【文章內容簡介】 3:限幅電路中 VD 理想，求 uO(t)并畫出波形 。 晶體二極管 (電路舉例 :續(xù) ) 解： ????V5)t(u)t(u iO； VD截止 ? ui 5V ； VD導通 ? ui ?5V 66 RL上所得電壓值即為 VZ管所承受的反向電壓值，分別為： 8V、 、 4V和 。 圖示穩(wěn)壓電路中： uI=12V， UZ=6V， R=4K?。 當 RL 分別為 8K? 、6K? 、 2K?和 1K?時，求對應輸出電壓 uO 。 穩(wěn)壓電路 解： 故： uO分別為： 6V、 6V、 4V和 。 輸出 電壓 uO(t) 取決于 VZ 的工作狀態(tài)，即：擊穿與否。 晶體二極管 (電路舉例 :續(xù) ) 67 小 結 ? PN結的形成是本節(jié)的基礎。 ? 通過 PN結特性理解二極管的特性及參數(shù)。 ? 晶體二極管的應用電路。 理解 晶體二極管特性、參數(shù) 掌握 晶體二極管應用電路 68 晶體三極管 69 三極管存在： 兩結三區(qū)三極 晶體三極管結構及符號 ? 結構與符號 發(fā)射極 基極 集電極 發(fā)射區(qū) 集電區(qū) 基區(qū) 發(fā)射結 集電結 N+ N P N P+ P E區(qū) B區(qū) C區(qū) C結 E結 E B C B C E PNP C E B NPN 發(fā)射區(qū) (E區(qū) )：發(fā)送載流子 基 區(qū) (B區(qū) )：傳輸載流子 集電區(qū) (C區(qū) )：收集載流子 常見的三極管外形 71 72 73 ?發(fā)射區(qū)重摻雜 ?基區(qū)薄 ?集電極面積大 晶體三極管結構及符號 ?三極管結構特點 74 集電結 運用狀態(tài) 發(fā)射結 正向運用 反向運用 正向運用 飽和狀態(tài) 放大狀態(tài) 反向運用 反向放大狀態(tài) 截止狀態(tài) 一般不用 ? 三極管工作狀態(tài) 三極管四種狀態(tài) 晶體三極管結構及符號 :續(xù) 75 晶體管的放大原理 ?N PCCUBICBOICI載流子的傳輸 ? 載流子的傳輸過程 N 76 形成 IEn ，同時基區(qū)也向發(fā)射區(qū)注入空穴形成 IEp 。由于 IEn IEp ， 因此發(fā)射極電流 IE ? IEn 。 形成復合電流 IBn，它是基極電流 IB 的一部分。 形成 ICn，構成集電極電流 IC 的主要成份 。 集電結兩邊少子定向漂移 ICBO ,該電流對放大作用沒有貢獻且受溫度影響很大，應設法減小。 晶體三極管放大原理 :續(xù) 發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子 集電區(qū)收集電子 注入電子邊擴散邊復合 77 發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子 ( IEn ) ： 發(fā)射極電流 IE ? IEn 注入電子在基區(qū)邊擴散邊復合 ( IBn ) ： 是基極電流 IB 的一部分 晶體三極管放大原理 :續(xù) 集電區(qū)收集擴散來的電子 ( I ) ： I構成集電極電流 IC 的主要成份 集電結兩邊少子定向漂移 ( ICBO ) ： ICBO對放大無貢獻 應設法減小 晶體三極管又稱為雙極型三極管 三極管放大應滿足兩方面條件： ? 外部條件： 發(fā)射結正偏 集電結反偏 ? 內部條件： 基區(qū)薄 發(fā)射區(qū)重摻雜 78 電流關系 發(fā)射極電流： IE = Ibn + I 基極電流： IB = Ibn ICBO 集電極電流： IC = I +ICBO 晶體三極管放大原理 :續(xù) 79 ? 基區(qū) 非平衡載流子 的密度分布 指由發(fā)射區(qū)注入到基區(qū)的載流子 非平衡載流子密度分布圖 晶體三極管放大原理 :續(xù) 80 定義： BnCnEIII ??基區(qū)復合電流量傳輸?shù)郊姌O的電流分?ECnEEIIII ??發(fā)射極電流量傳輸?shù)郊姌O的電流分?1??? 時有： EC II /??BC II /??????? 1關系：?? ,? 電流分配關系 晶體三極管放大原理 :續(xù) 81 晶體三極管放大原理 :續(xù) 電流分配關系： C E OBE III ??? )1( ?CE OBC III ?? ?CEB III ??C B OC E O II )1( ???穿透電流： 82 ? 關于 電流放大倍數(shù)的幾點說明 ? 手冊上的 值是實測得到的 ? 它們的大小與工作電流有關 ? 這組電流關系也適用于 PNP管，但各極定義的電流方向相反 晶體三極管放大原理 :續(xù) ??, 83 ? 共射接法 輸入特性曲線 晶體三極管特性曲線 指 uCE為參變量， iB隨 uBE變化的關系曲線 ),(1 CEBEB uufi ?特點： ?特性曲線類似二極管 VA特性 ?uCE 增大時，特性曲線右移 ?uCE ?1V時曲線基本重合 84 晶體三極管特性曲線 :續(xù) ? 共射接法 輸出特性曲線 指 iB為參變量， iC隨uCE變化的關系曲線 ),(2 CEBC uifi ? 85 曲線分為四區(qū)： 截止區(qū) 放大區(qū) 飽和區(qū) 擊穿區(qū) 截止區(qū)： 對應截止狀態(tài) :E結 C結反偏 特點： iE =0 iC =ICBO = –iB 晶體三極管特性曲線 :續(xù) 86 曲線分為四區(qū)：截止區(qū) 放大區(qū) 飽和區(qū) 擊穿區(qū) 放大區(qū)： 對應放大狀態(tài) : E結正偏 C結反偏 特點： 放大效應 ? 定義 CuiiCEBC ????? 晶體三極管特性曲線 :續(xù) 87 特點： 基調 (厄立 )效應 UA 表現(xiàn) :曲線略微上斜 晶體三極管特性曲線 :續(xù) 88 特點： 穿透電流 ICEO 計算 :ICEO=(1+ )ICBO ?曲線分為四區(qū)：截止區(qū) 放大區(qū) 飽和區(qū) 擊穿區(qū) 晶體三極管特性曲線 :續(xù) 89 曲線分為四區(qū)：截止區(qū) 放大區(qū) 飽和區(qū) 擊穿區(qū) 飽和狀態(tài) : E結正偏 C結正偏 特點： 飽和現(xiàn)象： 固定 uCE ,iC基本不隨 iB變化 uCE控制 iC ： 固定 iB,iC隨 uCE劇烈變化 晶體三極管特性曲線 :續(xù) 9