物理氣相沉積技術(shù)ppt課件-資料下載頁
2025-05-01 12:11本頁面
【正文】 等離子體清洗 空心陰極離子鍍 (HCD)裝置示意圖 1HCD槍； 2鐘罩； 3工件； 4高壓電源 5水冷鋼坩堝； 6坩堝 磁控濺射離子鍍技術(shù) ? 磁控濺射技術(shù)與離子鍍技術(shù)相結(jié)合的！ 過程： 氣體輝光放電 磁控濺射 陽離子 靶材原子離化 陽離子 基片沉積成膜 定向負(fù)偏壓 等離子體 等離子體清洗 陰極 陽極 陰極 磁控濺射離子鍍?cè)硎疽鈭D 1真空容器； 2永久磁鐵； 3磁控陽極 4磁控靶 ； 5磁控電源； 6真空系統(tǒng) 7氬氣充氣系統(tǒng)； 8基板（工件）； 9控制系統(tǒng) （三）離子鍍的優(yōu)點(diǎn) ：（與蒸發(fā)、濺射比較） ★ 電場(chǎng)作用下高能離子對(duì)基板轟擊作用！ ? ? ? （使工件各表面處于電場(chǎng)之中） ? ? ? ，成膜速度快 三種 PVD鍍膜機(jī)理比較 方法 蒸發(fā)鍍 濺射鍍 離子鍍 原料 膜料（粉料） 靶材 膜料 /靶材 鍍料分解方式 加熱蒸發(fā) 離子濺射 加熱蒸發(fā) 或離子濺射 鍍料粒子 原子，分子 原子，分子 陽離子（中性粒子） 陰極 靶材 靶材 基板 (靶材 ) 陽極 基材 基材 靶材 基材濺射清洗 電子束 離子束 Ar氣體放電產(chǎn)生電子 放電等離子中 的 Ar離子 環(huán)境 真空 Ar低氣壓 輝光放電 Ar低氣壓 輝光 /弧光放電 三種 PVD鍍膜技術(shù)性能比較 小結(jié)： ? 三大過程： ? （蒸發(fā)速率、濺射率） 1）氣化蒸發(fā) 蒸發(fā)鍍（加熱） 2）離子濺射 濺射鍍（輝光放電） ? （粒子平均自由程） 1）粒子自由運(yùn)動(dòng) 2）電場(chǎng)作用 離子鍍（離化） ? （動(dòng)態(tài)平衡） 空心 陰極 反應(yīng)氣體 等離子體 電子束 磁控 濺射 ? 作業(yè)： ? 試比較不同 PVD法的機(jī)理及特點(diǎn)？ ? 蒸發(fā)鍍的主要過程？ ? 磁控濺射離子鍍的主要過程？ ? 舉一個(gè) PVD應(yīng)用實(shí)例？
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