電子線路ppt課件(已修改)
2025-05-17 18:56 本頁(yè)面
【正文】 半導(dǎo)體三極管有兩大類型， 一是 雙極型半導(dǎo)體三極管（三極管） 雙極型半導(dǎo)體三極管是由兩種載 流子參與導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件，它由兩 個(gè) PN 結(jié)組合而成，是一種 CCCS器件。 場(chǎng)效應(yīng)型半導(dǎo)體三極管僅由一種 載流子參與導(dǎo)電，是一種 VCCS器件。 半導(dǎo)體三極管 二是 場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體三極管（場(chǎng)效應(yīng)管 ) 三極管的結(jié)構(gòu)及工作原理 三極管的基本特性 三極管的主要參數(shù)及電路模型 雙極型半導(dǎo)體三極管的結(jié)構(gòu)示意圖如圖 所示。 它有兩種類型 :NPN型和 PNP型。 圖 兩種極性的雙極型三極管 eb間的 PN結(jié)稱為 發(fā)射結(jié) (Je) cb間的 PN結(jié)稱為 集電結(jié) (Jc) 中間部分稱為基區(qū)，連上電極稱為 基極 ， 用 B或 b表示（ Base）； 一側(cè)稱為發(fā)射區(qū)，電極稱為 發(fā)射極 ， 用 E或 e表示（ Emitter）； 另一側(cè)稱為集電區(qū)和 集電極 ， 用 C或 c表示（ Collector）。 雙極型三極管的符號(hào)在圖的下方給出，發(fā)射極的箭頭代表發(fā)射極電流的實(shí)際方向。 從外表上看兩個(gè) N區(qū) ,(或兩個(gè) P區(qū) )是對(duì)稱的，實(shí)際上 發(fā)射區(qū)的摻雜濃度大 ， 集電區(qū)摻雜濃度低 ，且集電結(jié)面積大?；鶇^(qū)要制造得很薄，其厚度一般在幾個(gè)微米至幾十個(gè)微米。 1. 三極管的電流分配與控制 雙極型半導(dǎo)體三極管在工作時(shí)一定要加上適當(dāng)?shù)闹绷髌秒妷骸? 若在放大工作狀態(tài)：發(fā)射結(jié)加正向電壓，集電結(jié)加反向電壓。 現(xiàn)以 NPN型三極管的放大狀態(tài)為例，來(lái)說(shuō)明三極管內(nèi)部的電流關(guān)系， 見(jiàn)圖 。 (動(dòng)畫 21) 圖 雙極型三極管的電流傳輸關(guān)系 發(fā)射結(jié)加正偏時(shí)，從發(fā)射區(qū)將有大量的電子向基區(qū)擴(kuò)散，形成的電流為 IEN。與PN結(jié)中的情況相同。 。 從基區(qū)向發(fā)射區(qū)也有空穴的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，但其數(shù)量小，形成的電流為 IEP。 這是因?yàn)榘l(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)的摻雜濃度。 進(jìn)入基區(qū)的電子流因基區(qū)的空穴濃度低，被復(fù)合的機(jī)會(huì)較少。又因基區(qū)很薄，在集電結(jié)反偏電壓的作用下，電子在基區(qū)停留的時(shí)間很短，很快 就運(yùn)動(dòng)到了集電結(jié)的邊上，進(jìn)入集電 結(jié)的結(jié)電場(chǎng)區(qū)域，被集電極所收集，形成集電極電流 ICN。 在基區(qū)被復(fù)合的電子形成的電流是 IBN。 另外因集電結(jié)反偏，使集電結(jié)區(qū)的少子形成漂移電流 ICBO。 于是可得如下電流關(guān)系式 : IE= IEN+ IEP 且有 IENIEP IEN=ICN+ IBN 且有 IEN IBN ， ICNIBN IC=ICN+ ICBO IB=IEP+ IBN－ ICBO IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN =(ICN+ICBO)+(IBN+IEP－ ICBO) IE =IC+IB 以上關(guān)系在圖 了演示。由以上分析可知，發(fā)射區(qū)摻雜濃度高，基區(qū)很薄，是保證三極管能夠?qū)崿F(xiàn)電流放大的關(guān)鍵。若兩個(gè) PN結(jié)對(duì)接，相當(dāng)基區(qū)很厚，所以沒(méi)有電流放大作用，基區(qū)從厚變薄，兩個(gè) PN結(jié)演變?yōu)槿龢O管，這是量變引起質(zhì)變的又一個(gè)實(shí)例
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