線性電子線路ppt課件(2)-文庫吧資料
2025-05-05 03:33本頁面
【正文】 IrQVVVV?????????( 室溫) )(26Tj ??? IIVrCj： PN 結(jié)結(jié)電容 ， 由 CD 和 CT 兩部分構(gòu)成 。 第 1 章 晶體二極管 ?小信號電路模型 rs rj Cj I V Q )1arctan(jrrs： PN 結(jié)串聯(lián)電阻 ， 數(shù)值很小 。 開關(guān)狀態(tài)： 與外電路相比， RD 可忽略時的伏安特性。 第 1 章 晶體二極管 ?簡化電路模型 折線等效： 在主要利用二極管單向?qū)щ娦缘碾娐分校? 實際二極管的伏安特性。 就其伏安特性而言 ， 它有不同的表示方法 ， 或者表示為不同形式的模型： ? 便于計算機輔助分析的 數(shù)學(xué)模型 ? 適于任一工作狀態(tài)的 通用曲線模型 直流簡化電路模型 交流小信號電路模型 ? 電路分析時采用的 第 1 章 晶體二極管 晶體二極管的模型 ?數(shù)學(xué)模型 ——伏安特性方程式 )1e( TS ?? VVII理想模型： 修正模型： )1e( TSS ???nVIrVII其中： n —非理想化因子 I 正常時： n ? 1 I 過小或過大時： n ? 2 rS — 體電阻 + 引線接觸電阻 + 引線電阻 注意： 考慮到阻擋層內(nèi)產(chǎn)生的自由電子空穴對及表面 漏電流的影響，實際 IS ?? 理想 IS。 通常： CT ? 幾 pF ~ 幾十 pF。 故： PN 結(jié) 反偏時，以 CT 為主。 ? 勢壘電容 CT nVVVCVQC)1()0(ddBTT????? 擴散電容 CD 阻擋層外 (P 區(qū)和 N 區(qū) )貯存的非平衡電荷量 ,隨外加電壓變化產(chǎn)生的電容效應(yīng) 。 ? 穩(wěn)壓二極管 ? 利用 PN 結(jié)的反向擊穿特性，可 制成穩(wěn)壓二極管。 ? 齊納擊穿電壓具有負(fù)溫度系數(shù)。 發(fā)生條件 PN 結(jié)摻雜濃度較高 (l0 較窄 ) 外加反向電壓較小 ( 6 V) 第 1 章 晶體二極管 O 因為 T ? ? 載流子運動的平均自由路程 ? ?V(BR)?。 雪崩擊穿 齊納擊穿 PN 結(jié)摻雜濃度較低 (l0 較寬 ) 發(fā)生條件 外加反向電壓較大 ( 6 V) 形成原因： 碰撞電離。 溫度每升高 1℃ ， VD(on) 約減小 mV。 正偏時： TeSVVII ?反偏時： SII ??第 1 章 晶體二極管 ? PN 結(jié) ——伏安特性曲線 ID V VD(on) IS Si Ge VD(on) = V IS = (109 ~ 1016) A 硅 PN 結(jié) VD(on)= V 鍺 PN 結(jié) IS = (106 ~ 108) A V VD(on)時 隨著 V ? 正向 R 很小 I ?? PN 結(jié)導(dǎo)通； V VD(on)時 IR 很小 (IR ? ?IS) 反向 R 很大 PN 結(jié)截止。 溫度 T ? 電流 IR?? 結(jié)論： PN 結(jié)具有單方向?qū)щ娞匦浴? ? PN 結(jié)形成的物理過程 第 1 章 晶體二極管 ? 內(nèi)建電位差： 2idaTB ln nNNVV ?室溫時 鍺管 VB ? ~ V 硅管 VB ? ~ V ? 阻擋層寬度： 21dadaB0 )2(NNNNVql?? ? 注意： 摻雜濃度 (Na、 Nd)越大 ， 內(nèi)建電位差 VB越小 ， 阻 擋層寬度 l0 越小 。 擴散電流密度： xxpqDJd)(dppd ??xxnDqJ
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