晶體結構單質無機化合物硅酸鹽-資料下載頁
2025-04-30 03:20本頁面
【正文】 。按照硅氧層中活性氧的空間取向不同，硅氧層分為兩類：單網層和復網層 單網層：所有活性氧指向同一方向； （ 1： 1層） 復網層：兩層硅氧層中的活性氧交替地指向相反方向 。 （ 2： 1層） （ Si/O = 4:10） School of materials Science and engineering 單網層 復網層 School of materials Science and engineering 滑石屬 單斜晶系 ，晶胞參數 a=, b=, c=,β=100176。 ； 結構屬復網層結構： (OH)位于六節(jié)環(huán)中心， Mg位于硅與 (OH)形成的三角形的中心，但高度不同。兩個硅氧層的活性氧指向相反，中間通過鎂氫氧層連接，形成滑石結構的復網層。水鎂石層中 Mg2+的配位數為６，形成［ MgO4(OH)2］八面體，屬于三八面體型結構。 A、滑石 Mg3[Si4O10](OH)2的結構 （ Si/O = 4:10） School of materials Science and engineering 晶體具有良好的片狀解理特性，并具有滑膩感： 復網層中每個活性氧電價飽和， OH中的氧電價也是飽和的，所以復網層內是電中性的。層與層之間只能靠較弱的分子間力來結合，致使層間易相對滑動。 重要： School of materials Science and engineering （ 5）架狀結構 α 方石英中，兩個硅氧四面體之間以共用氧為對稱中心。在 α 鱗石英中，兩個共頂的硅氧四面體之間相當于有一對稱面。在 α 石英中，相當于在 α 方石英的基礎上，使硅－氧－硅鍵由 180176。 轉變?yōu)?150176。 。由于這三種石英中硅氧四面體的連接方式不同，因此，它們之間的轉變屬于重建性轉變。 （ Si/O = 1:2） School of materials Science and engineering School of materials Science and engineering （ A1） α－方石英 立方晶系，分子數＝ 8。硅位于晶胞頂點及面心，晶胞內部還有 4個硅，其位置相當于金剛石中 C原子的位置。交替指向相反方向的硅氧四面體組成六節(jié)環(huán)狀的硅氧層。以 3層為一個重復周期在平行于（ 111）面的方向上平行疊放而形成的架狀結構。 School of materials Science and engineering （ A2） α－鱗石英 六方晶系，晶胞分子數為 4。 結構由交替指向相反方向的硅氧四面體組成的六節(jié)環(huán)狀的硅氧層平行于（ 0001）疊放而形成架狀結構。 它是硅質耐火材料的主要晶相。 （ A3） α－石英 六方晶系，晶胞分子數為 3。 結構中每個硅周圍有 4個氧，空間取向是 2個在硅上方、 2個在其下方。各四面體中的離子排列于高度不同的三層面上。硅－氧－硅鍵角為 150度。 School of materials Science and engineering 結構與性質的關系： SiO2結構中 SiO鍵的強度很高，鍵力分別在三維空間比較均勻，因此 SiO2晶體的熔點高、硬度大、化學穩(wěn)定性好，無明顯解理。 School of materials Science and engineering β －石英屬三方晶系，晶胞分子數為 3，鍵角由 150 176。變?yōu)?137176。 ，使六方晶系變?yōu)槿骄怠? β－石英的“壓電效應”： 某些晶體在機械力作用下發(fā)生變形，使晶體內正負電荷中心相對位移而極化，致使晶體兩端表面出現(xiàn)符號相反的束縛電荷，其電荷密度與應力成比例。 由“壓力”產生“電”的現(xiàn)象稱為正壓電效應。由電場使晶體內部正負電荷中心位移，晶體產生形變的稱為“逆壓電效應”。 School of materials Science and engineering 壓電效應產生的機理與方位：如圖。 在使用壓電晶體時，為了獲得良好的壓電性，須根據實際要求，切割出相應方位的晶片 。 晶體結構特征：無對稱中心。 School of materials Science and engineering 本章小結 空間點陣、晶胞、對稱性晶胞參數、晶面指數、晶向指數，對稱要素、對稱型、晶系、布拉維格子，配位數、最緊密堆積原理，極化、同質多晶和類質同晶等。 影響晶體結構的因素。 典型的晶體結構。 硅酸鹽晶體結構。
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