)射極與基極之間使得發(fā)射結(jié)反向擊穿的電壓。 對于不同型號的管子： BVCBO為幾十伏到上千伏，BVEBO一般只有幾伏。三種反向擊穿電壓有以下關(guān)系 ： BVEBO BVCEO BVCBO 安全工作區(qū) 由 ICmax、 BVCEO、及 PCmax三個極限參數(shù)， 在輸出特性曲線上 可畫出三極管的安全工作區(qū)圖，并確定過損耗區(qū)、過電流區(qū)和擊穿區(qū)。 輸出特性曲線上的安全工作區(qū)
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