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正文內(nèi)容

電子線路ppt課件(參考版)

2025-05-08 18:56本頁面
  

【正文】 bC手冊上的是另 附錄:半導(dǎo)體三極管的型號 國家標(biāo)準(zhǔn)對半導(dǎo)體三極管的命名如下 : 3 D G 110 B 第二位: A鍺 PNP管、 B鍺 NPN管、 C硅 PNP管、 D硅 NPN管 第三位: X低頻小功率管、 D低頻大功率管、 G高頻小功率管、 A高頻大功率管、 K開關(guān)管 用字母表示材料 用字母表示器件的種類 用數(shù)字表示同種器件型號的序號 用字母表示同一型號中的不同規(guī)格 三極管 表 雙極型三極管的參數(shù) 參 數(shù) 型 號 P C M mW I C M mA VR CBO V VR CEO V VR EBO V I C BO μ A f T MHz 3AX31D 125 125 20 12 ≤ 6 *≥ 8 3BX31C 125 125 40 24 ≤ 6 *≥ 8 3CG101C 100 30 45 100 3DG123C 500 50 40 30 3DD101D 5A 5A 300 250 4 ≤ 2mA 3DK100B 100 30 25 15 ≤ 300 3DKG23 250W 30A 400 325 8 注: *為 f? 半導(dǎo)體三極管圖片 半導(dǎo)體三極管圖片 。mSImVmAIrg CEebm ????是三極管的特征頻率另 TTm ff2ge39。.39。brrr)mA(ImV26)1(r?????得ebebbbebm rUIIUg39。bbe39。b39。是假想的基區(qū)內(nèi)的一個點。e re歸算到基極回路的電阻 發(fā)射結(jié)電容,也用 C?這一符號 Cb?e集電結(jié)電阻 rb?c 集電結(jié)電容,也用 C?這一符號 Cb?c rbb39。 圖 輸出特性曲線上的過損耗區(qū)和擊穿區(qū) 三極管的物理結(jié)構(gòu)如圖所示。 對于 U(BR)CER表示 BE間接有電阻, U(BR)CES表示BE間是短路的。 (BR) EBO—— 集電極開路時發(fā)射結(jié)的擊穿電壓 。 圖 三極管擊穿電壓的測試電路 (BR)CBO—— 發(fā)射極開路時的集電結(jié)擊穿電壓。在計算時往往用 UCE取代 UCB??梢?,當(dāng) IC> ICM時,并不表 示三極管 會損壞。 ? ? (3)極限參數(shù) ①集電極最大允許電流 ICM 如圖 ,當(dāng)集電極電流增加時, ? 就 要下降,當(dāng) ?值 下降到線性放大區(qū) ?值的 70~ 30% 時,所對應(yīng)的集電極電流稱為集電極最大允許電 流 ICM。由于結(jié)電容的影響,當(dāng)信號頻率增加時,三極管的 ?將會下降。 圖 在輸出特性曲線上求 β α α =?IC/?IE? UCB=const 當(dāng) ICBO和 ICEO很小時, ≈?、 ≈?,可以不加區(qū)分。或在圖 02. 08上通過求
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