電子線路ppt課件-資料下載頁
2025-05-05 18:56本頁面
【正文】 (BR) EBO—— 集電極開路時發(fā)射結的擊穿電壓 。 (BR)CEO—— 基極開路時集電極和發(fā)射極間的 擊穿電壓。 對于 U(BR)CER表示 BE間接有電阻， U(BR)CES表示BE間是短路的。幾個擊穿電壓在大小上有如下關系 U(BR)CBO≈U(BR)CES＞ U(BR)CER＞ U(BR)CEO＞ U(BR) EBO 由 PCM、 ICM和 U(BR)CEO在輸出特性曲線上可以確定過損耗區(qū)、過電流區(qū)和擊穿區(qū)，見圖 。 圖 輸出特性曲線上的過損耗區(qū)和擊穿區(qū) 三極管的物理結構如圖所示。 雙極型三極管 物理模型 rb39。e re歸算到基極回路的電阻 發(fā)射結電容，也用 C?這一符號 Cb?e集電結電阻 rb?c 集電結電容，也用 C?這一符號 Cb?c rbb39。 基區(qū)的體電阻， b39。是假想的基區(qū)內的一個點。 發(fā)射結電阻 r e 混合 π型微變等效電路－物理模型 簡化： 忽略 rb’c 、 rce （ 3） 參數計算 )mA(ImV26)1(rrrrEbe39。b39。bbbe??????據e39。bbe39。bbEe39。brrr)mA(ImV26)1(r?????得ebebbbebm rUIIUg39。39。.39。.?? ???)( )(39。mSImVmAIrg CEebm ????是三極管的特征頻率另 TTm ff2ge39。bC ??obCc39。bC手冊上的是另 附錄：半導體三極管的型號 國家標準對半導體三極管的命名如下 : 3 D G 110 B 第二位： A鍺 PNP管、 B鍺 NPN管、 C硅 PNP管、 D硅 NPN管 第三位： X低頻小功率管、 D低頻大功率管、 G高頻小功率管、 A高頻大功率管、 K開關管 用字母表示材料 用字母表示器件的種類 用數字表示同種器件型號的序號 用字母表示同一型號中的不同規(guī)格 三極管 表 雙極型三極管的參數 參 數 型 號 P C M mW I C M mA VR CBO V VR CEO V VR EBO V I C BO μ A f T MHz 3AX31D 125 125 20 12 ≤ 6 *≥ 8 3BX31C 125 125 40 24 ≤ 6 *≥ 8 3CG101C 100 30 45 100 3DG123C 500 50 40 30 3DD101D 5A 5A 300 250 4 ≤ 2mA 3DK100B 100 30 25 15 ≤ 300 3DKG23 250W 30A 400 325 8 注： *為 f? 半導體三極管圖片 半導體三極管圖片
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1