金屬化與多層互連(2)-資料下載頁(yè)
2025-04-30 12:24本頁(yè)面
【正文】 義 ； ： 3. 降低成本 （目前 Cu互連最高已達(dá) 10多層） VLSI與多層互連 平坦化的必要性 平坦化 VLSI與多層互連 ? 臺(tái)階的存在：如， 引線孔、通孔邊緣； ? 影響：薄膜的覆蓋效果； ? 改善： ① 改進(jìn)薄膜淀積的工藝： 行星旋轉(zhuǎn)式真空蒸發(fā)裝置； 濺射替代蒸發(fā)； ② PSG、 BPSG回流； ③ 平坦化工藝 平坦化 VLSI與多層互連 BPSG回流工藝 犧牲層工藝 ： 等離子刻蝕工藝，局域完全平坦化 平坦化 CMP工藝 CMP： chemical mechanical planarization化學(xué)機(jī)械平面化 或 chemicalmechanical polishing 化學(xué)機(jī)械拋光 VLSI與多層互連 ? CMP的基本構(gòu)成： ① 磨盤：聚亞胺酯薄片 ② 磨料： ：氧化劑； ： SiO2 ? CMP的基本機(jī)理： ① 金屬被氧化，形成氧化物； ② SiO2磨掉氧化物。 CMP工藝 VLSI與多層互連 CMOS IC的多層互連 1） PECVD Nitride CMOS IC的多層互連 2） PECVD USG 3） PECVD Etch Stop Nitride 4） PECVD USG 5） Photoresist Coating CMOS IC的多層互連 Via 1 Mask 6） Via 1 Mask Exposure and Development 7） Etch USG, Stop on Nitride CMOS IC的多層互連 8） Strip Photoresist 9） Photoresist Coating Metal 1 Mask 10） Metal 1 Mask Exposure and Development CMOS IC的多層互連 11） Etch USG and Nitride 12） Strip Photoresist 13） Deposit Tantalum Barrier Layer 14） Deposit Copper CMOS IC的多層互連 15） CMP Copper and Tantalum 16） PECVD Seal Nitride
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