線性電子線路ppt課件(2)(編輯修改稿)
2025-05-26 03:33 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 ℃ ， IS 約增加一倍。 溫度每升高 1℃ ， VD(on) 約減小 mV。 第 1 章 晶體二極管 O PN 結(jié)的擊穿特性 |V反 |? = V(BR)時(shí)， ? IR 急劇 ??? ， ? PN 結(jié)反向擊穿。 雪崩擊穿 齊納擊穿 PN 結(jié)摻雜濃度較低 (l0 較寬 ) 發(fā)生條件 外加反向電壓較大 ( 6 V) 形成原因： 碰撞電離。 V(BR) ID V 形成原因： 場(chǎng)致激發(fā)。 發(fā)生條件 PN 結(jié)摻雜濃度較高 (l0 較窄 ) 外加反向電壓較小 ( 6 V) 第 1 章 晶體二極管 O 因?yàn)? T ? ? 載流子運(yùn)動(dòng)的平均自由路程 ? ?V(BR)?。 ? 擊穿電壓的溫度特性 ? 雪崩擊穿電壓具有正溫度系數(shù)。 ? 齊納擊穿電壓具有負(fù)溫度系數(shù)。 因?yàn)? T ? ? 價(jià)電子獲得的能量 ? ?V(BR)?。 ? 穩(wěn)壓二極管 ? 利用 PN 結(jié)的反向擊穿特性，可 制成穩(wěn)壓二極管。 ? 要求： IZmin IZ IZmax 第 1 章 晶體二極管 VZ ID V IZmin IZmax + VZ O PN 結(jié)的電容特性 勢(shì)壘區(qū)內(nèi)空間電荷量隨外加電壓變化產(chǎn)生的電容效應(yīng)。 ? 勢(shì)壘電容 CT nVVVCVQC)1()0(ddBTT????? 擴(kuò)散電容 CD 阻擋層外 (P 區(qū)和 N 區(qū) )貯存的非平衡電荷量 ,隨外加電壓變化產(chǎn)生的電容效應(yīng) 。 CT(0) CT V O )( SDD IIkC ??xn 少子濃度 x O ?xp P+ N 第 1 章 晶體二極管 ? PN 結(jié)電容 ? PN 結(jié)反偏時(shí)， CT CD ，則 Cj ? CT PN 結(jié)總電容： Cj = CT + CD ? PN 結(jié)正偏時(shí)， CD CT ，則 Cj ≈ CD 故： PN 結(jié)正偏時(shí)，以 CD 為主。 故： PN 結(jié) 反偏時(shí)，以 CT 為主。 通常： CD ? 幾十 pF ~ 幾千 pF。 通常： CT ? 幾 pF ~ 幾十 pF。 第 1 章 晶體二極管 晶體二極管電路分析方法 晶體二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)就是一個(gè) PN 結(jié) 。 就其伏安特性而言 ， 它有不同的表示方法 ， 或者表示為不同形式的模型： ? 便于計(jì)算機(jī)輔助分析的 數(shù)學(xué)模型 ? 適于任一工作狀態(tài)的 通用曲線模型 直流簡(jiǎn)化電路模型 交流小信號(hào)電路模型 ? 電路分析時(shí)采用的 第 1 章 晶體二極管 晶體二極管的模型 ?數(shù)學(xué)模型 ——伏安特性方程式 )1e( TS ?? VVII理想模型： 修正模型： )1e( TSS ???nVIrVII其中： n —非理想化因子 I 正常時(shí)： n ? 1 I 過(guò)小或過(guò)大時(shí)： n ? 2 rS — 體電阻 + 引線接觸電阻 + 引線電阻 注意： 考慮到阻擋層內(nèi)產(chǎn)生的自由電子空穴對(duì)及表面 漏電流的影響，實(shí)際 IS ?? 理想 IS。 第 1 章 晶體二極管 ?曲線模型 —伏安特性曲線 V(BR) I /mA V/V VD(on) ?IS 當(dāng) V VD(on) 時(shí) 二極管 導(dǎo)通 當(dāng) V VD(on) 時(shí) 二極管 截止 當(dāng)反向電壓 V ? V (BR) 時(shí) 二極管 擊穿 晶體二極管的伏安特性曲線，通常由實(shí)測(cè)得到。 第 1 章 晶體二極管 ?簡(jiǎn)化電路模型 折線等效： 在主要利用二極管單向?qū)щ娦缘碾娐分校? 實(shí)際二極管的伏安特性。 I V VD(on) )1arctan(DRI V
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