薄膜表面的吸附與擴散-資料下載頁
2025-05-02 13:42本頁面
【正文】 41?* 該方法的優(yōu)勢 1， 不需要對儀器進行任何改動就可以測量相對快速的擴散運動。 2，可以區(qū)分不同的吸附位置分別測量 3，測量高溫下的快速擴散運動可減少工作時間 4，駐留時間占空比包含更多信息 理論 % 實驗 % % % 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 1610210110010110210310410 1 710 1 610 1 510 1 410 1 310 1 210 1 110 1 0T (K ) Hop Rate (Hz)1000/T (K1) Au_F Au_U C u_F C u_U Ag _F Ag _UD (cm2s1)3 0 0 2 0 0 1 5 0 1 0 0 7 5 Ag F Ag U Au,Ag和 Cu在 FHUC和 UHUC最穩(wěn)吸附位置的擴散頻率與溫度的 Arrhenius關(guān)系圖 測量結(jié)果 由島密度的溫度關(guān)系的實驗和理論比較得到擴散激活能和橫向振動頻率 STM測量島密度的變化 STM觀察成核密度法 方法 擴散距離 D的范圍 (cm2s1) 備注 截面演化方法 104 cm 1071011 測量 D 場離子顯微鏡（ FIM） 350 197。 10171015 測量 D*， 只能測量金屬原子的擴散 。 準(zhǔn)彈性氦原子散射（ QHAS） 310 197。 106 測量 D*， 整體效應(yīng) ，不能區(qū)分單個原子 場發(fā)射顯微鏡（ FEM）陰影模式 1001000 197。 10121010 測量 D 場發(fā)射顯微鏡（ FEM）漲落自相關(guān)模式 ? 100 197。 1014109 測量 D 激光熱脫吸附（ LITD） 102cm 106108 測量 D LOD/SHD 1?m 1015107 測量 D 掃描隧道顯微鏡 Frame by Frame 110 197。 1014 導(dǎo)體 、 半導(dǎo)體表面 ,測量 D* 掃描隧道顯微鏡 Atom tracking 110 197。 1014 導(dǎo)體 、 半導(dǎo)體表面 ,測量 D* 多種測量方法對照
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