【總結(jié)】第7章金屬和半導(dǎo)體的接觸金屬半導(dǎo)體接觸及其能級(jí)圖金屬半導(dǎo)體接觸整流理論少數(shù)載流子的注入和歐姆接觸金屬半導(dǎo)體接觸及其能級(jí)圖1一、功函數(shù)和電子親合能真空能級(jí)E0:真空中靜止電子的能量電子親和能χ:真空能級(jí)與導(dǎo)帶底之差(導(dǎo)帶底電子逸出體外的最小能量)半導(dǎo)體中的功函數(shù)和電子親和能金屬中的功函數(shù)
2025-05-02 06:00
【總結(jié)】半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析組員:93114114林怡欣93114124蔡松展93114251謝瑋璘93114169蔡文杰目錄III半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)結(jié)V.邏輯ICVI.記憶體VII.臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)概況半導(dǎo)體的定義所謂的半導(dǎo)體,是指在某些情況下,
2024-10-11 21:13
【總結(jié)】三、pn結(jié)在前面幾結(jié)中我們了解了本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體,根據(jù)對導(dǎo)電性的影響,雜質(zhì)半導(dǎo)體又分為n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體。如果把一塊n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體結(jié)合在一起,在兩者的交界面就形成了所謂的pn結(jié),在這一結(jié)我們就是要了解pn結(jié)的一些性質(zhì)。1、pn結(jié)的形成和雜質(zhì)分布在一塊n型(或p型)半導(dǎo)體單晶上,
2025-07-25 02:12
【總結(jié)】半導(dǎo)體物理(SemiconductorPhysics)主講:彭新村信工樓519室,13687940615Email:東華理工機(jī)電學(xué)院電子科學(xué)與技術(shù)第十一章半導(dǎo)體的熱電性質(zhì)?半導(dǎo)體熱電效應(yīng)的物理解釋?半導(dǎo)體熱電效應(yīng)的實(shí)際應(yīng)用半導(dǎo)體熱電效應(yīng)的物理解釋一、單一半導(dǎo)體
2025-05-06 12:49
【總結(jié)】第一章半導(dǎo)體器件的特性半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性PN結(jié)二極管雙極型晶體管(BJT)場效應(yīng)管(FET)主要內(nèi)容及要求基礎(chǔ),必須掌握:基本概念,原理,特征曲線、參數(shù),應(yīng)用等。了解原理,掌握特征曲線、參數(shù)。半導(dǎo)體材料:物質(zhì)根據(jù)其導(dǎo)電能力(電阻率)的不同,可劃分導(dǎo)體、絕緣體和
2025-05-06 12:44
【總結(jié)】第七章金屬和半導(dǎo)體的接觸林碩E-mail:§金屬半導(dǎo)體接觸及其能帶圖本章內(nèi)容提要?金半接觸及其能級(jí)圖?整流特性?少子注入和歐姆接觸金屬—半導(dǎo)體接觸整流接觸:微波技術(shù)和高速集成電路歐姆接觸:電極制作成為界面物
2025-08-05 16:17
【總結(jié)】§19-3半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)本征半導(dǎo)體是指純凈的半導(dǎo)體.本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能在導(dǎo)體與絕緣體之間.電子導(dǎo)電:導(dǎo)帶中的電子在外磁場中的定向運(yùn)動(dòng).空穴導(dǎo)電:滿帶中存在空穴的情況下,電子在滿帶內(nèi)的遷移,相當(dāng)于空穴沿相反方向運(yùn)動(dòng).空穴相當(dāng)于帶正電的粒子.滿帶上的一個(gè)電子躍遷到導(dǎo)帶后,滿帶中出
2024-10-09 15:01
【總結(jié)】中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展畢克允中國電子科學(xué)研究院一、引言二、產(chǎn)業(yè)發(fā)展三、市場需求四、科研開發(fā)五、展望未來六、結(jié)束語主要內(nèi)容摘要摘要主要介紹2021年度中國半導(dǎo)體行業(yè)中的設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝測試、材料與工藝設(shè)備(支撐業(yè))的產(chǎn)業(yè)發(fā)展、市場走勢、
