emmiobirch原理及應用-資料下載頁
2025-05-07 18:06本頁面
【正文】 . OBIRCH lockin簡介 3. OBIRCH的應用及實際失效案例分析 4. EMMI的基本原理 5. Advanced EMMI (InGaAs)簡介 6. EMMI的應用及實際失效案例分析 7. OBIRCH與 EMMI的區(qū)別 Difference between IROBIRCH and EMMI Comparison of LCD/OBIRCH and EMMI 設備 原理 模式 應用范圍 優(yōu)點 缺點 圖例 LCD（ Liquid crystal detection） Thermo emission detection 被動式 1. Impurity、 defect and ESD Damage induced leakage current 2. Abnormal distributing of current 3. Leakage at Oxide 4. Latch up 設備簡易，成本低，熱點不易被厚鋁阻擋 靈敏度較差： hot spot能量 ≧ 1uW才能被探測到； 僅能做正面分析； 液晶有毒性； OBIRCH（ Optical beam induced resistance change） Beam induced thermo effect 主動式 1. Leakage path 2. Defects in the metal (void, Si nodule) 3. Abnormal resistance (material, structure) 4. Functional failure （ need to link ATE） 靈敏度較高，附屬裝置 lockin可以有效提高信噪比；操作方便快速；可作背面分析；無毒性 設備價格高昂（ 〉800， 000USD）；對于厚鋁產(chǎn)品 laser穿透性較差 PEM (Photo emission ) Photo emission detection 被動式 1. Sub defects such as Crystal defects, stacking faults, mechanical damage 2. junction leakage 3. contact spiking 4. hot electrons, saturated transistors 5. latchup 6. oxide current leakage 7. polysilicon filaments 靈敏度高，波長探測范圍廣（ 400nm ~）；操作方便快速；可作背面分析；無毒性 設備價格高昂（ 〉800， 000USD）；對于厚鋁產(chǎn)品 emission穿透性較差 Qamp。A
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