晶體結(jié)構(gòu)單質(zhì)無(wú)機(jī)化合物硅酸鹽-資料下載頁(yè)
2025-04-30 03:20本頁(yè)面
【正文】 。按照硅氧層中活性氧的空間取向不同，硅氧層分為兩類：?jiǎn)尉W(wǎng)層和復(fù)網(wǎng)層 單網(wǎng)層：所有活性氧指向同一方向； （ 1： 1層） 復(fù)網(wǎng)層：兩層硅氧層中的活性氧交替地指向相反方向 。 （ 2： 1層） （ Si/O = 4:10） School of materials Science and engineering 單網(wǎng)層 復(fù)網(wǎng)層 School of materials Science and engineering 滑石屬 單斜晶系 ，晶胞參數(shù) a=, b=, c=,β=100176。 ； 結(jié)構(gòu)屬?gòu)?fù)網(wǎng)層結(jié)構(gòu)： (OH)位于六節(jié)環(huán)中心， Mg位于硅與 (OH)形成的三角形的中心，但高度不同。兩個(gè)硅氧層的活性氧指向相反，中間通過鎂氫氧層連接，形成滑石結(jié)構(gòu)的復(fù)網(wǎng)層。水鎂石層中 Mg2+的配位數(shù)為６，形成［ MgO4(OH)2］八面體，屬于三八面體型結(jié)構(gòu)。 A、滑石 Mg3[Si4O10](OH)2的結(jié)構(gòu) （ Si/O = 4:10） School of materials Science and engineering 晶體具有良好的片狀解理特性，并具有滑膩感： 復(fù)網(wǎng)層中每個(gè)活性氧電價(jià)飽和， OH中的氧電價(jià)也是飽和的，所以復(fù)網(wǎng)層內(nèi)是電中性的。層與層之間只能靠較弱的分子間力來(lái)結(jié)合，致使層間易相對(duì)滑動(dòng)。 重要： School of materials Science and engineering （ 5）架狀結(jié)構(gòu) α 方石英中，兩個(gè)硅氧四面體之間以共用氧為對(duì)稱中心。在 α 鱗石英中，兩個(gè)共頂?shù)墓柩跛拿骟w之間相當(dāng)于有一對(duì)稱面。在 α 石英中，相當(dāng)于在 α 方石英的基礎(chǔ)上，使硅－氧－硅鍵由 180176。 轉(zhuǎn)變?yōu)?150176。 。由于這三種石英中硅氧四面體的連接方式不同，因此，它們之間的轉(zhuǎn)變屬于重建性轉(zhuǎn)變。 （ Si/O = 1:2） School of materials Science and engineering School of materials Science and engineering （ A1） α－方石英 立方晶系，分子數(shù)＝ 8。硅位于晶胞頂點(diǎn)及面心，晶胞內(nèi)部還有 4個(gè)硅，其位置相當(dāng)于金剛石中 C原子的位置。交替指向相反方向的硅氧四面體組成六節(jié)環(huán)狀的硅氧層。以 3層為一個(gè)重復(fù)周期在平行于（ 111）面的方向上平行疊放而形成的架狀結(jié)構(gòu)。 School of materials Science and engineering （ A2） α－鱗石英 六方晶系，晶胞分子數(shù)為 4。 結(jié)構(gòu)由交替指向相反方向的硅氧四面體組成的六節(jié)環(huán)狀的硅氧層平行于（ 0001）疊放而形成架狀結(jié)構(gòu)。 它是硅質(zhì)耐火材料的主要晶相。 （ A3） α－石英 六方晶系，晶胞分子數(shù)為 3。 結(jié)構(gòu)中每個(gè)硅周圍有 4個(gè)氧，空間取向是 2個(gè)在硅上方、 2個(gè)在其下方。各四面體中的離子排列于高度不同的三層面上。硅－氧－硅鍵角為 150度。 School of materials Science and engineering 結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系： SiO2結(jié)構(gòu)中 SiO鍵的強(qiáng)度很高，鍵力分別在三維空間比較均勻，因此 SiO2晶體的熔點(diǎn)高、硬度大、化學(xué)穩(wěn)定性好，無(wú)明顯解理。 School of materials Science and engineering β －石英屬三方晶系，晶胞分子數(shù)為 3，鍵角由 150 176。變?yōu)?137176。 ，使六方晶系變?yōu)槿骄怠? β－石英的“壓電效應(yīng)”： 某些晶體在機(jī)械力作用下發(fā)生變形，使晶體內(nèi)正負(fù)電荷中心相對(duì)位移而極化，致使晶體兩端表面出現(xiàn)符號(hào)相反的束縛電荷，其電荷密度與應(yīng)力成比例。 由“壓力”產(chǎn)生“電”的現(xiàn)象稱為正壓電效應(yīng)。由電場(chǎng)使晶體內(nèi)部正負(fù)電荷中心位移，晶體產(chǎn)生形變的稱為“逆壓電效應(yīng)”。 School of materials Science and engineering 壓電效應(yīng)產(chǎn)生的機(jī)理與方位：如圖。 在使用壓電晶體時(shí)，為了獲得良好的壓電性，須根據(jù)實(shí)際要求，切割出相應(yīng)方位的晶片 。 晶體結(jié)構(gòu)特征：無(wú)對(duì)稱中心。 School of materials Science and engineering 本章小結(jié) 空間點(diǎn)陣、晶胞、對(duì)稱性晶胞參數(shù)、晶面指數(shù)、晶向指數(shù)，對(duì)稱要素、對(duì)稱型、晶系、布拉維格子，配位數(shù)、最緊密堆積原理，極化、同質(zhì)多晶和類質(zhì)同晶等。 影響晶體結(jié)構(gòu)的因素。 典型的晶體結(jié)構(gòu)。 硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)。
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