電子線路ppt課件(編輯修改稿)
2025-06-01 18:56 本頁面
【文章內容簡介】 時，因集電極無收集作用， iC=0。 當 uCE稍增大時， 發(fā)射結雖處于正向電壓 之下，但集電結反偏電 壓很小，如 uCE 1 V uBE= V uCB= uCE uBE= V 集電區(qū)收集電子的能力 很弱， iC主要由 uCE決定。 圖 共發(fā)射極接法輸出特性曲線 當 uCE增加到使集電結反偏電壓較大時，如 uCE ≥1 V uBE ≥ V 運動到集電結的電子 基本上都可以被集電 區(qū)收集，此后 uCE再增 加，電流也沒有明顯 的增加，特性曲線進 入與 uCE軸基本平行的 區(qū)域 (這與輸入特性曲 線隨 uCE增大而右移的 圖 共發(fā)射極接法輸出特性曲線 原因是一致的 ) 。（ 動畫 22） 輸出特性曲線可以分為三個區(qū)域 : 飽和區(qū) —— iC受 uCE顯著控制的區(qū)域，該區(qū)域內 uCE的 數(shù)值較小，一般 uCE＜ V(硅管 )。此時 發(fā)射結正偏， 集電結正偏 或反偏電壓很小 。 截止區(qū) —— iC接近零的區(qū)域，相當 iB=0的曲線的下方。此時， 發(fā)射結反偏， 集電結反偏。 放大區(qū) —— iC平行于 uCE軸的區(qū)域，曲線基本平行等距。 此時， 發(fā)射結正偏，集電結反偏， 電壓大于 V左右 (硅管 ) 。 ? (1)開關作用 ? 截止狀態(tài) ? IB＝ 0， IC＝ 0， UCE＝ VCC CCCCC E SCCCSRVRUVI ????CCCCSBSRVII??? ??BSB Ii ?? IC＝ ICS， VCE＝ UCES＝ 0 飽和狀態(tài) (2)三極管的開關時間 ? 延遲時間 td 從 +uB2的加入至集電極電流上升到 所需的時間 ? 上升時間 tr 集電極電流從 時間 ? 存儲時間 ts 從輸入端電壓降至 uB1 到集電極電流降至 ? 下降時間 tf 集電極電流從 時間 td, tr就是指基區(qū)電荷建立的時間 ,常用開通時間 ton= td+tr來表示三極管從截止到飽和所需的時間；而 ts, tf是指基區(qū)存儲電荷消散所需的時間，常用關閉時間 toff= ts+tf表示三極管從飽和到截止所需的時間。開通時間 ton與關閉時間 toff也總稱為三極管的開關時間 ,它限制三極管的開關運用速度，不同的管子開關時間各不相同，一般開關三極管的開關時間在幾十到幾百納秒 三極管的主要參數(shù)及電路模型 半導體三極管的參數(shù)分為三大類 : 直流參數(shù) 交流參數(shù) 極限參數(shù) (1)直流參數(shù) ①直流電流放大系數(shù) co n s tuBCBC E OC CEIIIII ???? //)(? 在放大區(qū)基本不變。在共發(fā)射極輸出特性 曲線上，通過垂直于 X軸的直線 (uCE=c
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