2025-05-13 07:01
【總結(jié)】考試時(shí)間:18周周五上午10:00(1月4日第二大節(jié))考試地點(diǎn):望江基C2022022級(jí)半導(dǎo)體物理總結(jié)第l章半導(dǎo)體(晶體)中的電子狀態(tài)問題的提出:半導(dǎo)體獨(dú)特的物理性質(zhì)半導(dǎo)體中電子的狀態(tài)及其運(yùn)動(dòng)特點(diǎn)二者之間關(guān)系與結(jié)構(gòu)的關(guān)系本章介紹重點(diǎn)半導(dǎo)體單晶材料中的電子狀態(tài)及其運(yùn)動(dòng)規(guī)律
2025-01-14 10:18
【總結(jié)】學(xué)會(huì)用工程觀點(diǎn)分析問題,就是根據(jù)實(shí)際情況,對器件的數(shù)學(xué)模型和電路的工作條件進(jìn)行合理的近似,以便用簡便的分析方法獲得具有實(shí)際意義的結(jié)果。對電路進(jìn)行分析計(jì)算時(shí),只要能滿足技術(shù)指標(biāo),就不要過分追究精確的數(shù)值。器件是非線性的、特性有分散性、RC的值有誤差、工程上允許一定的誤差、采用合理估算的方法。對于元器件,重點(diǎn)放在特性
【總結(jié)】半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)晶體三極管場效應(yīng)管單結(jié)晶體管和晶閘管半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)一、本征半導(dǎo)體二、雜質(zhì)半導(dǎo)體三、PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦运?、PN結(jié)的電容效應(yīng)一、本征半導(dǎo)體根據(jù)物體導(dǎo)電能力(電阻率)的不同,分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。導(dǎo)體-鐵、鋁、銅等金屬元素
2025-08-04 09:14
【總結(jié)】主講人:申鳳娟21半導(dǎo)體器件2基本放大電路及其分析設(shè)計(jì)方法6模擬電子技術(shù)的應(yīng)用與發(fā)展3放大電路的頻率響應(yīng)與負(fù)反饋技術(shù)4通用集成運(yùn)放及其應(yīng)用5波形發(fā)生電路7直流穩(wěn)壓電源CONTENTS內(nèi)容大綱C3第一章4第一章常用半導(dǎo)體器件§半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)
2025-01-21 18:23
【總結(jié)】半導(dǎo)體照明照明領(lǐng)域的又一次革命一、人類照明的歷史火—人類的文明燈—延續(xù)歷史幾千年燈—延續(xù)歷史幾千年二、電光源的歷史1879年愛迪生發(fā)明白熾燈熒光燈將電光源帶入新天地三、半導(dǎo)體發(fā)光二極管半導(dǎo)體發(fā)光二極管照明的革命四、第三代半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體材料的分代1.以硅Si為代表的
2025-01-04 00:43
【總結(jié)】第十一章半導(dǎo)體材料制備生長技術(shù)?體單晶生長技術(shù)單晶生長通常利用籽晶在熔融高溫爐里拉伸得到的體材料,半導(dǎo)體硅的單晶生長可以獲得電子級(jí)(%)的單晶硅?外延生長技術(shù)外延指在單晶襯底上生長一層新單晶的技術(shù)。新生單晶層的晶向取決于襯底,由襯底向外延伸而成,故稱“外延層”。晶體生長問
2024-12-08 07:59
【總結(jié)】第五章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)二極管的單相導(dǎo)電特性特殊二極管三極管的基本結(jié)構(gòu)和電流放大特性場效應(yīng)管簡介電子技術(shù)是利用半導(dǎo)體器件完成對電信號(hào)處理的技術(shù)。它包括模擬電子和數(shù)字電子。處理的電信號(hào)為連續(xù)變化的信號(hào)時(shí),我們使用的電路為模擬電路。處理的信號(hào)為不連續(xù)變化、只有在其高低電
2025-05-06 12:43