【正文】 的寬度，進而改變溝道電阻的大小以達到控制漏極電流的目的，漏極電流 iD 受控于uGS 。 絕緣柵 場效應管 :工作原理續(xù) 115 uDS(uGSUGS(th)) 開啟狀態(tài) iD 0 uDS??iD 近似不變 uDS=(uGSUGS(th)) 預夾斷 狀態(tài) uDS?? iD ? uDS 影響 iD ( uGS = C ? 0 ) uDS≥(uGSUGS(th)) 預夾斷 后 絕緣柵 場效應管 :工作原理續(xù) 116 小結： iD 受控于 uGS : uGS ? 則 iD ?直至 iD =0 iD 受 uDS影響 : uDS?則 iD 先增隨后近似不變 預夾斷前 uDS?則 iD ? 以預夾斷狀態(tài)為分界線 預夾斷后 uDS?則 iD 不變 絕緣柵 場效應管 :工作原理續(xù) 117 特別注意： 區(qū)別夾斷與預夾斷： 夾斷時： uGS ? UGS(th) ， iD =0 預夾斷時： uGD = UGS(th) (或 uGS uDS = UGS(th)) iD ?0 預夾斷前： uGD UGS(th) (或 uGS uDS UGS(th) ) 預夾斷后： uGD UGS(th) (或 uGS uDS UGS(th) ) 絕緣柵 場效應管 :工作原理續(xù) 118 ? 特性曲線 （ 增強型 NMOS管為例 ） 輸出特性曲線 指 uGS 為參變量， iD隨 uDS變化的關系曲線 ),(1 GSDSD uufi ?絕緣柵 場效應管 119 輸出特性曲線主要分三區(qū)： 截止區(qū) 放大區(qū) 可變電阻區(qū) 可變電阻區(qū) 放大區(qū) 截止區(qū) 絕緣柵場效應管 :特性曲線續(xù) 120 絕緣柵場效應管 :特性曲線續(xù) 截止區(qū)： 對應夾斷狀態(tài) 特點： uGS UGS (th) iD=0 121 絕緣柵場效應管 :特性曲線續(xù) 放大區(qū)： 對應管子開啟和預夾斷后的狀態(tài) 特點： 受控放大 ,?uGS ? ?則 iD ↑ 122 絕緣柵場效應管 :特性曲線續(xù) 可變電阻區(qū)： 對應預夾斷前狀態(tài) 特點： uDS?則 iD近似線性 ? 電阻特性 uGS變化則阻值變化 變阻特性 123 開啟電壓 UGS(th) 預夾斷后轉移特性曲線重合 ?曲線方程 條件 DSthGSGS uUu ??? )(02)( )( thGSGSpD UuKi ?? 轉移特性曲線 指為 uDS參變量， iD隨uGS變化的關系曲線 ),(2 DSGSD uufi ?絕緣柵場效應管 :特性曲線續(xù) 124 ? 襯調效應（ 增強型 NMOS管為例 ） 絕緣柵 場效應管 uBS ?0且 uBS 0時iD 受控于 uBS 的特性 襯調效應又稱 背柵效應，體效應 uSB g d s b UGG UDD 125 ? 耗盡型 NMOS管 絕緣柵 場效應管 存在 原始導電溝道 的 FET管 uGS =0時管子內已有的導電通道 N溝道耗盡型 MOS管的結構與符號 轉移特性曲線 輸出特性曲線 128 ? PMOS管 特點 : 導電載流子為空穴 uGS (uDS )電壓極性及 iD電流流 向與 NMOS管相反 絕緣柵 場效應管 ? FET管特性匯總表 P40 129 直流參數 : 飽和漏極電流 IDSS : uGS=0時的 iD 值 夾斷電壓 UGS(off) : iD ?0時的 uGS值 開啟電壓 UGS(th) : 增強型管剛開始導 電 時的 uGS值 直流輸入電阻 RGS: RGS = UGS / IG 場效應管參數及特點 ? 參數 耗盡管參數 增強管參數 130 跨導 場效應管參數及特點 :續(xù) 交流參數 : 增強型 耗盡型 背柵 跨導 常數??)( BSDS uuGSDm dudigD)(D S S)()(II2)1(2offGSoffGSGSoffGSD S Sm UUuUIg ?????)(2 )( thGSGSpm UuKg ??常數??)( GSDS uuBSDmb dudigmmb gg??跨導 比 131 交流參數 : 輸出電阻 常數??)( BSGS uuDDSds didur場效應管參數及特點 :續(xù) 極間電容 Cgs Cgd Cds ( Cbs Cbd Cbg ) 132 場效應管參數及特點 :續(xù) 極限參數： 柵源擊穿電壓 UBR(GS) 漏源擊穿電壓 UBR(DS) 最大功耗 PDM : DSDDM UIP ?參數的溫度特性： 在特定電流電壓下，管子參數的溫度系數可以為零 耗盡型 增強型 133 導電方式 載流子 運動方式 控制方式 輸入電阻 漂移 擴散 漂移 壓控 流控 高 低 場效應管參數及特點 ? 特點 多子 單極型 多子少子 雙極型 FET BJT 134 場效應管參數及特點 :續(xù) ? 特點 FET BJT 噪聲 小 大 抗輻射力 強 弱 熱穩(wěn)定性 好 差 135 第 1章要點 ? 了解有關半導體的基本概念 ? 理解 PN結的特性 ? 理解半導體器件的特性曲線、參數及溫度特性 ? 掌握半導體器件的有關公式及電流關系 ? 掌握二極管、穩(wěn)壓管電路的分析 136 作業(yè) ? 13 (13) 15 (15) 16 (16) 17(a)(d)(f) (17) (a)(d)(f) ? 112 (112) 115 (115) 116 (116) 注：紅字對應新版教材 137 答疑安排 周次 時間 地點 原志強 3， 8， 13，17 每周三晚上 6： 408： 50；五一后為7： 109： 20 C樓 1樓休息室 劉雪芳 4， 9 同上 C樓 1樓休息室 吳煒 5， 10， 14， 同上 C樓 1樓休息室 陳健 劉向麗 6， 11， 15，18 同上 C樓 1樓休息室 傅豐林楊清海 7， 12， 16 同上 C樓 1樓休息室 第 19周期后考試，安排統(tǒng)一答疑